STM32深入解析DS18B20：硬件、时序与优化全攻略

从 底层硬件原理、时序细节、代码优化、通信协议 四个维度进行更深入的解析，并补充实际开发中的调试经验和注意事项：

一、DS18B20 硬件连接与电气特性

1. 引脚定义

DS18B20 通常有三个引脚：

• VDD：电源（3.0V~5.5V，可选外部供电或寄生供电）
• GND：地
• DQ：数据输入 / 输出，需外接 4.7kΩ 上拉电阻 到 VDD

2. 上拉电阻的作用

• 释放总线：当单片机将 DQ 引脚配置为输入模式或输出高电平时，上拉电阻将总线拉高。
• 信号完整性：确保高电平信号的稳定性，抵抗噪声干扰。

3. 寄生供电模式

DS18B20 支持 寄生供电（VDD 和 GND 短接），此时：

• 电源通过 DQ 引脚获取（DQ 高电平时储能，低电平时消耗能量）。
• 温度转换等操作需更长时间（约 750ms）。
• 需在温度转换期间保持 DQ 高电平（通过 DS18B20_WriteByte(0x44) 后持续拉高 DQ）。

二、单总线协议的时序细节（纳秒级精度）

1. 写时序的精确参数（基于 DS18B20 数据手册）

2. 时序图详解（写 1 和写 0 对比）

三、代码性能优化与临界区保护

1. 禁用中断确保时序精确性

在时序关键代码段禁用中断，避免中断处理函数干扰延时精度：

static void DS18B20_WriteByte(uint8_t dat) 
{
    uint8_t i, testb;
    __disable_irq();  // 禁用中断（根据单片机平台不同，函数名可能不同）
    
    DS18B20_Mode_Out_PP();
    
    for(i = 0; i < 8; i++) {
        testb = dat & 0x01;
        dat = dat >> 1;
        
        if(testb) {
            DS18B20_Dout_LOW();
            DS18B20_Delay(96);  // 约15μs
            DS18B20_Dout_HIGH();
            DS18B20_Delay(696); // 约60μs
        }
        else {
            DS18B20_Dout_LOW();
            DS18B20_Delay(696); // 约60μs
            DS18B20_Dout_HIGH();
            DS18B20_Delay(96);  // 约15μs
        }
    }
    
    __enable_irq();  // 恢复中断
}

2. 延时函数的高精度实现

基于定时器的微秒级延时（以 STM32 为例）：

// 初始化 SysTick 定时器（通常在系统初始化时调用）
void SysTick_Init(void) {
    // 设置 SysTick 为 1μs 中断一次
    SysTick_Config(SystemCoreClock / 1000000);  // 假设系统时钟为 72MHz
}

// 微秒级延时（阻塞式）
static volatile uint32_t micros = 0;
void delay_us(uint32_t us) {
    uint32_t start = micros;
    while((micros - start) < us);
}

// SysTick 中断处理函数
void SysTick_Handler(void) {
    micros++;
}

四、DS18B20 通信协议完整解析

1. 完整通信流程

1. 初始化：发送复位脉冲 → 检测 DS18B20 的存在脉冲。
2. ROM 操作：
   • 跳过 ROM（单设备）：发送 0xCC
   • 匹配 ROM（多设备）：发送 0x55 + 64 位设备 ID
3. 功能命令：
   • 启动温度转换：0x44
   • 读取暂存器：0xBE
   • 写入配置：0x4E + 配置数据

2. 温度转换与读取流程

// 读取 DS18B20 温度值（返回值单位：0.01℃）
int16_t DS18B20_ReadTemperature(void) {
    uint8_t LSB, MSB;
    int16_t temp;
    
    DS18B20_Reset();               // 初始化
    DS18B20_WriteByte(0xCC);       // 跳过 ROM
    DS18B20_WriteByte(0x44);       // 启动温度转换
    
    // 等待转换完成（寄生供电模式需主动拉高总线）
    HAL_Delay(750);  // 等待 750ms（最大转换时间）
    
    DS18B20_Reset();               // 再次初始化
    DS18B20_WriteByte(0xCC);       // 跳过 ROM
    DS18B20_WriteByte(0xBE);       // 发送读取暂存器命令
    
    LSB = DS18B20_ReadByte();      // 读取温度低字节
    MSB = DS18B20_ReadByte();      // 读取温度高字节
    
    temp = (MSB << 8) | LSB;       // 组合为 16 位温度值
    return temp * 0.0625 * 100;    // 转换为 0.01℃ 单位
}

详细讲解如何使用IO口读取一个字节数据

int8_t DS18B20_ReadByte(void) {
    uint8_t i, dat = 0;
    
    // 配置引脚为推挽输出模式（主动控制电平）
    DS18B20_Mode_Out_PP();
    
    // 循环读取 8 位数据（低位在前，高位在后）
    for(i = 0; i < 8; i++) {
        // 1. 拉低总线 1~15μs，发起读时隙
        DS18B20_Dout_LOW();
        DS18B20_Delay(12);  // 延时约 2μs（实际延时需根据 MCU 时钟调整）
        
        // 2. 释放总线，准备接收数据
        DS18B20_Dout_HIGH();
        
        // 3. 配置为输入模式，读取总线电平
        DS18B20_Mode_IPU();
        
        // 4. 等待 15μs 窗口，确保 DS18B20 已驱动数据到总线
        DS18B20_Delay(12);  // 延时约 2μs（进入采样窗口）
        
        // 5. 读取当前位数据（0 或 1）
        if(DS18B20_ReadInput()) {  // 读取引脚电平
            dat |= (1 << i);  // 若为高电平，将当前位设为 1
        }
        
        // 6. 等待读时隙结束（确保总时隙时间 ≥60μs）
        DS18B20_Delay(60);  // 延时约 10μs（补足 60μs 总时间）
    }
    
    return dat;
}

五、实际开发中的调试技巧

1. 硬件调试

• 示波器观察时序：

  • 使用示波器监测 DQ 引脚，验证拉低 / 拉高时间是否符合规范。
  • 典型问题：延时函数不准确导致时序偏移。

• 上拉电阻检查：

  • 无 / 过小的上拉电阻会导致总线无法可靠拉高。
  • 过大的上拉电阻会增加信号上升时间，导致通信失败。

2. 软件调试

• 添加调试日志：

  #define DEBUG 1
  #if DEBUG
  #define DBG_PRINT(...) printf(__VA_ARGS__)
  #else
  #define DBG_PRINT(...)
  #endif
  
  // 在关键位置添加日志
  void DS18B20_WriteByte(uint8_t dat) {
      DBG_PRINT("Writing byte: 0x%02X\n", dat);
      // ... 原有代码 ...
  }
  

• 单步执行测试：

  • 使用调试器单步执行代码，观察总线状态变化。
  • 断点验证每个位的发送时序。

六、常见问题与解决方案

七、代码扩展：支持寄生供电模式

// 在寄生供电模式下启动温度转换
void DS18B20_StartConvert_PowerOn(void) {
    DS18B20_Reset();
    DS18B20_WriteByte(0xCC);  // 跳过 ROM
    DS18B20_WriteByte(0x44);  // 启动温度转换
    
    // 保持总线高电平（强上拉）为 DS18B20 供电
    DS18B20_Mode_Out_PP();
    DS18B20_Dout_HIGH();
    
    // 等待转换完成（至少 750ms）
    HAL_Delay(750);
    
    // 释放总线
    DS18B20_Dout_LOW();
}

总结

DS18B20 的通信核心在于精确控制时序，需注意：

1. 写时序：通过控制拉低总线的时间区分逻辑 0/1。
2. 硬件要求：必须外接上拉电阻，确保总线能可靠拉高。
3. 软件优化：禁用中断、使用高精度延时函数，保证时序稳定。
4. 协议流程：初始化 → ROM 操作 → 功能命令，缺一不可。

掌握这些细节后，你可以进一步扩展功能，如：

• 实现多设备支持（扫描并存储设备 ID）
• 优化温度分辨率（配置寄存器）
• 添加 CRC 校验（验证数据传输正确性）

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