31、晶体管VBE特性与电压 - 频率转换器设计详解

晶体管VBE特性与电压 - 频率转换器设计详解

1. 晶体管VBE特性分析

1.1 VBE与温度的关系

VBE与温度的曲线关系会导致在0°C和 - 70°C时，VBE比线性预测值小1 - 2mV。在55°C或 - 150°C时，VBE可能会低3 - 4mV，这接近抛物线误差。

1.2 厄利效应（Early Effect）的影响

厄利效应通常会使低β（β = 50或100）的晶体管在VCE为20V时，VBE比0.6V时低1 - 2mV。对于高β（β = 200或400）的晶体管，VBE的下降可能达到3 - 4mV。高β晶体管虽然电流误差较小，但电压误差往往较大。

1.3 其他影响因素

• 高电流运行 ：当晶体管在高电流下运行，V = IE × RE显著时，该效应近似可叠加，通常呈线性且可预测，还需考虑自热效应。
• 小电流情况 ：IC或IE较小时，漏电流可能导致显著偏差。IE很小时，一些晶体管的β值可能会迅速下降，此时不能再忽略基极电流。
• 晶体管饱和 ：晶体管饱和时，VBE会大幅上升或下降，具体取决于晶体管的制造工艺。

1.4 分析方法选择

可以编写复杂的方程来计算这些影响，但图形方法更有助于理解实际情况，避免计算错误。

1.5 晶体管集电极电流与VCE的关系

对于给定的VBE，晶体管的集电极电流在VCE的许多取值下表现良好，在VBE = 0.7