MOSFET中的重要参数

最新推荐文章于 2025-06-02 14:47:19 发布

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文章标签： matlab

原文链接：http://www.cnblogs.com/zmshum/p/10381510.html

本文深入探讨了MOSFET的寄生电容，包括$C_{iss}$, $C_{oss}$, $C_{rss}$及其与$V_{DS}$的关系。此外，解释了开关时间参数，如开启和关闭时间，并介绍了总门电荷对开关性能的影响。最后，重点讲述了如何通过安全工作区图表评估MOSFET的适用性，确保在特定电压和电流条件下设备的安全运行。" 120178146,11408205,VMware虚拟机中创建RoseHA集群测试,"['运维', 'VMware', 'Windows']

摘要生成于 C知道，由 DeepSeek-R1 满血版支持，前往体验 >

最近在调试MOSFET电路中，发现了更多问题，比如同样的PI反馈控制电路可以很好的控制PMOS工作，却对NMOS不能很好控制。当然你肯定会说那是因为PMOS和NMOS不同呀，这自然没有错，我在上一篇文章中也讨论了载流子不同带来的影响，但是这些差异最终体现在哪些具体的地方，我仍然是含糊不清的。这最集中体现在当我拿到一个商家给的MOSFET的参数表时，很多参数我都不明白什么意思。比如下面两个链接给出的参数表：

http://www.mouser.com/ds/2/205/DS99975B(IXTN170P10P)-479802.pdf

https://www.mouser.com/datasheet/2/205/DS100193B(IXFN520N075T2)-1512437.pdf

其中很多与时变信号相关的参数我都不明白具体含义，这篇文章主要介绍这些参数的概念与意义。

一、寄生电容

MOSFET中的各极间均存在电容，这在之前的MOSFET频率响应中已经介绍过。具体的模型可用下图表示。