domen_pan的博客

原创 肖特基二极管惹的祸

电压检测电路，测试室温25℃下电压为1.5V左右，高温70℃检测电压提高到了2V左右，异常。排查：怀疑是肖特基二极管高温线漏电流变大导致，所以去掉二极管D5，问题解决，高温70℃电压测试正常1.5V。通过仿真的温度扫描也可以看到，随着温度增加，肖特基的漏电流增大，被测电压上升。不要忽视肖特基的漏电流，尤其是一些低功耗，低电压电流测量的场合。下图为两者的漏电流对比，可以看到1N4148的漏电流必RB160漏电流小的非常多。排查1：按键有没有焊反？使用低漏电流的二极管做防护，例如BAT54或者BAV199等。

原创 仿真器无法正常调试 - 复位芯片背的锅

复位信号

原创 为什么电路板GND与外壳GND之间接一个电阻一个电容？

安全防护：电阻限制漏电流（如AC市电设备的漏电流），防止触电风险，满足安规标准（如IEC 60950要求漏电流<0.1mA），如果外面有静电，高压之类的，也能有效降低电流，不会对电路内的芯片造成损坏。阻断地环路电流：若PCB GND与外壳直接短接，不同接地点间的电位差会形成地环路电流（如50Hz工频干扰），电阻（通常1MΩ~10MΩ）可阻断低频环路，避免共模噪声。外壳是金属的，中间是一个螺丝孔，也就是跟大地连接起来了。这里通过一个1M的电阻跟一个1nF的电容并联，跟电路板的地连接在一起，这样有什么好处呢？

原创 三极管驱动电路的原理详解

同理，当GPIO2使用低电平开启PNP BJT Q2后，其基极电压将被抬升到VCC减去“基极-射极二极管压降”（若VCC=3.3V，GPIO=0V，二极管压降为0.7V，Q2开启后，基极将被抬升到3.3V-0.7V=2.6V）；同理，假如没有R3，PNP三极管Q2在GPIO2 = 0V的情况下导通后，在VCC = 1.8V或3.3V的情况下，基极会被抬高1.8V - 0.7V = 1.1V或3.3V - 0.7V = 2.6V，这些电压又将加载到何处呢？而导通的时候，要保证器件工作在饱和区。

原创 Type-C规范重点小记，让你两分钟熟悉Type-C接口使用

一个全功能的Type-C接口包含如下功能：USB3.0及以上的超高速信号接口、USB2.0高速接口、CC logic接口、Alt mode中常用作音视频功能的SBU信号接口，如下图为典型的逻辑框图，目前高端一点的平台，已经全部集成了如下接口功能。①DFP：下行端口，可以理解为一个Host，DFP作为source给VBUS和vcon供电的，简单理解为一个提供电源的设备，如：电源适配器。在Type-C规范中，对Rp/Rd/Ra的阻值是有一定要求的，用来配置不同的电流和功能。04 CC接口状态（Ra/Rd）

原创 DDR颗粒辨识以及eMMC容量识别

三星目前个人已知的颗粒（有些颗粒我都没有见到实物）： A-DIE（16Gb、32Gb）、B-DIE（8Gb、16Gb）、C-DIE（8Gb）、D-DIE（4Gb、8Gb）、E-DIE（4Gb）、F-DIE（4Gb）、M-DIE(16Gb)、S-DIE（4Gb、8Gb）、T-DIE（4Gb） 三星也有ett颗粒，不过少见。第二行：“NT5AD1024M8A3-GZ”重要信息1024M8代表8Gb 8Bit颗粒，A代表A-DIE，GZ代表2400 C17。力晶几乎没有原厂颗粒，所以常见的力晶颗粒是ett颗粒。

原创 模拟地数字地连接方式对比

D/A与A/D

原创 硬件工程师常用電路解說

DC-DC：在开关过程中会有一定的能量损耗，但由于其采用了电感等储能元件，能够在不同的输入输出电压条件下实现较高的能量转换效率，尤其是在大电流负载情况下，效率优势更为明显，一般可达80%-95%左右。LDO：输出电压纹波非常小，通常在几十微伏到几百微伏之间，这是因为它是通过线性调整来实现稳压的，不存在开关动作带来的纹波问题，因此特别适合对电源纯净度要求较高的电路。DC-DC：具有较宽的输入电压范围，一般可以从几伏到几十伏不等，同时也能够实现较大范围的输出电压调节，适用于各种不同的电源系统。

原创 学MOS管，原来如此简单2

MOS管

原创 开关电源辐射老是超？教你一个好方法搞定它

开关电源辐射解决办法

原创 开关电源调试思维导图

DCDC

原创 过零检测电路，你知道几种方案？

如图1中，我们重点看红色小圈，这个时刻就是220V从正值转为负值时的临界值，也就是0V，这个应该很容易理解，那过零检测电路其实就是采集这个0V的临界时刻，那系统知道这个时刻到底有什么作用呢？（1）功率控制，在一些需要使用到晶闸管来控制强电设备的项目中，那这个过零检测电路就非常重要了，系统通过采集这个“过零点”来控制晶闸管的导通角，实现功率的精确控制。（2）对继电器的触点起到保护，当继电器带的负载电流很大的时候，如果强行断开，继电器的触点间很容易出现拉弧现象，损伤继电器，对继电器的寿命影响是非常大的。

原创 关于RS485自动收发那些天坑

我不是电子工程师，无法判断两者电路的好坏，但我感觉默认不导通更好，功耗更低，另外即使引脚未配置（刚上电，肯定没那么快配置），那么也不会影响到总线上的其它节点通信，这个涉及到各个 485 节点上电时序问题。总之一句话，电路需要默认处于接收状态，保证不会干扰总线通信，否则只要其中一个节点默认状态不是接收，那么无法通信（因此，如果无法通信，不如查一查是否有节点状态不对，而不是首先怀疑芯片烧掉了）。为了使用 485 的功能，不管 MCU 是否支持，都需要使能 485 模式，只是可能参数上需要进行调整。

原创 LC和RC滤波电路分析

如果把伴有许多干扰信号的直流电通过LC滤波电路（如图），那么，交流干扰信号大部分将被电感阻止吸收变成磁感和热能，剩下的大部分被电容旁路到地，这就可以抑制干扰信号的作用，在输出端就获得比较纯净的直流电流。整流电路的输出电压并不是纯粹的直流，从示波器观察整流电路的输出，与直流相差很大，波形中含有较大的脉动成分，称为纹波。而RC滤波器电路简单，抗干扰性强，有较好的低频性能，并且选用标准的阻容元件易得，所以在工程测试的领域中最经常用到的滤波器是RC滤波器。因此电感线圈有通低频，阻高频的作用，这就是电感的滤波原理。

原创 【无标题】

它采用了沿独立的导线传输时钟与数据信号的设计，通过将数据和时钟信号分离，避免了因时差诱发的失真，为用户节省了购买抵抗音频抖动的专业设备的费用。根据data相对于LRCK海人SCLK位置的不同，分为I2S标准格式（飞利浦规定的格式），左对齐（较少使用）和右对齐（日本格式，普通格式），发送和接收端必须使用相同的数据格式。1、串行始终SCLK，也叫位始终（BCLK），对应数字音频的每一位数据，SCLK都有一个脉冲。④，i2s数据长度，包括16位，16位扩展（16位数据以32位包发送），24位，32位。

原创 研发干货丨关于RK3399 开发板休眠、关机功能简析

二是调用电源管理驱动对应的接口，完成电源配置，RK3399 主板进行关机。OK3399-C平台采用RK3399 主CPU芯片设计，支持底板Power按键休眠唤醒以及关机功能，Linux命令行也可以通过命令进行关机，下面对这两种方式进行简单的解析。先来看power按键在PMIC侧的响应机制，POWER键按下以后，经过TdbPWRONF时间以后，INT引脚变为低电平，触发中断。通过代码可知，Power按键触发的休眠和关机会执行sys_sync函数，进行系统数据的保存，这与突然掉电导致的异常关机是有很大区别的。

原创 为什么都喜欢用串口通讯？那为什么还用RS485,SPI和I2C？

那如果在通信双方之间加一个clock时钟信号，不给通信双方约定相同的速度，我们只需根据时钟信号的上升沿进行发送接收数据，大大提高了通信速率，于是产生了SPI通信，它可以轻松突破10M。之前在做单片机产品的时候，用的最多的就是串口通讯，凡是单片机的外设，优先选用带串口功能的，比如蓝牙模块，WIFI模块，4G模块，电表和显示屏等等。所以串口的速度是非常的慢，之所以这么慢是因为早期的单片机频率比较低，时钟精度也不高，所以通信双方的波特率不能做到完全一致，速率太快就会通信异常。点击图片可详看串口介绍。

原创 辐射类案例分析

首先，由于DCDC电源是近似方波，除非该DCDC本身方波的上升沿时间可以改变，否则，其谐波能量很高，高次谐波的频谱也更加广，这样才能形成完整的包络，其次，对于时钟信号，通常我们会串联一个电阻，或者为了满足EMC性能，刻意的在满足信号完整性的前提下，降低其上升时间，所以其形成的高次谐波频谱没有方波丰富。但是对于辐射类实验，可能就有不一样的效果。对于DCDC电源，我们现在的电源是Buck电路，对于其三个环路，如图9所示，环路1 的电流是不连续的，其环路包含丰富的高次谐波分量，根据差模干扰的公式，s。

原创 电路干货！运放的8种基本应用电路

比较器有许多用途，但最常见的是将输入电压与参考电压进行比较，如果输入电压高于参考电压，则切换输出。减法器也称为差分放大器，它使用反相和同相输入来产生输出信号，该信号是两个输入电压V1和V2之差，从而允许一个信号与另一个信号相减。如果两个电阻相等，则反相器不会放大，但会反相输入信号。同相放大器不会对输入信号进行反相或产生反相信号，而是以（RA+ RB）/RB或通常为1+（RA/RB）的比率进行放大。如果两个运放增益A1和A2的大小彼此相等，则输出信号将加倍，因为它实际上是两个单独的放大器增益的组合。

原创 一个用稳压二极与MOS管构成的过压保护电路

1.当输入端是5V左右的电压的时候（VDD-IN=5V），稳压二极管D1没有被反向击穿，Q1三极管处于截止状态。PMOS管导通，所以D极输出的就是5V电压。2.假设输入端输入的电压大于5V很多，比如12V或者24V，此时稳压二极管D1处于反向击穿区，Q1三极管导通，PMOS管截止。原文链接：https://blog.csdn.net/foleon/article/details/130013424。如图，利用稳压管和PMOS管组成一个保护电路，起过压保护和防反接的的作用。所以具有防反接功能。

原创 硬件基础：带缓启动MOS管电源开关电路

1、控制电源开关的输入信号 Control 为低电平或高阻时，三极管Q2的基极被拉低到地，为低电平，Q2不导通，进而MOS管Q1的Vgs = 0，MOS管Q1不导通，+5V_OUT 无输出。此时将 Control 设为低电平，三极管Q2关闭，电容C1与G极相连端通过电阻R2放电，电压逐渐上升到5V，起到软关闭的效果。比如在电源电压是5V，负载是个大容量电容的时候，电源瞬间开启令电压瞬间上升达到5V，电容充电电流会非常大。从公式可以看出，当电容容量越大，电压越高，时间越短，电流就会越大，从而形成浪涌电流。

原创 PCM和I2S区别

帧同步时钟的频率总是等于音频的采样率，比如44.1 kHz，48 kHz等。从系统上讲，cpu的dsp出来的都是pcm信号，我称PCM_father，送到DAC可从speaker等放出，至PCM接口出来PCM_son1,至I2S接口出来PCM_son2，然后送至外部codec或其他外设，通话DAC I2S DAC分别对应。采样频率与声音频率之间有一定的关系，根据奈奎斯特理论，只有采样频率高于声音信号最高频率的两倍时，才能把数字信号表示的声音还原成为原来的声音，是衡量声卡采集、记录和还原声音文件的质量标准。

原创 mos管缓启动电路的工作原理2

原创 PMOS管缓启动电路分析1

上图是典型的PMOS缓启动电路，三极管的控制端可以接MCU，进行程控，通过调节R5,C2,R3,C1的大小调节开启和关闭的速度，下面是该电路的仿真，可以看到上升和下降时间基本相同。上图中的控制端口可以接MCU的一个引脚，实现上下电控制，通过更改R3和C1的大小控制开通的速度，仿真波形如下，开启时间完全可以通过软件进行仿真得到。也可以将按键放到和R3串联的位置，根据按键的特点和系统情况选择，上图中按键按下后电路关闭，可以通过设置R3,R5,C1的大小，调节开启和关闭的速度。下图是按键版本的启动电路，

原创 真实案例分享：MOS管电源开关电路，遇到上电冲击电流超标

我粗略扫了一下规格书，Vds，Id，Vgs(th)这些主要参数没太大区别，反正现有的应用远没达到器件的极限，所以直接替换是没啥问题的。可我还是不服气，这个电路以前也用过，也详细测过不可能出现这么大的脉冲电流，虽然新项目在MOS管后面增加了一些电容，但电容总容量实际没增加太多，即使上电瞬间充电也不太可能产生这么大电流才对，一定是什么地方出错了。我：不可能，这电路用了很久了，一直都没出过问题，新项目虽然功耗增加了一些，但不可能有那么大脉冲电流，因为板上的大电容总容量又没增加多少，你是不是测错了？

原创 产品可靠性设计-静电放电ESD的测试与整改-2

当产品没有问题时，可以以500V的步进增加ESD模拟器的电压直到规定的限值。假如存在独立的外壳平面，或者如果外壳平面的某一区域专门用作地平面，将是一个好的参考点。（2）在任何可疑的输入或输出端口处设计简单的低通RC滤波器，串联电阻的典型值为47～100Ω，与信号或电源返回路径之间的典型电容值为1～10nF。（1）通常检查电缆的屏蔽层与外壳或壳体是否搭接良好，理想情况下，它应与壳体的屏蔽层进行3600的搭接。注意：PCB的设计地走线，地回路，接地点的位置设计也是解决抗扰度ESD设计最关键的设计方法与思路。

原创 产品可靠性设计-静电放电ESD的测试与整改-3

产品可靠性设计-静电放电ESD的测试与整改-3ESD静电放电的故障诊断与整改1.典型的解决方法很多方法都能阻止ESD电流脉冲或让电流脉冲通过产品安全地返回系统将其转移到大地。串联设计，比如铁氧体磁珠、共模扼流圈和小阻值的串联电阻器。可用于阻止或减小电流脉冲。并联设计，比如电容器件、反偏的二极管、火花隙或气体放电装置，当跨接在数据线上时，可将大部分的ESD电流转移至外壳平面或安全地。对于外壳平面，并不需要其是一个完整的平面，也不需要其位于底层或中间层上。使用外壳平面最有效的方法之一是，在所考虑的

原创 产品辐射发射的故障诊断与整改技术（一）

较低频率的发射通常都是由电缆产生的，他们的物理长度使得其能成为好的天线，天线越大，他们的发射更为有效。电缆通常为设备的最长部分，从而为最低频的发射源。这两本书都是以实用为目的，将复杂的理论简单化，化繁为简、化简为易，从而简化了冗长的理论，可以作为在企业从事电子产品开发的相关人员进行EMC设计的参考资料。频率越高，辐射能量的更可能是设备的壳体，或者当设备没有壳体或为开放式的框架时辐射能量最可能的是产品中的电路板。通常的情况下，测试不合格的原因是因为连接线电缆的辐射或壳体上的缝隙或孔缝产生的泄漏。

原创 产品可靠性设计-浪涌防护设计中TVS选型与计算

TVS的钳位电压将随着电流的增加而增加，能比额定的反向峰值电压高25%。对于15KP48A的TVS管15KW的含义是：最大峰值电流194.3A与其对应的最大钳位电压77.7V的乘积为 15KW. 亦即知道某些参数，其它参数是可以通过计算得到。标准为：RTCA DO-160F中的雷电感应的瞬态敏感测试：测试电压300V，仪器内阻为1Ω，测试波形为69us/250us。在实际应用中，很少有在交流电网中使用TVS进行浪涌设计的，这只是一个说明器件的参考选择方法，请电子工程师们一定要注意应用场合。

原创 产品可靠性设计-浪涌和雷电脉冲波的瞬态抑制

雷电是由雷云放电引起的，关于雷云的聚集和带电至今还没有令人满意的解释，目前比较普遍的看法是：热气流上升时冷凝产生冰晶，气流中的冰晶碰撞后分裂导致较轻的部分带负电荷并被风吹走形成大块的雷云；如果脉冲被放置在电源和孤立的外壳之间，那么脉冲想要直接走从电源到外壳的返回路径将是不大可能的。随着雷云的发展和运动，雷云中积聚了大量的电荷，一旦空间电场强度超过大气游离放电的临界电场强度（大气中约为30kV/cm,有水滴存在时约为10kV/cm）时，就会发生不同极性的雷云之间、或雷云对大地的火花放电。V-峰值电压（V）;

原创 PCB设计十大黄金准则

在双层板设计中，在为电源留下足够空间的情况下，应该将留下的部分用参考地填充，且增加一些必要的过孔，将双面信号有效连接起来，对一些关键信号尽量采用地线隔离，对一些频率较高的设计，需特别考虑其地平面信号回路问题，建议采用多层板为宜。7.避免不同电源层重叠不同电源层在空间上要避免重叠，主要是为了减少不同电源之间的干扰，特别是一些电压相差很大的电源之间，电源平面的重叠问题一定要设法避免，难以避免时可考虑中间隔地层。① 小于 10 个输出的小规模集成电路，f≤50MHz时，至少配接一个100nf的滤波电容。

原创 emc防护原理

声明：本内容为作者独立观点，不代表电子星球立场。授权事宜与稿件投诉，请联系：[email protected]。觉得内容不错的朋友，别忘了一键三连哦！

原创 ESD放电路径分析

当金属外壳接地情况下，大部分外部干扰信号将会通过外壳，外壳到接地点，再由接地点回到干扰信号的地，实现干扰信号的回流，这点不仅仅适用于​ESD，对于其他的RI类干扰，也同样适合。发现内部金属板跟外壳的搭接处存在较多的缝隙点，该缝隙点对于频率较高的信号能够实现较为理想的回流，但是对于频率没有那么高的信号，则较难以实现回流，我们尝试将这些缝隙用铜箔包裹住，充分降低该金属板跟外壳的接触阻抗​。我们分析，路径3其实是不期望的路径，我们最期望的路径是1，或者2的内部金属部件跟外壳良好接触情况下的路径。

原创 电磁波的信号加载说明

通过对流及其独特的通路特性进行编程，接收器可以对每个流进行识别和解调，并将其重编成原始的流。数字压缩的技术：要发送的数字数据易受用来大幅减少信息量的压缩算法的影响。比如，数字手机和互联网协议语言（VoIP）电话的语言信号就是经过压缩的。MP3或AAC文件的音乐经过压缩后可以获得更快的传输速度，并且所需的存储空间也更小。视频经过压缩后，高分辨率的图像可以更快地传输或者在带宽有限的系统中传输。额外的编码比特会增加信号的开销，从而降低数据的净比特率，不过这往往是CNR的一位数dB改进的一个可以接受的折衷因素。

原创 TVS 管选型与 ESD 防护设计

结合上图中的TVS工作特性曲线，当管子两端的反向电压大于VRWM后，管子开始反向导通，当反向电压大于VBR后，管子开始被反向击穿，此时电流开始突变，最终当反向电压大于VC后，管子处于雪崩击穿状态，此时流过管子的电流急剧增加，而管子两端的电压值变化不大。静电防护设计是让电路板外接的各类金属按钮开关在接触到外界空气放电或接触放电时，在这种瞬间出现的大能量注入到电路板后，能够通过某种设计好的通道泄放到大地中，从而保护后端电路免受静电的影响。

原创 ESD和TVS管的区别

ESD的保护电压在2KV～15KV（接触放电：8KV，空气放电：15KV），结电容低，可以达到1pF以下，因此可以用在高速信号传输线上，像USB、HDMI等；TVS具有很快的响应能力和强大的浪涌吸收能力，主要用在电源的输入端起到保护作用，由于TVS的结电容会大一些，因此不适合用在高速通信的接口上。TVS：瞬态抑制二极管，具有很快的响应能力和强大的浪涌吸收能力，主要用在电源输入端用来吸收浪涌。ESD：需要三个引脚（1个GPIO、1个电源+、1个电源-）ESD和TVS的区别主要在功率、应用场合和封装。

原创 EMC(1)——外设接口ESD防护电路设计

大错特错，这里的没有电流指的是没有差模电流了，但是EMC里面重点关注的是共模，接不接线缆都不妨碍成为共模电流的路径，所以我们的接口防护设计中，一定要做好全面防护，只要是接口就要防护，切记！另外对于复位电路，在进行ESD 测试时，如果静电屏蔽不能做得很好，静电能量串入到电路里面去，电源线上就会感应到静电，复位电路的电源如果没有做滤波隔离措施，静电能量就会引起芯片复位，电容对交流信号是直通的，ESD 能量是很强的交流脉冲，故一定要做好电源和地的隔离，这是测试过程中经常出现的问题。

原创 EMC整改案案例解析及分析（静电&辐射发射&快速脉冲群）

对于台式带接地的设备，进行发射发射整改时候，也需要注意液晶接地和液晶排线的处理，设备内部接地保证低阻抗，对特殊对外的端口，如网口和usb需在PCB设计中做处理，一般情况下外部通讯地和内部电路板的地式隔离的，通过电容或者电阻进行单点连接，如下，两个隔离地通过隔离变压器处的电容或者电阻进行连接，根据实际情况，一般就放电容即可。液晶上的始终信号和其他通讯信号，在高频情况下，通过液晶排线和连接器，由于液晶排线和连接器上的等效电感和回路阻抗较大，对原有的信号造成干扰，高频信号极易容易产生谐波分量。

原创 Android系统启动过程-uBoot+Kernel+Android

本文是参考大量网上资源在结合自己查看源代码总结出来的，让自己同时也让大家加深对Android系统启动过程有一个更加深入的了解！再次强调，本文的大多数功劳应归功于那些原创者们，同时一些必要的参考链接我会一一附上。注：由于本人采用Exynos4412开发板学习，所以本文大部分资料都是基于此处理器的简介：对于整个Android系统的启动总的来说分为三个阶段：BootLoader引导即uBoot.binlinux内核启动即zImageAndroid系统启动即ramdisk.img与system.img。

原创 I2C、SPI、UART、RGB、LVDS，MIPI，EDP和DP等显示屏接口简要总结

MIPI (Mobile Industry Processor Interface) 是2003年由ARM, Nokia, ST ,TI等公司成立的一个联盟，目的是把手机内部的接口如摄像头、显示屏接口、射频/基带接口等标准化，从而减少手机设计的复杂程度和增加设计灵活性。太快，LCD反应不过来，显示不了，太慢也不合适，这个范围可以根据你的刷新率需求和lcd 的规格书（一般会有一个最少响应周期）来确定。SPI没有官方化，速率不统一，根据器件不同传输速率不一，有几M，十几M的，也有几十M的，比I2C速度快。