第1课 SiC MOSFET与 Si IGBT 基本参数对比

### 关于 SiC MOSFET 和 Si IGBT 混并联电路中电流分配建模 在 SiC MOSFET 和 Si IGBT 混并联的应用场景中，由于两种器件的物理特性和动态行为存在显著差异，因此需要特别关注它们之间的电流分配特性。以下是关于该主题的一些分析和技术要点： #### 1. 动态不匹配的影响 SiC MOSFET 和 Si IGBT 的导通电阻和开关速度不同，在高频工作条件下可能导致较大的动态不平衡。这种不平衡会引发额外的热应力和电磁干扰 (EMI)，从而影响系统的稳定性和可靠性[^2]。 #### 2. 静态电流分布模型 静态条件下的电流分配主要由两者的正向压降决定。通常情况下，SiC MOSFET 的导通电阻较低，这意味着它会在稳态操作期间承担更多的负载电流。可以通过以下公式描述静态电流分配关系： \[ I_{\text{IGBT}} = \frac{(V - V_{f,\text{MOSFET}})}{R_{\text{total,IGBT}}} \] \[ I_{\text{MOSFET}} = \frac{(V - V_{f,\text{IGBT}})}{R_{\text{total,MOSFET}}} \] 其中 \( R_{\text{total}} \) 表示总等效串联电阻，\( V_f \) 是前向压降[^3]。 #### 3. 动态电流分布模型 为了考虑瞬态过程中的电流变化，需引入寄生参数（如栅极电容 Cgs、输出电容 Coff 等）。这些参数会影响开通/关断时间以及相应的电流转移速率。具体而言，SiC MOSFET 的快速开关能力可能引起更大的 di/dt 波动，进而加剧电流分配的复杂性[^1]。 #### 4. 温度依赖效应 温度升高会导致 Si IGBT 的导通电阻增加而使更多电流流向 SiC MOSFET；反之亦然。这一现象进一步增加了设计难度，因为实际工况往往涉及复杂的热管理策略来平衡两者间的温升差值。 #### 示例代码：基于 MATLAB/Simulink 的仿真框架 下面提供了一个简单的 MATLAB 脚本用于模拟上述情况下的电流分配行为： ```matlab function [i_igbt, i_mosfet] = current_distribution(v_supply, r_on_igbt, r_on_mosfet) % 输入变量定义 v_forward_drop_igbt = 2; % 假设值(V) v_forward_drop_mosfet = 0.5; % 假设值(V) % 计算各支路电流 i_igbt = (v_supply - v_forward_drop_mosfet) / (r_on_igbt + r_on_mosfet); i_mosfet = (v_supply - v_forward_drop_igbt) / (r_on_mosfet + r_on_igbt); end ``` 此函数可以根据给定电源电压及各自导通电阻计算出理论上的电流比例关系。 --- ###