湿法刻蚀（后续更新）

半导体湿法刻蚀总结
一、湿法刻蚀原理
（一）基本原理
利用化学溶液对硅表面材料进行刻蚀（腐蚀溶解），副产物为气体、液体或可溶于刻蚀溶液的固体。
（二）工艺过程
刻蚀→漂洗→干燥。
二、湿法刻蚀影响因素与参数
（一）关键影响因素
刻蚀液浓度：浓度越高，刻蚀速率越快，是最难控制的参数（溶液浓度在刻蚀过程中持续变化）。
刻蚀温度：温度越高，刻蚀速率越快，相对容易控制。
刻蚀时间：受浓度和温度影响，相对容易控制。
刻蚀搅拌：影响刻蚀速率均匀性，精确控制有一定难度。
（二）工艺特性参数表
参数类型具体内容控制难度
溶液浓度 如刻蚀氧化硅时 NH₄F 与 HF 的比例 最难控制 
刻蚀时间 硅片浸泡在溶液中的时间 相对容易 
溶液温度 容器中溶液的温度 相对容易 
溶液搅拌 容器中溶液的搅动 有一定控制难度 
三、湿法刻蚀特性
（一）核心特性
选择性高：对特定材料的刻蚀能力强，不易损伤其他材料。
各向同性刻蚀：刻蚀方向无明显差异，各向异性差，导致刻蚀侧壁不够陡峭。
（二）优缺点
优点：工艺简单，腐蚀选择性好，成本较低。
缺点：钻蚀严重（各向异性差），难以获得精细图形，仅适用于刻蚀 3μm 以上的线条。
四、应用场景
硅片清洗：去除表面杂质和污染物。
薄膜覆盖剥离：用于剥离或修改表面薄膜层。
测试晶圆薄膜剥离和清洗：在晶圆测试环节中处理薄膜。
五、刻蚀工艺检测标准
刻蚀速率：单位时间内去除材料的厚度，影响芯片结构的准确性和一致性。
刻蚀均匀性：晶圆表面刻蚀深度的均匀性，避免芯片结构偏移或失真。
刻蚀选择性：对不同材料的差异化刻蚀能力，确保非目标材料不受损伤。
侧壁陡峭程度：刻蚀角度影响器件电学性能，湿法刻蚀侧壁较平缓。
关键尺寸（CD）控制：确保图形尺寸符合设计要求。
缺陷率：包括刻蚀不完整、残留物、材料损伤等，影响芯片良率。
刻蚀深度控制：精确控制深度以保证芯片性能和可靠性。
六、与干法刻蚀对比（延伸补充）
湿法刻蚀：适用于 3μm 以上线条，工艺简单但分辨率低。
干法刻蚀：适用于 3μm 以下线条，各向异性强、分辨率高，常用于精细图形加工。