封装工艺1(持续更新)

1. 传统封装
传统封装工艺主要包括DIP(双列直插封装)、SOP(小外形封装)和QFP(四方扁平封装)等,通过引线键合(Wire Bonding)实现芯片与基板的电气连接。其特点是结构简单、成本低,但集成度和性能受限,难以满足高密度、高性能需求,主要用于中低端芯片。

 2. 过渡时期
随着摩尔定律放缓,传统封装逐渐向先进封装过渡。这一阶段出现了BGA(球栅阵列封装)和CSP(芯片尺寸封装),通过焊球替代引线,提升I/O密度和散热性能,为后续先进封装技术奠定基础。

 

3. 先进封装技术
先进封装以高密度互联和系统集成为核心,主要包括:

FC(倒装芯片):通过焊球直接连接芯片与基板,缩短互联距离。

SiP(系统级封装):集成多芯片于单一封装,实现异构集成。

2.5D/3D封装:采用TSV(硅通孔)技术实现芯片垂直堆叠,提升带宽与能效。

Fan-Out(扇出型封装):取消基板,直接在封装层布线,缩小尺寸并提高性能。

先进封装推动半导体行业向更高性能、更低功耗和更小尺寸发展,成为后摩尔时代的关键技术。

 

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