电压反馈环路光耦及TL431的电路设计

本文详细解释了TL431电路中电压采样的电阻选择,强调了下拉电阻对电路抗干扰的重要性,以及光耦的偏置电阻设计。还讨论了反馈电路的作用和调试方法,确保电路在面对动态负载时的稳定性。

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如图所示,橙色框为输出部分,蓝色框为偏置部分,粉色框是动态响应部分绿色框是电压取样部分

TL431的内部结构图及一些细节如图所示

原理如图这个锯齿波的形式

下面设计电压采样电阻的取值 先下拉电阻

由于TL431的基准电压是2.5V 基准电流最低为2uA(具体的看芯片手册)

若是按照最低的基准电流来设计下拉电阻时,电路的抗干扰性能就会很差,因为这里2uA的电流很微弱,外界一些噪声干扰进来就可以改变这个基准。一般取比2uA大100倍以上,即取大于200uA以上。保证有较强的抗外界干扰能力,因此可以得到这个下拉电阻的最大阻值为

≦12.5K.这个电阻取小的话,电路待机功耗会大些,若取大的话,电路的抗干扰能力会差些.根据此处是反馈的采样电阻的缘故,应优选电路的抗干扰能力,故取值应该小一些,但要顾虑到功耗。

注,参考电压这个引脚,千万不能用我们的手或是其他的金属物件去触摸这个地方,若操作了,可能会造成输出电压异常。最怕是导致输出电压增大,最终导致电解电容烧坏。

确定了这个下拉电阻之后,上面的这个电阻可根据

,来反推得到上面的电阻

与副边光耦并联的电阻的设计 保护光耦的一个作用

  他是一个偏置电阻,目的是为了给TL431提供最小的工作电流 TL431的最小的工作电流是1mA(具体查芯片手册

)

副边发光二极管的管压降为1.2V(具体看芯片手册)

这个R20的取值为

设计R18的取值 作用是什么

可根据这个

来取值,其中Vo是输出电压,Vref为TL431的基准电压2.5V,Vb是原边光耦的发光管的压降1.2V,3-20mA是光耦的CRT电流转化率,光耦的CRT电流转化比=

(类似于三极管的放大倍数)其中IC是流过原边光耦的三极管的电流,If是流过副边发光二极管的电流

注 每一个光耦的CRT是不一样的

PC817L

100%

50%

PC817A

160%

80%

PC817B

260%

130%

PC817C

400%

200%

PC817D

600%

300%

max

min

这个3-20mA怎么来的

PC817A

160%

80%

PC817B

260%

130%

PC817C

400%

200%

PC817D

600%

300%

max

min

原边光耦的Ic电流一般在2-10mA最大可以30mA

假设取10mA,光耦取PC817C,最小CRT是200%,根据电流转化比得到If为5mA

Ic

Vf

IKA

Vka

Vmin

2-10mA

1.1-1.4V

1-100mA

2.5-37V

2.5V

一般VF取1.1V-1.4V,IF取3-5mA,Ic取2-10mA.VKA为2.5-37V,Ika为1-100mA, 

CB110和RB133和CB109的设计,作用是把市电经过整流后,形成的100HZ、120HZ的低频的增益,起到稳定电路工作的作用

为什么要引入这个反馈电路的设计,因为调节是具有滞后或是说延迟性的,这就会导致稳压效果不好,荡的大力一点

由于TL431跟光耦的结构是一个环的运放,在没有这个反馈电路的时候,他的放大倍数是最大的,当100HZ的进来的时候,这个电容相当于开路,那么这个放大器就相当于开环,因而低频段得到增强,高频时即芯片工作的频率.高频时,容抗会减小,相当于电路引入的积分负反馈,因此高频时电压增益会下降,故高频的噪声干扰就会经过这个反馈后得到削弱,保证电路工作稳定

一般怎么调试呢(根据书本上的来,不实用)

在输出端加一个动态负载,接着用示波器刷这个输出的电压,看满载跟空载的电压跌落情况,(一般带载电压会掉一些,空载会高一些)接着,看输出波形在跳变的时候,有没有震荡。判断好坏的依据:波形干净,且跳动很小,说明电路很稳定,若在加动态负载时,这个波形跳跃大,且会有震荡,说明电路存在不稳定的因素,这个环路还得在调调。

也可以看PWM的输出波形,看是否干净,若会出现抖动的情况,说明环路还得调调

这个电容一般取102-224,电阻一般取470Ω-20K.

TL431是一种常见的可调式精密并联稳压器,在电源设计中经常用于光耦反馈回路以提高系统的稳定性和精度。它能够提供高精度的电压参考,并通过光耦将次级侧的信息传递给初级侧控制器。 ### TL431 光耦反馈电路的工作原理 在开关电源(SMPS)的设计里,为了保证输出电压的稳定性,通常会在副边加入一个由 **TL431** 和 **光电耦合器** 组成的闭环控制系统: 1. **基准设定**: 首先设置分压网络使得当实际负载情况变化导致Vout改变时能触发比较机制。 2. **误差放大**: 如果检测到偏差,则利用内部运放对这个差异信号进行放大处理;此时REF端作为反相输入端接收外部采样电阻提供的参考电平值,而KATHODE连接至光敏晶体管控制极参与调节过程。 3. **隔离传输**: 放大后的差模电流流过发光二极管(LED),进而影响另一侧PNP型硅三极管的状态——即实现了电气上的绝缘同时完成了信息交换的目的。 4. **调整PWM占空比或其他参数**, 主控芯片依据接收到的数据适当修正自身工作状态(比如脉冲宽度),最终达到动态平衡效果。 这种结构具备良好的抗干扰能力、较快响应速度以及较宽范围内的线性度特性,因此广泛应用于各类DC-DC转换装置之中。 #### 简单示意图描述 ``` +--+ | | | +--> Vref |<---- 分压电阻R1,R2 设定理想输出点位 | / | +-/ | R K (阴极端) \ A(阳极端)-LED-> 光耦 \ C(集电极)---> 控制初级IC 调节动作 +---------- B(发射机) 注释: A = Anode 正极 K = Cathode 负极 或者称为“地”对于某些封装形式而言 ``` ---
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