外延生长是在单晶衬底上按其晶向生长新单晶薄膜的工艺，可制造不同化学组分多层膜，便于后期器件制作。其主要方法有 MOCVD 和 MBE，前者适用于批量生产，后者多用于科研。按工艺可分为气相外延（VPE）、液相外延（LPE）、固相外延（SPE）和分子束外延（MBE）等，其中 VPE 用于硅的外延，LPE 适用于 II-V 族化合物，SPE 常见于离子注入退火过程，MBE 需超真空蒸发。外延层具有缺陷少、可实现原位均匀掺杂等优势，还能制备超晶格结构及 GaAs HEMT、LED 等器件所需的特定结构层。
需要pdf的友友私聊我
扫一扫
被折叠的 条评论
为什么被折叠?
到【灌水乐园】发言
