静态IR drop和动态IR drop区别

动态IR降表示了在IC（集成电路）的操作过程中，由于由于开关器件的动态功耗导致芯片内部电压降的现象。动态IR降是由于瞬态电流通过电阻时产生的电压降引起的。 当IC中的逻辑门从低电平切换到高电平时，电流会短暂地从逻辑门引脚流过。这个瞬态电流从电源通过电阻流回地。由于电阻存在有限的电阻，瞬态电流会在电阻上产生一个电压降，这导致了芯片内部电压的降低。 动态IR降对芯片的性能和可靠性有一定的影响。首先，它会降低芯片的工作电压，可能导致逻辑门的输入电压不稳定，从而引起逻辑错误。其次，动态IR降会导致芯片的功耗增加，增加发热，可能导致芯片温度超过允许范围，影响芯片的长期可靠性。 为了减少动态IR降，设计者可以采取一些措施。例如，可以选择更低的电阻值来减小电压降，但这可能会增加功耗。另一种方法是在芯片的设计中使用更好的电源分配策略，以确保电流和电压在芯片内部均匀分布。此外，还可以采用电源噪声抑制技术来减少电源对芯片受电物理效应的影响。 总之，动态IR降是由于瞬态电流在电阻上产生的电压降引起的。它对芯片的性能和可靠性有一定的影响，设计者可以通过合理的电阻选择和电源设计来减少其影响。