PMOS缓上电电路

原创 已于 2024-10-24 09:39:58 修改 · 1.1k 阅读 · 8 ·
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#硬件工程 #1024程序员节

于 2024-10-23 15:07:10 首次发布
基于MOS缓启动电路笔记
qq_42682826的博客
12-04 3万+
缓启动电路用于防止降低冲击电流对电路的影响。常见的方法有：串接电感、串接电阻、串接NTC电阻等，分别如图1、2、3所示。串联电感时，由于电感隔交通直的特性，使得电流缓慢上升，从而实现缓启动，但在大功率场合，会导致，一方面电感因必须保证具有足够的通流量，所以体积很大，另一方面，增大了负载的感性负载大小，可能引起驱动源无法驱动。使用串接电阻时，在启动初期，使用串阻进行限流，容性负载电压已充电至安全阈值...
硬件基础：带缓启动MOS管电源开关电路
domen_pan的博客
03-19 1万+
1、控制电源开关的输入信号 Control 为低电平或高阻时，三极管Q2的基极被拉低到地，为低电平，Q2不导通，进而MOS管Q1的Vgs = 0，MOS管Q1不导通，+5V_OUT 无输出。此时将 Control 设为低电平，三极管Q2关闭，电容C1与G极相连端通过电阻R2放电，电压逐渐上升到5V，起到软关闭的效果。比如在电源电压是5V，负载是个大容量电容的时候，电源瞬间开启令电压瞬间上升达到5V，电容充电电流会非常大。从公式可以看出，当电容容量越大，电压越高，时间越短，电流就会越大，从而形成浪涌电流。
缓冲电路/延时上电电路
u014183377的专栏
07-21 8178
原文链接：https://blog.csdn.net/luohuatingyusheng/article/details/95387543 缓冲电路/延时上电电路 延时电路 延时电路一般用在对于上电时序有要求的电路以及负载开始（上电时）较大的电路而言。 负载重例如较大的电解电容。 针对于时序控制我们就叫做延时电路； 针对负载电流控制电路也可以叫缓冲电路。 如下所示： 上述电路分析： 1）当左端VCC上电时，由于C1通过R1充电（电容两端电压不能突变），导致R1两端电压为高电平，此时MOS管阈
嵌入式开发--电源缓启动和防反接
最新发布
深圳五月花--老李的森林
07-09 521
在做嵌入式开发时，经常会遇到客户将电源线接错的问题，所以对于定制开发的设备，常常需要设计电源防反接电路。
实例讲解MOS管电源开关电路的软启动
U_YAO的博客
05-13 1万+
1、控制电源开关的输入信号 Control 为低电平或高阻时，三极管Q2的基极被拉低到地，为低电平，Q2不导通，进而MOS管Q1的Vgs = 0，MOS管Q1不导通，+5V_OUT 无输出。此时将 Control 设为低电平，三极管Q2关闭，电容C1与G极相连端通过电阻R2放电，电压逐渐上升到5V，起到软关闭的效果。不过从作者的描述来看，只是电路参数有区别，能通过的电流、能承受的耐压等不一样，但是软启动的原理是一样的。从公式可以看出，当电容容量越大，电压越高，时间越短，电流就会越大，从而形成浪涌电流。
PMOS管缓启动电路分析1
domen_pan的博客
03-09 3493
上图是典型的PMOS缓启动电路，三极管的控制端可以接MCU，进行程控，通过调节R5,C2,R3,C1的大小调节开启和关闭的速度，下面是该电路的仿真，可以看到上升和下降时间基本相同。上图中的控制端口可以接MCU的一个引脚，实现上下电控制，通过更改R3和C1的大小控制开通的速度，仿真波形如下，开启时间完全可以通过软件进行仿真得到。也可以将按键放到和R3串联的位置，根据按键的特点和系统情况选择，上图中按键按下后电路关闭，可以通过设置R3,R5,C1的大小，调节开启和关闭的速度。下图是按键版本的启动电路，
分享一个PMOS的电路设计
VBsemi的博客
09-04 1931
当Q1关断时，由于电阻R没有电流流过，A点的电压等于Vin，也就是说Q2的栅极电压VG等于Vin，此时Q2的源极电压VS也等于Vin，Q2的G、S两端的电压等于0，Q2关断，此时的VOUT输出关断。R2的选值要根据MCU的IO电压、最大输出电流和开关管Q1的类型来选择，MOS管的限流电阻通常可以在几十Ω级别，三极管的限流电阻要根据MCU的IO电压/最大输出电流来计算，一般在ｋΩ级别。可以选择NMOS或者NPN三极管，根据MCU的IO电压来选择MOS管的开启电压要大于三极管的开启电压。
PMOS管缓启动栅极泄放电路
ONLYONEYIYI的博客
04-07 6228
PMOS管缓启动栅极泄放电路，实现PMOS管的快速关断
数字电路硬件设计系列（三）之缓启电路设计
医疗电子的博客
02-03 1万+
电路的主要组成部分包含了R1、R2、C1、Q1组成，通过简单元器件就可以使用缓启动功能。电源的输出是由PMOS的打开和关闭控制，缓启动的实质就是让PMOS管的打开的时间变得缓慢，此处我们采取的措施是在栅极和源极之间增加一个电容C1，是PMOS的导通时间变得缓慢。导通的时间于R1、R2、C1的参数是强相关的。
带看门狗的PMOS缓启电路
sophie34的博客
04-05 5912
文章目录问题背景方案设计方案验证经验总结 大家好，本人朱大昌，叫我大昌就好。 在硬件设计当中，大家可能经常会遇到电路启动过快、电流过大拉低源电压的问题，如何解决呢，今日就教你们一招！ 问题背景 大昌接手的某硬件产品，上电时大电流，直接拉黑供电设备，供电设备重启，波形如下： 黄色为供电5V，绿色为输出电流，如图可见瞬时大电流高达3.13A 方案设计 考虑到原方案带看门狗电路，大昌再用一个PMOS和NMOS顺利解决问题，方案如下： 利用看门狗TPL5010上电时 方案验证 经验总结 ...
使用PMOS管构建电源延时供电电路
suanxiucai1的博客
11-09 6019
PMOS延时关断或导通电路
电源的缓启动电路原理分析.pdf
04-04
电路知识分享，可以帮助相关人员加深了解电源的缓启动原理， mos管在电源的缓启动应用方面的基本原理，希望对于初学者有一定帮助!
电源技术中的电源缓启动原理
10-15
现在大多数电子系统都要支持热插拔功能，所谓热插拔，也就是在系统正常工作时，带电对系统的某个单元进行插拔操作，且不对系统产生任何影响。     热插拔对系统的影响主要有两方面：     其一，热插拔时，连接器的机械触点在接触瞬间会出现弹跳，引起电源振荡，如下图所示：     这个振荡过程会引起系统电源跌落，引起误码，或系统重启，也可能会引起连接器打火，引发火灾。     解决的办法就是延迟连接器的通电时间，在连接器抖动的那十几毫秒内((t1至t2)不给连接器通电，等插入稳定后(t2后)再通电，即防抖动延时。     其二，热插拔时，由于系统大容量储能电容的充
MULTISIM仿真具有光耦隔离的PMOS管驱动电路
05-23
具有光耦隔离的PMOS驱动电路， 这个电路加入了一个三极管Q2来辅助Cgs寄生电容的泄放电荷，可以大大缩短MOS的关断时间。其原理是当MOS要关断瞬间，Cgs寄生电容电压是电源电压，三极管的e极连接的是Cgs寄生电容的负极...
PMOS管典型电路
09-03
这种结构在数字逻辑电路中非常常见，因为它可以在高电平和低电平之间快速切换。 - **源极跟随图腾柱**：在此配置中，PMOS管的源极连接到负载，栅极则用于控制PMOS管的状态。这种方式通常用于噪声抑制和信号缓冲的...
PMOS开关电路
03-03
### PMOS开关电路详解 #### 一、PMOS开关电路概述 PMOS（P-Channel Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor）开关电路是一种利用PMOS晶体管作为开关元件的电路形式。PMOS晶体管作为一种重要的电子元...
NMOS和PMOS详解以及电路设计
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硬件之家，技术前行
04-25 12万+
一、简介 MOS管，是MOSFET的缩写。MOSFET金属-氧化物半导体场效应晶体管，简称金氧半场效晶体管（Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor, MOSFET）。 其中，G是栅极，S是源极，D是漏极。 二、常见的nmos和pmos的原理与区别 NMOS NMOS英文全称为N-Metal-Oxide-Semicond...
【电路参考】缓启动电路
wsq_666的博客
09-03 1万+
本文介绍了电源热插拔可能导致的危害，以及采用缓启动电路所带来的优点。
pmos电源缓启电路
01-22
当不加入充电电容(Cch)时，在上电初期阶段PMOS将会立即进入导通状态从而引起较大的浪涌电流；而一旦引入适当大小的Cch，则可以在一定程度上延缓这一过程的发生，使得整个系统能够平稳过渡到正常运行模式。具体来说：...
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