TTL与CMOS芯片：数字电路创新的基础

CMOS（互补金属氧化物半导体英文缩写）：由NMOS（N型金属氧化物半导体）和PMOS（P型金属氧化物半导体）两个互补的晶体管组成，属于单极性电路。如：CD40系列，CD45系列，74HC系列、74HCT系列
TTL（晶体管-晶体管逻辑英文缩写）：由双极晶体管构成，属于双极性电路。如：74LS系列

2、逻辑电平

CMOS：逻辑电平范围比较大，通常在5V~15V之间。以5V CMOS为例：输出高电平接近5V，低电平接近0V。
TTL：逻辑电平范围较窄，主要在5V下工作。标准5V TTL电平的示例中，最小输出高电压（VOH）为2.7V，最大输出低电压（VOL）为0.4V。

3、功耗

CMOS：功耗很低，当逻辑门没有输入信号时，两个晶体管都处于断开状态，几乎没有电流流过。只有在逻辑门输入信号变化时，才会有短暂的瞬态功耗。
TTL：功耗相对较大，通常在1~5mA/门之间。

4、抗干扰性

CMOS：高低电平之间相差比较大，因此抗干扰性强。
TTL：高低电平之间相差较小，抗干扰能力相对较差。

5、工作频率与速度

CMOS：工作频率通常较TTL略低，但高速CMOS的速度与TTL相当。CMOS电路的传输延迟时间相对较长，一般在25~50ns之间。然而，随着技术的发展，高速CMOS电路的速度已经得到了显著提升。
TTL：工作频率较高，传输延迟时间短，通常在5~10ns之间。TTL电路的速度快，缺点是功耗大，因为无法大规模集成，三极管的静态电流损耗非常大。

6、噪声容限

CMOS：噪声容限较大，对于电源噪声和其他环境噪声的抵抗能力更强。
TTL：噪声容限相对较小。

7、控制类型

CMOS：电压控制器件，通过改变晶体管栅极的电压来控制其通断状态。
TTL：电流控制器件，通过改变晶体管的电流来控制其通断状态。

8、应用场景

CMOS：由于其低功耗、高噪声免疫性和良好的集成度等特点，CMOS集成电路广泛应用于各种电子设备中，如计算机处理器、存储器、传感器等。
TTL：TTL电路在早期计算机和电子设备中得到了广泛应用，但随着CMOS技术的不断发展，TTL电路的应用范围逐渐缩小。然而，在某些特定领域，如高速数据传输和噪声抑制方面，TTL电路仍然具有一定的优势。

二、CMOS器件驱动TTL

我们的单片机使用的是CMOS器件，而与电脑通讯的却是TTL转USB，CMOS器件能直接驱动TTL吗？由CMOS和TTL逻辑电平可知，CMOS器件能直接驱动TTL。

三、TTL和CMOS的上下拉电阻

TTL芯片中的上下拉电阻

上拉电阻：

当TTL电路驱动CMOS电路或其他需要较高电平输入的电路时，如果TTL电路输出的高电平低于后者的最低高电平要求，就需要在TTL的输出端接上拉电阻。上拉电阻的阻值通常在1kΩ到10kΩ之间选择，具体值取决于电路的需求。如果阻值过大，可能会延缓TTL输出的上升沿；如果阻值过小，可能会增大TTL端的饱和压降，导致TTL输出的低电平过高。

下拉电阻：

在TTL电路中，下拉电阻的使用相对较少。用下拉电阻要1K以下，一般用470欧即可。下拉电阻的阻值选择同样需要根据具体电路的需求来确定。

CMOS芯片中的上下拉电阻

上拉电阻：

在CMOS芯片中，上拉电阻常用于保护未使用的管脚、提高输出电平以增强抗干扰能力、以及进行电阻匹配以抑制长线传输中的反射波干扰等。上拉电阻的阻值通常在几kΩ到几十kΩ之间选择，具体值取决于电路的需求和CMOS芯片的规格。需要注意的是，过大的上拉电阻可能会引入较大的延时，而过小的上拉电阻可能会增加功耗。

下拉电阻：

在CMOS芯片中，下拉电阻常用于固定某个引脚的低电平状态或为了提供泄荷通路。下拉电阻的阻值选择需要根据具体电路的需求和CMOS芯片的规格来确定。与上拉电阻类似，下拉电阻的阻值过大或过小都可能对电路的性能产生不利影响。CMOS芯片中的上下拉电阻用10K都可以。

结尾

这就看完了？你也太棒了吧👍！看完这篇文章你已经知道了TTL和CMOS的区别了吧，综上所述，CMOS和TTL在基本构成、逻辑电平、功耗、抗干扰性、工作频率与速度、噪声容限、控制类型以及应用场景等方面都存在显著差异。在选择使用哪种技术时，需要根据具体的应用需求和性能要求来进行权衡和选择。TTL芯片中的上拉电阻1kΩ到10kΩ，下拉电阻要1K以下，一般用470欧；CMOS芯片中的上下拉电阻用10K都可以。你是否还有别的疑问或者是更好的见解，欢迎在评论区留言，㊗️你玩得开心👻，学得愉快！