片上偏差模式OCV,AOCV,SOCV

最新推荐文章于 2024-11-05 18:01:27 发布
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分类专栏： 数字IC 秋招准备
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本文详细介绍了片上偏差模式OCV, AOCV, SOCV的概念及其在静态时序分析中的应用。OCV是传统工艺参数波动分析，AOCV引入动态derate因子以适应路径深度和距离的影响，而SOCV进一步基于统计学概率分布模拟工艺偏差，提供更精确的时序分析。AOCV和SOCV旨在解决OCV的局限性，如计算量大、过度悲观等问题。" 111893576,10535564,Pepper情感机器人：两年发展历程与未来展望,"['服务机器人', '情感识别', '人工智能', 'IBM Watson', '消费级市场']

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片上偏差模式OCV,AOCV,SOCV

OCV:On Chip Variation
AOCV:Advance On Chip Variation
SOCV:Statistic On Chip Variation
有一篇相关文章说的特别好，码住
论STA | POCV/SOCV 对lib 的要求

静态时序分析基本方法

一、片上偏差模式OCV,AOCV,SOCV

OCV又称片上偏差模式，传统的PVT条件的时序分析仅能表征全局波动，忽略了局部波动，但随着工艺特征尺寸不断减小，局部波动越来越重要。

全局波动：整个芯片上的工艺参数波动，指wafer to wafer，die to die的波动。。
局部波动：同一个die上的不同晶体管的工艺参数不一样。

标准OCV模式：读入两套时序库，一般为最好和最差两套库。在进行建立时间和保持时间进行分析时，将时序路径的发射路径和捕捉路径分开考虑。OCV模拟最悲观的情况进行仿真。针对建立时间分析时，发射路径用最差时序库，捕捉路径用最好时序库。针对保持时间来说，反之。

但仅通过读入的时序库组成的工艺角无法满足设计需求，在实际的OCV模式下设置一个全局偏移因子derate，模拟多个工艺角的局部工艺参数波动情况。

二、ＡＯＣＶ

AOCV是在OCV模式基础上发展和改进的。在OCV中设置了一个全局偏移因子增加悲观量，这一悲观量会作用在时序路径的所有物理单元，导致在较长的时序路径上引入过多悲观量。并且实际的所有标准单元的延时都朝

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【转】OCV、AOCV、POCV、LVF都有什么作用？
叫好与叫座虽然不是对立面，但想在同一个作品中达到双重效果很难。
04-19 4363
OCV，也就是On chip variation。与corner同理，同一块芯片上的晶体管也会有变快或者变慢的现象，因此产生了OCV的概念。在设计中引入OCV的目的在于从设计角度考虑芯片在实际生产中可能出现的各种差异(variation)，从而适度增加设计余量(margin)，减少不必要的设计悲观量(pessimism)。随着芯片工艺的发展，对于STA的要求也越来越高，并且设计的复杂度不断提升。传统的WC-BC模式已无法准确的反应芯片的实际真实时序。OCV正是在这种情况下被提出并实际应用到STA中。
POCV/SOCV 、LVF的差别
m0_61544122的博客
12-13 4355
1.POCV与OCV、AOCV 为了模拟片上PVT的差异带来的影响，最早提出了OCV（On Chip Variation）给每个cell都设置一个固定的derate值，来覆盖最悲观的情况，但是随着工艺发展，设计规模增大，OCV过度的悲观开始限制性能，于是又有了AOCV（Advanced On Chip Variation），用基于depth和distance的derate来取代单一的全局的derate值，但时序收敛的过程中逻辑级数depth的变化让时序分析的时间变得非常长，由此POCV诞生了。 POCV
SOCV/POCV 开篇 （1）
diedai7174的博客
08-21 3105
1.功能：模拟工艺偏差对芯片性能的影响 2. 40nm之前 flat derate模型可以基本覆盖大部分情况 3.AOCV （Adance OCV) 考虑distance 和depth的影响。 AOCV table背后已经有统计学的支撑,即SSTA(statistical static timing analysis). 但是限于runtime，基本都...
OCV中偏差的考虑
graymount的博客
05-21 2355
今天和某大公司一位后端资深人士交流发现，其对于PVT中局部偏差，全局偏差概念似乎有些问题。正好本文进一步解释为什么说PVT corner仅处理全局偏差，而OCV（包括flat OCV，A...
OCV/AOCV/SOCV的介绍和应用
m0_61003348的博客
09-04 7958
library中的cell delay是在某个固定的PVT（operating condition）下仿真得出的。，cell的delay并不是一个固定值，而是一个随机值，遵循高斯分布或门特卡洛分布，在STA中用OCV来模拟这一『特征』。OCV全称on chip variation，用于描述不同管子间由于工艺偏差、电压降、温度变化引起的delay变化。，也用于描述工艺偏差引起的net厚度宽度的变化从而导致net的电容电阻变化。优点：设置起来比较简单粗暴，对于不那么先进的工艺可行！的影响，更贴合实际。
片上变化（on chip variation，OCV）概念学习
w0shishabi的博客
06-09 1460
片上变化（On-Chip Variation，OCV）：对同一 network 的不同段进行的这种差异处理，可以覆盖到同一芯片不同部分上的任何变化情况。这种差异处理被称为片上变化。
ocv ，aocv,socv
qq_34110120的博客
08-09 3993
         在基于工艺库的分析方法中现在主要有三种分析模式：单一工艺模式（signal model）；最好最坏模式(bc_wc);ocv（片上分析模式）。本文中主要介绍现在最为常用的ocv分析模式.        工艺偏差在更加先进的工艺节点上别的尤为重要;最初使用工艺偏差方法学(on-chip variation,OCV)使用一个系数因子在整条时序路径上放大缩小来模仿工艺变化,这种方法学...
数字IC后端知识扫盲——OCV（上）
笨蛋大乌龟的博客
01-08 3715
芯片在实际生产中，同一片晶圆上的不同区域的芯片，因为各种外部条件和生产条件的变化（variation）比如：工艺*（process），电压（Voltage），温度（Temperature），可能会产生不同的误差从而导致同一块晶圆上某些区域上的芯片里的晶体管整体速度变快或变慢，因此有了corner的概念，与此同时，在同一块芯片上的不同区域，也会因为上述因素而有进一步的差异（variation），因此产生了OCV（On chip Variation）的概念。可以看出对于不同的depth，有不同的table值。
STA之OCV
diedai7174的博客
08-21 2442
Timing sign-off Corner = library PVT +RC Corner + OCV 针对每个工艺结点，foundry都会给出一张类似的timing sign-off表格，定义了所有需要做timing sign-off的corner（实际需要sign-off的corner还需要乘以工作模式，对于STA，不同的工作模式，用不同的SDC文件予以区别） uncer...
IC中OCV文件的是什么以及该文件的后缀
最新发布
03-14
总结：OCV文件通常指包含片上偏差参数的文件，用于时序分析，而后缀可能因工具而异，常见的有.lib、.sdc、.tcl或自定义后缀如.ocv，但需根据具体上下文和工具确认。</think>--- ### **OCV文件简介** 在集成电路设计...
【转】后端基础概念：各种OCV一网打尽
叫好与叫座虽然不是对立面，但想在同一个作品中达到双重效果很难。
04-22 3800
还在烦恼IC设计中的OCV、AOCV、POCV、SOCV和LVF傻傻分不清？今天我们就来逐个谈谈它们究竟是什么东西。芯片在实际生产中，同一片晶圆上的不同区域的芯片，因为各种外部条件和生产条件的变化(variation)比如：工艺(Process)，电压(Voltage)，温度(Temperature)等，可能会产生不同的误差从而**导致同一块晶圆上某些区域上的芯片里的晶体管整体速度变快或变慢，**因此有了corner的概念。而与此同时，在同一块芯片上的不同区域。
SOCV&POCV、global/local variation
面朝大海
07-11 2452
在40nm 之前OCV 被广泛采用，但是OCV 对同一条path 上的所有cell 都设同一个derate 值，如果设的太严则过于悲观，如果设得太松又会导致过多的path 过于乐观，进入28nm 之后尤其是16nm 之后，OCV 模型越来越"力不从心"，于是有了AOCV 模型。对于正态分布，随机变量落在-1σ ~ 1σ间的概率是68.27%，落在-2σ ~ 2σ间的概率是95.45%，落在-3σ ~ 3σ间的概率是99.73%。, 除了名字的差别，背后都是统计学都是正态分布，背后的算法也基本一致。
POCV/ SOCV 时序报告解析
面朝大海
07-11 5023
设置timing derate 的timing report 如下所示，在该例中，Total mean/sigma derate, Delay Mean, Delay sigma 的计算分别如下所示，其他的计算跟不带set_timing_derate 的一致。示例中，buff_4_2/Z 的arrival delay 值为0.55383, 是因为工具在计算时是按照浮点数位宽计算的，最后显示在时序报告中的值做过四舍五入。同样可得到上升沿对应的CPPR sigma, 即report_cppr 中的。
OCV 、AOCV、POCV还在傻傻分不清吗
weixin_44675561的博客
05-15 2520
同一块芯片上的晶体管会有变快或者变慢的现象，因此产生了OCV的概念。OCV在path上设置统一的derate，悲观度较高。derate数值是指对launch、capture、data line的cell或者net上添加一个比理想情况更为悲观的倍数，比如针对setup，launch的derate统一设置为1.1，表示delay时间增加值原来的1.1倍，capture的derate统一设置为0.9，表示delay时间变为原来的0.9倍。从而使设计能够覆盖实际生产过程中产生的variation。
Signoff Criteria --- ocv/aocv/pocv之POCV介绍
sinat_27691203的博客
10-16 8865
sensit，而Path中的Mean等于Path中的前一级Mean加上Incr中的本级别的mean，而Path中的Sensit等于Path中上一级的Sensit的平方值加或减Incr中的sensit的平方值，再开平方。而在报告中显示的derate值，也会相应的在如下的计算中体现出来。：通过在timing path上设置统一的early/late derate做hold和setup的check，这样的设置方式很简单，但同时很粗暴，会导致大部分cell的delay过于悲观，而小部分的可能又过于乐观。
OCV、AOCV、POCV、LVF介绍
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hepiaopiao_wemedia的博客
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芯片在生产过程中，由于外界条件和生产条件的变化，比如PVT，可能会产生不同的误差从而导致同一晶圆上不同区域上的芯片里的晶体管速度变快或者变慢，并因此产生corner概念。 一、OCV介绍（on chip variation）： 同理，同一块芯片上的晶体管也会有变快或者变慢的现象，因此产生了OCV的概念。 OCV在path上设置统一的derate，悲观度较高。derate数值是指对launch...
SOCV / POCV 数学模型
weixin_68593995的博客
11-05 765
AOCV: 即所谓的stage based OCV (SBOCV), 将derate 模拟成path depth 跟 distance 的函数，所以对同一段path 上不同depth、不同类型的cell 有不同的derate 值，而且同时还会考虑spatial 的影响 ( 即distance ) , 所以相较于OCV 更精确，但是AOCV 有两个局限：一是没有考虑cell 的trantion 跟 load 对variation 的影响，也没有考虑transition 的variation；
软件Hspice基础知识学习笔记（1）
alier_chen的博客
06-05 2万+
** HSPICE基础知识学习笔记（一）** 首先讲一下基本的语法，主要是不知道怎么分类这些知识，O(∩_∩)O哈哈~ （1）hspice中tab、空格、逗号和小括号都是定界符 （2）：冒号表示属性，例如m1：beta （3）除了定义的名字，不区分大小写 （4）使用原件英文字母第一个代表这个原件，在这个英文字母后加数字和字母，来区分不同参数的原件，如r1表示电阻，vv1表示电压源。 （5）一般使用...
STA | SOCV: Transition Variation
nuoweishizi的博客
02-15 1684
《STA | 哐！一文打尽 SOCV / POCV》这个标题很打脸，因为没有transition variation 部分也没有moment 部分。最近在驴群讨论了Transition variation 部分，总结一下，感谢各位的无私输出。 LVF 中transition variation 对应ocv_sigma_rise_transition < early, late >跟ocv_sigma_fall_transition < early, late >四张二维表...
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