电子绿洲的博客

其中，芯片设计中的轨到轨输出（Rail-to-Rail Output） 是指通过特定的电路设计，使芯片（如运算放大器、驱动电路等）的输出电压能够达到或接近电源电压的上下极限（即“电源轨”），从而最大化信号的动态范围。最终，Vout=R2/R1*(Vin2−Vin1)，即输出电压为输入电压差(Vin2−Vin1)乘以电阻比R2/R1。2、电阻：R1、R2、R3、R4是电路中的电阻，其中R1 = R3，R2 = R4。因R1=R3，R2=R4，且Vn=Vp，设R1=R3=R，R2=R4=kR。

不过，如果锂聚合物电池内部出现短路等严重问题，仍然可能引发安全事故，但相对锂离子电池而言，其安全性更高一些。由于锂离子电池的尺寸和形状是有相应的标准，比如18650（直径18mm，长度75mm）等，而锂聚合物电池的形状是定制的，因此对空间的利用率更高。锂离子电池：生产工艺很成熟，类似于标准件，生产效率也就很高，且市场使用量很大，整体成本就比较低，1节18650 2000mA电池的成本大概3RMB。相对来说，锂离子电池的形状和尺寸是有标准的，比如18650，26650，32650等尺寸。

MIPI是什么？MIPI：mobile industry processor interface移动行业处理器接口。它是一个由Intel、Motorola、Nokia、NXP、Samsung、ST（意法半导体）和TI（德州仪器）等公司发起的开放标准和规范，旨在解决移动应用处理器的高清图像传输高带宽需求与传统接口低速率之间的矛盾，提供统一的行业标准，缩短产品开发周期，增强不同厂商产品兼容性。其核心特性包括：低功耗、高带宽、抗干扰性、模块化架构。

如果过充电检测电压和过充电释放电压是同一个电压阈值的话，由于电池内阻和负载电流变化，VDD电压就会有波动的，过充电检测就有可能振荡，反复开关M2 MOS管。VDD电压大于VOCD（4.3V电压）时，第3脚OC输出低电平，M2 MOS管关闭，电池充不了电（但M1管子是导通的，利用M2的体二极管，电池还是可以放电的，即放电路径是通的）。VDD电压小于VODL时，第1脚OD输出低电平，M1 MOS管关闭，电池放不了电（但M2 MOS管是导通的，利用M１的体二极管，电池还是可以充电的，即充电路径是通的）。

并联肖特基二极管的目的，就是提高电流承载能力，即将电流分担给每个二极管，从而提高电路的电流处理能力，避免单个二极管过载，提高系统的稳定性和可靠性。由于N型半导体中的自由电子浓度远高于金属中的自由电子浓度，电子会从浓度高的半导体向浓度低的金属扩散，形成肖特基势垒，从而具有整流特性。比如SS24管子，电流是2A，压降0.3V的话，管子上的功耗就达到0.6W，损耗功率很大，SS24管子就会发热严重，可能导致损坏。主要是肖特基二极管的压降低，使得电压减的值小些，同样流过的电流，功耗损耗也低些。

RK3588S总共有2个MIPI D/C-PHY CSI_RX接口，1个MIPI DPHY CSI_RX接口。RK3588S2则修改成1个MIPI D/C-PHY CSI_RX接口，2个MIPI DPHY CSI_RX接口。即RK3588S2是将RK3588S其中一组MIPI D/C-PHY CSI_RX接口替换成MIPI DPHY CSI_RX接口。

主要有2个原因：A、电场耦合：由于2.8V和1.2V电源的布线距离较近，存在一些寄生电容，干扰就可能通过电场耦合到2.8V上。B、公共阻抗耦合：2.8V和1.2V是共用地的，干扰就可能通过公共阻抗耦合到2.8V上。4、sensor layout时，模拟电压2.8V是最重要的，要与其他电源隔开。易干扰的数字信号，不要与2.8V平行走线。

1、TVS管或二极管的反向漏电流Irwm正常都是uA级别的，可查看相应的规格书。2、出现漏电流是mA级别的，就是该TVS管异常了。3、低压的TVS管是属于齐纳击穿，规格书中的测试Ibr电流会比较大，属于mA级别的，比如10mA。4、高压的TVS管书雪崩击穿，规格书中的测试Ibr电流用1mA的。5、带电池的电子产品，在生产时，需要考虑一些器件的漏电流，尤其是用在防护的器件上，也就是要测试电流大小，来判断是否贴片或器件有问题。6、如下图是TVS管规格书的一些基本参数。

A、电容在自谐振频率时，阻抗是最低的，起到滤除对应高频的作用。B、在高频滤除时，选择电容时要考虑电容的封装大小，不同封装大小，自谐振频率差别较大。C、电容可以有效解决静电测试的问题，是最经典、最高效、最经济的方案。D、电容的自谐振频率可以采用其公式进行估算，如上文所说。E、电解电容ESR比较大，要同步并联MLCC电容，减少ESR，即减小纹波。F、在低温时，尤其要注意电解电容的ESR会变得很大，更要并联ESR，减小纹波。

1、在选择MLCC电容器时，应根据应用需求考虑其直流偏压特性，特别是在对电容值有定量要求的电路中。2、这种容值下降的现象在设计电路时需要特别注意，尤其是在对电容精度要求较高的应用中。工程师通常会选择额定电压更高的MLCC，以减少这种效应的影响，并确保电路性能的稳定性。3、信号线上的小电容使用C0G和NP0，电源去耦电容可采用X7R和X5R，尽量少用Y5V。

回流焊适用于表面贴装元件（SMT），把锡膏刮在钢网上，通过贴片机的飞达放置物料，再加热使锡膏熔化实现SMT元件与焊盘的连接。（回流焊之所以被称为“回流”焊，是因为在焊接过程中焊膏经历了熔化、流动和再固化的过程，特别是液态锡在焊盘和元件引脚之间的回流现象。）

设计的 PCB 板要符合生产厂家的制造工艺能力，如最小线宽、线距、过孔大小等；元件布局要便于贴片和插件操作，避免元件过于密集或难以操作的位置；焊盘设计要满足焊接要求，减少焊接缺陷；考虑PCB板的尺寸大小、厚度、形状，使其在过炉后不易出现板子变形，便于生产加工和后续的组装。

将发热量大的元件放置在通风良好的位置，如靠近散热孔或风扇；使用大面积的铜箔作为散热层，增加散热面积；对于功率较大的元件，可安装散热器，并确保元件与散热器之间有良好的热传导，如涂抹导热硅脂或采用导热硅胶（衡量指标是导热系数，单位为 W/m·K）；SOC底部的地要大面积连通，并且连接到外部的地，这样散热更快；大面积的铜箔也可以露铜上锡，增加散热面积；将发热量大的模块与对热量要求敏感的模块直接挖空隔离热传导。

答：PCB  Layout（Printed Circuit Board Layout），即印刷电路板布局，是将原理图上的元件合理布局在PCB板材上，并走好线，及要符合生产制造工艺。市场上的通用板材是FR-4(有两个参数：Dk介电常数、Df介电损耗)，能满足大部分电子产品的设计要求。

负载调整率(Load regulation)与负载瞬态响应(Load transient)是两个不同的概念。负载瞬态响应(Load transient)是在输入电压不变的情况下，负载电流瞬间变化时，导致输出电压的瞬间变化。在LDO电路设计时，会在输出比例电阻端加Cff电容（Cff前馈电容，Feed Forward Capacitor），用以改善负载瞬态响应、噪声、PSRR参数。

2.1、Reference Sensitivity Level （接收灵敏度）接收灵敏度指标，就是测试UE（用户设备）在低信号强度下的接收性能。2.2、Maximum Input Level （最大输入信号强度）最大输入信号强度指标，就是测试UE（用户设备）在高信号强度下的接收性能。

中国移动：主要使用2.6GHz（n41）和4.9GHz（n79）频段进行5G部署，同时在4G网络中广泛使用Band 39、Band 40和Band 41频段。Band34和Band38也是中国移动TD-LTE的一个频段，但随着技术发展，Band34和Band38已不是中国移动的主要频段，已逐渐退网。

由上面例子计算值可知，温度和纹波电流对电解电容寿命的影响都很大。在设计过程中，要考虑电解电容的工作温度（远离热源），还要考虑电路上电解电容的纹波电流。

HDMI TMDS模式（Transition Minimized Differential Signaling）是最小化传输差分信号技术，差分信号上拉电压为3.3V，端口（Sink端）阻抗为50欧姆，单端信号为400~600mV，标称为500mV，差分信号的逻辑摆幅在800-1200mV之间，偏置电压是由Sink端提供的，直流偏置电压为2.8V。即source端（源端，HDMI输出端）产生current source 10mA，sink端3.3V 50欧姆上拉。

步进电机（stepping motor）是一种将电脉冲信号转换成相应角位移的电动机。每输入一个脉冲信号，转子就转动一个角度（步进电机的步距角），其转动的角位移与输入的脉冲数量成正比，转速与脉冲频率成正比。因此，步进电动机又称脉冲电动机。

数字示波器是一个”前端数据采集+后端数据处理“的典型系统。但是，由于前端数据采集和后端数据处理是串行关系，且前端数据采集的速度远大于后端数据处理的速度（前端数据采集的ADC性能有很大的发展，每秒可达数亿次，且可以多个ADC并行采样。后端数据处理涉及SOC性能，存储深度，显示等，也考虑实际测试使用和成本。因此，前端数据采集的速度大于后端数据处理的速度），也就会形成所谓的“死区”时间。

在电子电路设计中，恒流源是一种非常重要的电路，它可以为负载提供稳定的电流，不受负载阻值变化的影响。本文将详细解析由两个三极管构成的恒流源电路，探讨其工作原理、设计要点以及应用场景。

MLCC（Multilayer Ceramic Capacitor，多层陶瓷电容器）在施加直流电压时，其电容值会发生变化，这一现象，被称为直流偏压特性（DC Bias Effect）。

当 VIN(+) > VIN(-)，输出高电平；VIN(+) < VIN(-)，则输出低电平，这就是单限比较器的功能。但当两个输入端信号极为接近时，由于输入电压的毛刺或者电压波动，就会导致输出产生高低电平连续跳变。滞回比较器可以很好解决这个问题，具有很强的抗干扰能力。

伏秒法则（Volt-Second Balance Principle），一个开关周期内电感器两端的电压与时间的乘积（即伏秒值），在导通和关断期间的总和必须相等，以保持电感电流的连续性。这个法则特别适用于Buck、Boost、Buck-Boost等开关稳压器的设计。即任何开关电源的拓扑上，电感达到稳定状态的必要条件是△Ion=△Ioff=△I。

1、硅二极管是负温度系数，即温度越高，导通压降越低。在使用双二极管并联分流时，不能使用负温度系数的二极管。2、碳化硅二极管是正温度系数。

SOC芯片的核电压、GPU电压、NPU电压、GPU电压等，都会根据性能和实际应用场景来进行电压和频率的调整。即动态电压频率调整DVFS（Dynamic Voltage and Frequency scaling），优化性能和功耗。

RTC是Real-Time Clock（实时时钟）的缩写，通常在电子产品中，是用时钟电路（外部采用时钟芯片，比如AiP8563）或时钟模块(SOC内部包含了时钟模块，只需要外接32.768KHz晶振)来实现的。在板子系统上的所有电源都关闭的情况下，RTC电路模块也能继续运行，有外加电池供电（通常采用CR2023尺寸大小的电池，比如锂锰电池）。

在PCB设计领域，有几个关键原则对于确保电路板的性能和可靠性至关重要。这些原则包括3W原则、20H原则和五五原则。本文将详细解释这些原则的含义及其在PCB设计中的应用。

CPU重新加焊后机顶盒能够正常运行的原因可能涉及到硬件连接和焊接质量的问题。以下是一些可能导致这种情况的原因：

Amlogic S928X处理器采用的是12nm制程工艺。大核（Cortex-A76）：单个ARM Cortex-A76大核，这是ARM的高性能核心，主要负责处理复杂的计算任务和高负载的应用场景，如游戏、视频编解码等。小核（Cortex-A55）：四个ARM Cortex-A55小核，这些核心设计用于处理日常的、较低负载的任务，以提高能效和减少功耗。

I2C读地址：I2C设备的读地址是将设备地址左移1位后再加上1。这样，读地址的最低位为“1”，表示读操作。I2C设备的写地址 = I2C设备地址

在高速PCB设计中，过孔（Via）的阻抗计算对于确保信号完整性至关重要。过孔不仅作为导电连接，还承担着信号传输的重要角色。本文将详细介绍过孔阻抗的计算方法和设计注意事项。

电压驻波比（Voltage Standing Wave Ratio，简称VSWR），一般简称驻波比，是无线通信和射频工程中的一个重要参数，它用来衡量传输线上信号的反射情况。在电磁波的传播过程中，当传输线的阻抗发生变化时，就会有一部分电磁波反射回来。反射波和入射波叠加，就形成驻波。即，行驻波（Traveling Wave）是指在传输线上由于入射波和反射波的叠加而形成的一种波。

在《Universal Serial Bus 3.0 Specification,Revision 1.0》的标准中，规定在host的TX端要放置耦合电容（范围是75nF~200nF），在devices的TX端也放置耦合电容（范围是75nF~200nF），host和device的RX端都不需要放置电容。

多径效应（Multipath Effect）是无线通信领域中的一个术语，指的是电磁波在传播过程中，通过多种不同的路径到达接收端的现象。这些路径可能包括直射、反射、折射等多种方式。由于这些路径的长度和传播条件不同，各分量场到达接收端的时间不同，按各自相位相互叠加而造成干扰，使得原来的信号失真或者产生错误。

问题：反馈有台NVR的某个接口SATA不通（共有4个SATA接口，采用SATA HUB JMB575），挂载硬盘不上。

10M网口，即10Base-T，采用的是曼彻斯特编码方法 。在这种编码中，“0”由“+”跳变到“-”，而“1”由“-”跳变到“+” 。这种编码方式的特点是信号的DC平衡，即信号在任何一段时间内的平均电压为零，这有助于减少信号传输中的直流分量，从而降低电磁干扰 。此外，曼彻斯特编码使得接收端能够从信号的跳变周期中恢复时钟，进而恢复出数据逻辑。

某消费电子产品在进行可靠性实验室，在低温-30°C存储两个小时后，上电不开机。在常温25°C时，开关机正常。

在电子测试和测量领域，示波器是工程师不可或缺的工具之一。它能够直观地显示电信号的波形，帮助工程师分析和解决各种电子问题。示波器的性能指标众多，其中存储深度是一个关键参数，它直接影响着示波器捕获信号的能力。本文将探讨示波器存储深度的概念、重要性以及它如何影响信号的捕获和分析。