DDR4笔记本内存
概述:8层板,8颗芯片正反贴,fly-by 拓扑结构走线(金手指-排阻-ddr颗粒-上拉排阻), VDD电源为黄色高亮;
内存信息: MT40L512M8HX DDR4_X8_FBGA78-Z80A_X8_HX,Z80AA 6*13=78pin
金手指:260SODIMMDDR4_260SODIMMDDR4-BAA 260pin 正反贴
层叠结构图: 其中 3、5、6层为布线层, 2、7 为GND,4为电源层 ; 总的来说此层叠结构比较好, L3层信号距离L2(gnd)较近,距离L4层(vcc)较远, L5和L6为相邻层,中间的填充介质厚一些,有利于降低串扰。
上图为L1-L2 , L1层常规扇孔,表层铺gnd, L2 主要是VDD,但是在金手指到排阻扇孔这段,需要严格控制不跨分割,L2层在金手指焊盘需要挖空(除电源焊盘),同样L7层一样处理(出于阻抗补偿考虑)。
上图为L2-L3, L3层 布地址控制命令时钟 等信号;
L4整层 VDD, L5层 同样布 地址控制命令时钟 等信号;
L6 层 布数据线,11根线一组,布了4组;
L7层 铺GND,中间割了一块VDD, 金手指 焊盘下方挖空
bottom 层 布了4组 数据线,其他区域铺 gnd;
顶底层的装配图;
小结:
信号线:保证 阻抗匹配(不跨分割)、控制串扰(同层信号:3W-5W, 相邻层:叠层选用厚一点的半固化片)、 时序(严格做好等长);
电源:滤波电容就近电源管脚, 电源平面尽可能靠近gnd, 铜皮宽度需满足载流要求
过孔:高速信号的过孔不宜太大 (寄生电容电感就越大),选用8-10mil 的过孔即可
伴地孔:为高速信号在垂直方向提供低阻抗回流
源端串电阻: 从金手指出来的信号 经过排阻,这个电阻的目的作源端阻抗匹配用;
Fly-by末端的上拉电阻: 用来吸收传输过程中产生的反射信号