FLASH

FLASH简介

• STM32F1系列的FLASH包含程序存储器、系统存储器和选项字节三个部分，通过闪存存储器接口（外设）可以对程序存储器和选项字节进行擦除和编程
• 读写FLASH的用途：
  利用程序存储器的剩余空间来保存掉电不丢失的用户数据
  通过在程序中编程（IAP），实现程序的自我更新
• 在线编程（In-Circuit Programming – ICP）用于更新程序存储器的全部内容，它通过JTAG、SWD协议或系统加载程序（Bootloader）下载程序
• 在程序中编程（In-Application Programming – IAP）可以使用微控制器支持的任一种通信接口下载程序

闪存模块组织

FLASH解锁

• FPEC共有三个键值：
  RDPRT键 = 0x000000A5
  KEY1 = 0x45670123
  KEY2 = 0xCDEF89AB
• 解锁：
  复位后，FPEC被保护，不能写入FLASH_CR
  在FLASH_KEYR先写入KEY1，再写入KEY2，解锁
  错误的操作序列会在下次复位前锁死FPEC和FLASH_CR
• 加锁：
  设置FLASH_CR中的LOCK位锁住FPEC和FLASH_CR

程序存储器编程

选项字节

• RDP：写入RDPRT键（0x000000A5）后解除读保护
• USER：配置硬件看门狗和进入停机/待机模式是否产生复位
• Data0/1：用户可自定义使用
• WRP0/1/2/3：配置写保护，每一个位对应保护4个存储页（中容量）

选项字节编程

• 检查FLASH_SR的BSY位，以确认没有其他正在进行的编程操作
• 解锁FLASH_CR的OPTWRE位
• 设置FLASH_CR的OPTPG位为1
• 写入要编程的半字到指定的地址
• 等待BSY位变为0
• 读出写入的地址并验证数据

选项字节擦除

• 检查FLASH_SR的BSY位，以确认没有其他正在进行的闪存操作
• 解锁FLASH_CR的OPTWRE位
• 设置FLASH_CR的OPTER位为1
• 设置FLASH_CR的STRT位为1
• 等待BSY位变为0
• 读出被擦除的选择字节并做验证

器件电子签名

• 电子签名存放在闪存存储器模块的系统存储区域，包含的芯片识别信息在出厂时编写，不可更改，使用指针读指定地址下的存储器可获取电子签名

• 闪存容量寄存器：
  基地址：0x1FFF F7E0
  大小：16位

• 产品唯一身份标识寄存器：
  基地址： 0x1FFF F7E8
  大小：96位