18、闪存技术全解析：从NAND到管理型闪存

最新推荐文章于 2025-07-29 10:17:37 发布

convnet3designer

最新推荐文章于 2025-07-29 10:17:37 发布

阅读量17

点赞数

CC 4.0 BY-SA版权

分类专栏：嵌入式Linux编程精要与实践文章标签：闪存技术 NAND闪存管理型闪存

本文链接：https://blog.csdn.net/convnet3designer/article/details/149712397

嵌入式Linux编程精要与实践专栏收录该内容

39 篇文章 ¥399.00 ¥499.90

订阅专栏

超级会员免费看

闪存技术全解析：从NAND到管理型闪存

1. NAND闪存

NAND闪存比NOR闪存便宜得多，且容量更高。第一代NAND芯片采用单级单元（SLC）架构，每个存储单元存储1位数据。后来发展到多级单元（MLC）芯片，每个单元存储2位数据，现在又有三级单元（TLC）芯片，每个单元存储3位数据。随着每个单元存储位数的增加，存储可靠性降低，需要更复杂的控制器硬件和软件来补偿。如果对可靠性有要求，应使用SLC NAND闪存芯片。

NAND闪存以擦除块的形式组织，擦除块大小从16 KiB到512 KiB不等。擦除块时，所有位都会被置为1。不过，在块变得不可靠之前的擦除周期数较少，TLC芯片通常只有1K次，而SLC芯片可达100K次。NAND闪存只能按页读写，页大小通常为2 KiB或4 KiB。由于不能逐字节访问，它无法映射到地址空间，因此代码和数据必须先复制到RAM中才能访问。

数据传输时容易发生位翻转，可使用纠错码（ECC）检测和纠正。SLC芯片通常使用简单的汉明码，可通过软件高效实现，能纠正页读取中的单比特错误。MLC和TLC芯片需要更复杂的代码，如Bose - Chaudhuri - Hocquenghem（BCH）码，每页最多可纠正8位错误，这需要硬件支持。

ECC需要存储在额外的内存区域，即带外（OOB）区域或备用区域。SLC设计通常每32字节主存储有1字节OOB，2 KiB页设备每页OOB为64字节，4 KiB页则为128字节。MLC和TLC芯片的OOB区域按比例更大，以适应更复杂的ECC。

生产过程中，制造商会测试所有块，并通过在块中每页的OOB区域设置标志来标记失败的块。新芯片有多达2%的块被标记为坏块并不罕见。此外，在达到擦除周期限制之