esxi主机证书状态警告（证书到期）解决办法

当然，实际使用的电容计算值要考虑负载的波动，一般来说其电容值要远远大于此计算值。

学习整理，来源如下 资源1 一. 电容计算的方法包括定义计算法，模拟计算法，和能量计算法 1.1 定义计算法 一般来说，可以认为两个任意形状的导体构成一个电容器，当一个导体上电量为+q, 另一个导体上的电量为-q, 此时电容器电容为： C=q/(U1−U2)(1)C=q/(U_1-U_2) (1)C=q/(U1​−U2​)(1) (1)式中U1−U2U_1-U_2U1​−U2​为两导体间电势差，而q为两导体上电量的绝对值，当然，两导体上的电量可以不等，但电容定义式中的电量q应为导线联接两导体后

电容器原理在生产及生活实践中，科学家们发现，凡是被绝缘隔开的两个导体之间加以电压时，则接在高电位的导体就能容纳正电荷，接在低电位的导体能容纳负电荷。由此可见，上述导体和绝缘所构成的整体有容纳电荷的能力，这种能力叫做电容。而这个整体就叫做电容器。电容计算公式实践证明：任一电容器容纳电荷的情况和一个篮球容纳气体的情况类似。篮球大气的气压越大，则容纳的气体越多；电容器所加电压越大，则容纳的电荷也越多。这...

一：电容容值计算 1）电容整流波形分析 经过整流后三相电压整流为六脉波电压，电压波形如下图。 上图中各时期充电过程如下： 在t0t3阶段是一个T/6周期，一个完整波头阶段。在t0t1阶段，电容放电，给负载提供能量，此时输入电压小于电容电压，在t1时刻，电容电压与输入电压一致；在t1t2阶段，电网给电容充电和给负载供电，电压上升。在t2时刻，电容电压最高，为输入电压最大值。在t2t3阶段，电容放电，电容和输入电压一起给负载供电，在t3阶段，电源输入电压与电容电压相等。在t3与t4中间加一个t’为t0时刻状态

---------因为刚开始充电时,电容相当于短路,所以电流大,接近充满时,电容相当于断路,所以电流小。----------因为电容充满电后没有电流了，相当于断路，电压只能等于电源电压。----------随着充电的时间变长,电容所储存的电荷增加,所以电压升高。电容的五个作用--------------①降压---②滤波---③延时---④耦合---⑤---旁路。为容抗，也就是电容的阻值。----------电容两端的电势增加,电场强度自然也就增加。电容------通交阻直，但是是通高频，阻低频。

DCDC电路应该是硬件设计中最常见的电路，而Buck用得尤其多，下文介绍下电路中电感选型的几个思考。 BUCK电路选型的最重要的两个参数：电感值，电感电流。 电感电流一般有2个值：Isat是指饱和电流，一般指饱和电流（Saturation Current）电感值下降到30%（不同厂家定义有所不同，一般为10%-30%）的电流。---dcdc电路中感电流瞬间值不能超过这个。Irms是...

我们一般按照在输入电压下，输出的情况下，要求电解电容上的纹波电压低于多少个百分点来计算。当然，如果有保持时间的要求，那么需要按照保持时间的要求重新计算，二者之中，取大的值。

由于我们设计的DCDC其控制环路是基于纹波控制的单环COT DCDC，其环路的稳定性取决于DCDC的纹波幅值大小，如果纹波幅值过小，就会导致环路出现稳定性问题，BLE SoC的DCDC在设计时， Cout_max设计值4.7uF，即输出纹波幅值在DCDC任何配置下不应小于2mV。由上推导可知，输出电容器的容值，ESR和ESL都会影响输出电压纹波幅度，但实际电容器上，ESL寄生参数很小，都是nH级，与uH级功率电感相比，可忽略不计，主要关注的还是输出电容器的容值和ESR对输出电压纹波的影响，即。

本章主要介绍电容相关知识以及其在电源电路中的应用与计算。 本文同时作为《【元器件】5.电容》章节。

最近在忙着设计一些硬件电路，其中就用到了超级电容。网上给出的超级电容的计算公式是： 其中U1是超级电容的初始电压，U2是超级电容的最低电压(系统能接受的最低电压)；I是期间的电流，t是U1变为U2的整个放电时间。^2表示平方。说实话，我上次就是用这个公式设计的超级电容容量，可是系统没能很好的工作，于是我对这个公式产生了怀疑，严重怀疑它是假冒的。于是自己证...

超级电容规格是10.8V 117F； 容量计算方法是：1/2*10.8*10.8*117 / 3600=1.9WH；

输入滤波电容C上的波形如上图中的红线所示，当然这是理想情况下的波形，即忽略了整流二极管的内阻。解：假设ΔV=30V，则Vmax=310V，Vmin=310-30=280V；假如输入电压为市电：AC220V->DC310V、50Hz，功率为10W，计算输入滤波电容。功率为10W的电源随处可见，这里计算出来的容值也符合我们的经验。...

在我们使用晶振时，一些好奇的小伙伴会有个疑问，常见的匹配电容如22pf、20pf和18pf是怎么计算得来的，本文将对匹配电容的计算方法做一个总结。 一、首先我们要知道晶振的工作原理 ①晶振是晶体振荡器（Oscillator）的简称，又称有源晶振。这里需要区分一个概念，晶振不同于晶体。晶体是晶体谐振器（Crystal）的简称，也称为无源晶体，一般利用石英晶体的压电效应产生高精度的振荡频率，无源晶体需要外部的电容电阻才能进行起振； 而有源晶振内部集成了起振电路，无需外部添加其他元器件既可以正常工作，但需要外部电

电源输入端口的电压对地接C1：47uF,C2：0.1uF，C1用于稳压（稳定输入端口的电压），由于C1容值较大，自身谐振频率较低无法滤除高频，所以再并联一个小电容C2用于滤除高频，提高整个电路的自振频率FSR。C1容值的选择猜测是根据后续的功耗选择，功耗大则容值需要稍大一些。 PWM芯片和LDO芯片电压输出端的C1、C2容值的选择一般参考datasheet上的容值或者计算公式。针对PWM芯片C1