《 Flash、EEPROM、SRAM の混淆点》

Syairos_Ching

已于 2023-05-10 02:54:45 修改

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分类专栏：嵌入式系列文章标签：单片机嵌入式硬件

于 2023-05-02 07:35:52 首次发布

原文链接：https://blog.csdn.net/qq_44385725/article/details/116937967

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文章介绍了三种不同类型的存储器：Flash适用于大容量、高速度且需数据保留的场景；EEPROM适合速度要求不高但需数据持久化的应用；SRAM则作为快速内存，用于临时数据存储，但断电后数据会丢失。Flash常用于单片机程序存储，SRAM存储运行中的临时数据，而EEPROM则灵活用于存储系统参数。

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1. Flash、EEPROM、SRAM的区别

(1) Flash存储器：
Flash适用于速度要求高、容量要求大、掉电时要求数据不丢失的场合。
(2) EEPROM存储器：
EEPROM存储器适用于速度不高、容量不大、掉电时要求数据不丢失的场合。
(3) SRAM存储器：
SRAM相当于计算机的内存，读写速度比Flash、EEPROM快N倍，掉电后数据丢失。