嵌入式开发--电源缓启动和防反接

在做嵌入式开发时，经常会遇到客户将电源线接错的问题，所以对于定制开发的设备，常常需要设计电源防反接电路。

防反接电路

最常用的防反接，就是在电源中串联一个二极管，电源接反时，电路不通。如下图

但这种方式，会导致在二极管上有一个电压降，白白损耗功率。尤其是大电流工作的时候，消耗的功率不可忽略。

另一种常见的方式，就是将在电源和地之间并联一个二极管，如下图：

这种方式虽然不会消耗功率，但是当电源接反的时候，二极管会将电源短路，小功率的电源，可能会直接保护，从而停止输出。但如果是较大功率的电源，这个二极管很可能会爆掉，相关的电路板铜皮也可能烧毁。

还有一种更好的办法，是用MOS管做保护电路，以P-MOS为例，如下图：

当电源上电时，Q2的体二极管导通，负载得电，但是电压会有一个0.6V左右的压降。此时由于PR7和PR8的分压，Q2的GS之间会有一个 -23.4V / 2 = -11.7的电压，Q2导通，DS之间的电压约等于0，此时MOS管将体二极管短路，不会有电能的消耗。
有人会说了，PMOS的DS接错了。其实电路没错，MOS管能否导通，取决GS之间的电压，而不是取决于D和S哪个正哪个负。NMOS的VGS为正，管子导通，PMOS的VGS为负，管子导通。

电源缓启动

另一种常见的电路保护，就是电源缓启动。
尤其对于重负载的开关电源来说，在负载上电的瞬间，输出电压会有一个很高的尖峰，甚至会达到1.5倍或更高的输出电压，此时负载端的电路，很有可能扛不住这个电压而烧毁。
缓启动的电路有很多，这里就列出我常用的PMOS的电路。
选择PMOS的好处，是共地。电路如下：

当电源上电时，PC10相当于短路，Q3的VGS=0，所以Q3截止。
电源通过PR6对PC10充电，所以PC10上的电压逐渐上升到12V，所以Q3的VGS从0逐渐变为-12V，Q3也逐渐导通。负载上的电压也就逐渐上升。
这就是缓启动的过程。
PR6和PC10组成RC充电电路，决定Q3导通的时间。本例中的时间常数是0.56秒。
PR6和PR6组成分压电路，决定Q3的VGS值。

电源防反接+电源缓启动

当然也可以将这两个电路综合起来，组成防反接+缓启动电路，如下图：

原理就不赘述，前面都讲过了。

现在就可以看出选择PMOS的好处了，共地。