BGA技术

半导体 BGA 栅球阵列技术总结
BGA（Ball Grid Array ，球栅阵列）作为半导体封装关键技术，在电子制造领域意义重大，其核心要点涵盖以下方面：

一、BGA 分类与特性
BGA 依据材质与结构，细分为 PBGA（塑料）、CBGA（陶瓷）、TBGA（载带）、MBGA（金属）等类别： 

PBGA：以塑料为基底，成本低、介电常数优，焊球借由共晶或准共晶 Pb - Sn 合金连接，适配多场景，焊球中心距有 1.5mm、1.27mm 等规格 。
CBGA：采用陶瓷基底，针对不同承载基板（小于 28mm×28mm 、大于 32mm×32mm ），分别以锡球、锡柱实现连接，IBM 称对应封装为 CBGA、CCGA，保障高可靠性 。
TBGA：“T” 代表 Tape（载带），基于薄膜软性有机基板（厚度 100 - 125 微米），具备出色电气、热特性与可靠性，成本介于陶瓷类和层压板类之间，在便携消费市场与 QFP 封装竞争，可实现小间距、多 I/O 封装 。
MBGA：“M” 代表 Metal（金属），运用表面阳极氧化铝基板，借单层或双层薄膜金属达成封装内互连，具备低电感、低电容特性，适配高传输、高 I/O（可达 1000 以上）场景 。
二、焊接与缺陷
BGA 芯片通过打线（Wire Bonding）、卷带式（TAB）或覆晶（FC）等方式与基板导线连接，基板无引脚，锡球阵列作 I/O 端口。焊接易现吹孔、冷焊、结晶破裂等不良，影响电气连接与产品性能，需严格把控焊接工艺 。
三、技术趋势
伴随电子设备小型化、高性能化需求增长，BGA 技术向多方向演进：

I/O 数量拓展：满足高集成度芯片需求，适配复杂功能模块 。
封装创新：如 PBGA 基础技术优化、再流焊与覆晶技术升级，以及 superBGA 研发，推动封装密度与性能提升 。
面积优化：对比 QFP、WLP 封装，BGA 面积优势显著（如部分场景下 BGA 面积仅为 QFP 的 35% ），助力电子产品小型化设计 。

BGA 技术凭借多样封装形式、良好电气特性及持续创新潜力，支撑半导体器件高效集成与稳定运行，是电子制造微型化、高性能化进程中不可或缺的关键环节，未来将随行业需求深化发展，持续突破封装极限 。