半导体行业解决方案-功率器件篇

如果说晶体管能够被称为20世纪一项伟大的发明，对科技发展以及生产发展做出不可磨灭的贡献，那么毫无疑问，MOSFET跟IGBT功不可没。如今，大至功率变换器，小至内存、CPU等各类电子设备核心元件，无一不用到它们，下面我们将它们一一道来。

什么是MOSFET?
MOSFET，金属-氧化物半导体场效应晶体管，简称金氧半场效晶体管，内部具有三个极，分别是G栅极、D漏极、S源极。是一种可以广泛应用在模拟电路与数字电路的场效晶体管。一般电子电路中，由于MOS管具有输入阻抗高，开关速度快，工作频率高，常应用于开关电源，镇流器，高频感应加热，高频逆变焊机，通信电源等等高频电源领域。

什么是IGBT?
IGBT，绝缘栅极型功率管，是由BJT(双极型三极管)和MOS(绝缘栅型场效应管)组成的复合全控型电压驱动式电力电子器件，其内部也拥有三个极，G门极，E发射极，C集电极。IGBT是能源变换传输与控制的核心开关器件，广泛应用于交流电机、变频器、开关电源、照明电路、牵引传动等领域。

总的来说，凭借MOSFET的良好高频特性，开关速度快，或者在较小的输出功率场合时，表现卓越。在输出较大功率的场合时，由于IGBT具有输入阻抗高，电压控制能耗低，可以承受大电流的特性，作为一个耐高压的电子半导体开关器件，在大功率电子电路中获得广泛的应用。

在如此开关器件广泛应用各类行业的背景下，工程师如何选择一款合适的开关器件，能稳定可靠的融入到自己所设计的电路中，此时就需要工程师了解器件动态特性以及极限特性。