半导体掺杂技术

常用掺杂技术
高温（热）扩散：施主或受主杂质原子半径较大，难以直接进入半导体晶格间隙，需借助高温使晶体产生晶格空位，杂质原子占据空位进入晶体。例如，Si 晶体热扩散温度约为 1000°C ，原子扩散系数随温度升高指数增大。杂质原子在晶格中以空位（替代式扩散）或间隙原子（填隙式扩散）形式移动。常用的扩散源有固相源（如 BN、As₂O₃、P₂O₅）、液相源（BBr₃、AsAl 和 POCl₃）以及汽相源（B₂H₆、AsH₃和 PH₃），其中液相源使用广泛。扩散方法包括恒定源扩散（整个扩散过程杂质源的表面浓度保持恒定）和有限源扩散（将一定量杂质淀积在半导体表面，随后向半导体内扩散，过程中不再施加杂质源），集成电路工艺中常采用先恒定源扩散形成预淀积扩散层，再有限源扩散进行主扩散的两步扩散法，以精确控制扩散分布。
离子注入：把杂质原子电离成离子，用强电场加速使其获得高动能后轰击晶体进入内部。离子注入能量在 1keV 到 1MeV 之间，对应平均离子分布深度范围是 10nm 到 10um 。掺杂深度由注入杂质离子的能量和质量决定，掺杂浓度由注入杂质离子的数目（剂量）决定。离子注入机主要由离子源（加热分解源气体产生带电离子）、磁分析器（筛选符合要求的离子）、加速管（使离子获得注入能量）、狭缝（确保离子束不偏）、静电偏转板（扫描离子束覆盖晶片表面）等组成。离子注入优点包括掺杂均匀性好、温度低（小于 600°C ）、可精确控制杂质分布、可注入多种元素、横向扩展小、可对化合物半导体掺杂；缺点是会产生较多晶格缺陷，注入后需进行退火处理。为抑制离子注入过程中可能出现的沟道效应（离子沿晶格特定方向到达晶圆内部较深位置，导致注入可控性降低），可在晶圆表面淀积非晶格结构材料或破坏表面薄结晶层。
掺入杂质类型
提供载流子的杂质：一类是提供载流子的受主杂质或施主杂质，如 Si 中的 B（硼，受主杂质，形成 P 型半导体）、P（磷，施主杂质，形成 N 型半导体）、As（砷，施主杂质，形成 N 型半导体） 。施主杂质提供多余电子，受主杂质提供空穴，改变半导体导电类型和电导率。
产生复合中心的杂质：另一类是产生复合中心的重金属杂质，如 Si 中的 Au（金） 。重金属杂质原子半径小，即使在较低温度下也能通过晶格间隙进入半导体，扩散温度一般较低，例如扩散 Au 在 700°C 下，数分钟即可分布到整个 Si 片 。
与掺杂相关的问题
Si 的热氧化技术：Si 表面形成 SiO₂后，氧原子需扩散穿过氧化层与下方 Si 原子结合以增厚氧化层，由于 SiO₂膜是非晶体，氧原子扩散速度小，常需加热（热氧化温度一般约 1000°C ）提高氧原子热运动能量。
杂质的激活：施主或受主杂质原子需处于替代 Si 原子的位置才能提供载流子，否则无法发挥作用，因此半导体掺杂后需进行激活退火处理。
掺杂技术应用
集成电路制造：通过精确控制掺杂，制造出各种半导体器件，如晶体管、二极管等，实现复杂电路功能，是实现微纳尺度集成电路的关键，有助于减小器件尺寸、提高集成度。
半导体传感器制作：通过控制掺杂类型和浓度，调节半导体对特定物理量（如温度、压力、气体浓度等）的敏感特性，制作出各类传感器。
质量分析与工艺控制
质量分析：硅片表面可能出现不良情况，如表面合金点、黑点或白雾、凸起物、氧化层颜色不一致、滑移线、弯曲、划伤、边缘缺损或开裂等；还可能存在漏电电流大（由表面沾污、氧化层缺陷、硅片缺陷等引起）、薄层电阻偏差、器件特性异常（击穿电压、hFE、稳压二极管稳压值异常）等问题。
工艺控制：包括污染控制（防止颗粒、有机物、薄膜、金属离子等污染，污染源来自操作者、清洗过程、高温处理、工具等）和参量控制（精确控制温度、时间、气体流量等，其中气体流量的稳定和可重复性对工艺影响较大，通过自动化进舟出舟、使用试片来控制时间，采用假片等方式稳定气体流量）。
掺杂技术发展趋势
新型掺杂技术探索：如上海交通大学团队引入阳离子交换机制实现高效 n 型有机半导体掺杂，为有机电子器件领域提供新思路，未来可能涌现更多新型掺杂机制和技术。
与其他技术结合：将掺杂工艺与刻蚀技术等半导体制造关键技术结合，在刻蚀过程中实现材料改性和优化，进一步提高器件性能和稳定性 。