Semiconductor Intr�nseco

El cristal de silicio es diferente de un aislante porque a cualquier temperatura por encima del cero absoluto, existe una probabilidad finita de que un electr�n en la red sea golpeado y sacado de su posici�n, dejando tras de s� una deficiencia de electrones llamada "hueco".

Si se aplica un voltaje, entonces tanto el electr�n como el hueco pueden contribuir a un peque�o flujo de corriente.

La conductividad de un semiconductor puede ser modelada en t�rminos de la teor�a de bandas de s�lidos. El modelo de banda de un semiconductor sugiere que, a temperaturas ordinarias hay una posibilidad finita de que los electrones pueden alcanzar la banda de conducci�n, y contribuir a la conducci�n el�ctrica. El t�rmino intr�nseco aqu�, distingue entre las propiedades del silicio puro "intr�nseco", y las propiedades radicalmente diferentes del semiconductor dopado tipo n o tipo p.

Electrones y Huecos

Corriente de Semiconductor

Corriente de Semiconductor

Adem�s, otros electrones pueden saltar entre las posiciones de la red para llenar las vacantes dejadas por los electrones liberados. Este mecanismo adicional se llama conducci�n de huecos, porque es como si los huecos estuvieran emigrando a trav�s del material en direcci�n opuesta al movimiento de electrones libres.

El flujo de corriente en un semiconductor intr�nseco est� influenciado por la densidad de estados de energ�a la cual a su vez, influencia la densidad de electrones en la banda de conducci�n. Esta corriente es dependiente altamente de la temperatura.

Electrones y Huecos

En un semiconductor intr�nseco como el silicio a temperatura por encima del cero absoluto, habr� algunos electrones que ser�n excitados, cruzar�n la banda prohibida y entrando en la banda de conducci�n, podr�n producir corriente. Cuando el electr�n del silicio puro atraviesa la banda prohibida, deja tras de s� un puesto vacante de electrones o "hueco" en la estructura cristalina del silicio normal. Bajo la influencia de una tensi�n externa, tanto el electr�n como el hueco se pueden mover a trav�s del material. En un semiconductor tipo n, el dopante contribuye con electrones extras, aumentando dr�sticamente la conductividad. En un semiconductor tipo p, el dopante produce vacantes adicionales o huecos, que tambi�n aumentan la conductividad. Sin embargo, el comportamiento de la uni�n p-n es la clave para la enorme variedad de dispositivos electr�nicos de estado s�lido.