硬件学习笔记--71 MLCC漏电流值介绍

层陶瓷电容（MLCC）的漏电流值通常取决于其介质类型、容量、额定电压、温度等因素。以下是MLCC漏电流的一般范围和关键影响因素：

1. 漏电流的典型范围

MLCC的漏电流主要由其绝缘电阻（IR）决定，计算公式为：
漏电流 (I_leak) = 施加电压 (V) / 绝缘电阻 (IR)

不同介质类型的MLCC漏电流范围如下：

• Ⅰ类陶瓷（C0G/NP0）：

  • 漏电流极低，通常在 0.1nA ~ 10nA（@额定电压，25℃）。

  • 适用于高精度电路，如射频匹配、振荡器等。

• Ⅱ类陶瓷（X7R/X5R）：

  • 漏电流较高，通常在 0.1μA ~ 10μA（@额定电压，25℃）。

  • 常用于电源去耦、滤波等应用。

• Ⅲ类陶瓷（Y5V/Z5U）：

  • 漏电流最大，可达 10μA ~ 100μA（@额定电压，25℃）。

  • 由于漏电流较大，这类电容已逐渐被高分子电容替代。

2. 影响漏电流的关键因素

• 电压：漏电流随施加电压增加而非线性上升（通常遵循指数关系）。

• 温度：高温下漏电流显著增加（如85℃时可能比25℃高10~100倍）。

• 容量：大容量MLCC的漏电流通常更大（因介质层更薄或电极面积更大）。

• 制造工艺：杂质、气孔等缺陷会增加漏电流5。

3. 行业标准

• IEC 60384-1 规定：

  • Ⅰ类陶瓷漏电流应 <100nA。

  • Ⅱ类陶瓷漏电流应 <10μA2。

• AEC-Q200（汽车电子）：

  • 要求漏电流在高温（如125℃）下仍保持稳定。

4. 如何判断漏电流是否正常？

• 测量绝缘电阻（IR），并与规格书对比。

• 若实测漏电流远超计算值（I_leak = V/IR），可能电容已损坏。

5. 典型应用中的漏电流影响

• 高精度电路（如ADC、传感器）：需选择C0G类，漏电流<1nA。

• 电源滤波：X7R/X5R类可接受漏电流<1μA5。

• 电池供电设备：漏电流过大会缩短待机时间，需严格筛选。

总结

MLCC的漏电流范围从皮安级（C0G）到微安级（Y5V）不等，选型时应结合应用场景、温度、电压等综合考量。