元器件封装形式对照表_封装（Package）

有幸在赛意法工作过一段时间，在此篇文章里聊聊芯片封装的点点滴滴。

1，封装的定义

图：芯片封装

2，封装的目的

封装就是指把硅片上的电路管脚，用导线接引到外部接头处，以便于其它器件连接。封装形式是指安装半导体集成电路芯片用的外壳。它不仅起着安装、固定、密封、保护芯片及增强电热性能等方面的作用，而且还通过芯片上的接点用导线连接到封装外壳的引脚上，这些引脚又通过印刷电路板上的导线与其他器件相连接，从而实现内部芯片与外部电路的连接。因为芯片必须与外界隔离，以防止空气中的杂质对芯片电路的腐蚀而造成电气性能下降。另一方面，封装后的芯片也更便于安装和运输。由于封装技术的好坏直接影响到芯片自身性能的发挥和与之连接的印制电路板的设计和制造，因此封装是至关重要的。衡量一个芯片封装技术先进与否的重要指标是芯片面积与封装面积之比，这个比值越接近1越好。

图：芯片封装技术

3，封装的发展历史

早期由1980 年代以前的通孔插装技术(THT，Through Hole Technology)为主流，产品多为单列直插封装方式(SIP，Single In-line Package)和双列直插封装方式(DIP，Dual In-Line Package)。

随着工艺技术的不断发展，直至1980 年代以表面贴装技术(SMT，Surface Mount Technology)衍生出来的小外形集成电路封装技术(SOIC，Small Outline Integrated Circuit)蓬勃发展，以其中最为代表型的SOP(Small Out-Line Package)、SOJ(Small Out-Line J-Lead)、PLCC(Plastic Leaded Chip Carrier)、QFP(Quad Flat Package)封装方式为主流，但伴随着在芯片功能及引脚数逐渐增加后，1997 年Intel 率先由QFP封装方式更新为球栅阵列封装方式(BGA，Ball Grid Array)。除此之外，近期主流的封装方式有芯片级封装(CSP，Chip Scale Package)，其仍然是键合连接封装的工艺形式，而目前最新的覆晶封装技术(FCP，Flip Chip Package)是完全不同于键合连接的封装技术。

图：封装形式

图：封装的发展历史

4，封装的材料

芯片封装的材料主要有晶圆，引线框架，塑封胶，银浆，金属连接线，引脚表面处理材料，本体表面标示等组成。

图：芯片封装组成

图：芯片封装结构

(1)晶圆

晶圆(Wafer)是指制作硅半导体电路所用的硅晶片，其原始材料是硅。高纯度的多晶硅溶解后掺入硅晶体晶种，然后慢慢拉出，形成圆柱形的单晶硅。硅晶棒在经过研磨，抛光，切片后，形成硅晶圆片，也就是晶圆。目前国内晶圆生产线以 8英寸和 12 英寸为主。

晶圆的主要加工方式为片加工和批加工，即同时加工1 片或多片晶圆。随着半导体特征尺寸越来越小，加工及测量设备越来越先进，使得晶圆加工出现了新的数据特点。同时，特征尺寸的减小，使得晶圆加工时，空气中的颗粒数对晶圆加工后质量及可靠性的影响增大，而随着洁净的提高，颗粒数也出现了新的数据特点。

图：晶圆

图：晶圆之晶粒

DPW是Die Per Wafer的缩略词，用于表征单个晶圆上可切割晶粒的数量。晶圆可切割晶粒数(DPW)的计算是非常简单的，它的计算实际上是与圆周率π有密切的关联。

由以下公式可知，晶圆越大，晶粒越小，晶圆上的晶粒数就越多。

图：晶粒计算公式

(2)引线框架

引线框架(Leadframe)作为集成电路的芯片载体，是一种借助于键合材料(金丝、铝丝、铜丝)实现芯片内部电路引出端与外引线的电气连接，形成电气回路的关键结构件，它起到了和外部导线连接的桥梁作用，绝大部分的半导体集成块中都需要使用引线框架，是电子信息产业中重要的基础材料。主要用模具冲压法和化学刻蚀法进行生产。

图：引线框架

(3)塑封

环氧模塑料(Epoxy Molding Compound，缩写EMC)即环氧树脂模塑料、环氧塑封料，是由环氧树脂为基体树脂，以高性能酚醛树脂为固化剂，加入硅微粉等为填料，以及添加多种助剂混配而成的粉状模塑料。塑料封装材料97%以上采用EMC，塑封过程是用传递成型法将EMC挤压入模腔,并将其中的半导体芯片包埋，同时交联固化成型，成为具有一定结构外型的半导体器件。

其功能主要为：保护芯片不受外界环境的影响；抵抗外部湿气、溶剂，以及冲击；使得芯片和外界环境电绝缘；良好的安装性能；抵抗安装时的热冲击和机械振动；热扩散等等。

图：塑封材料/环氧树脂

(4)银浆

银胶是一种固化或干燥后具有一定导电性能的胶黏剂,它通常以基体树脂和导电填料即导电粒子为主要组成成分, 通过基体树脂的粘接作用把导电粒子结合在一起, 形成导电通路, 实现被粘材料的导电连接。

图：银胶

芯片贴装(Die Attach)是封装工艺中非常关键的一步，其主要目的是将单颗芯片从已经切割好的晶圆(Wafer)上抓取下来，并安置在基板对应的die flag上，利用银胶(epoxy)把芯片和基板粘接起来。

图：芯片贴装

(5)键合线

金线键合(Wire bonding)是一种集成电路封装产业中的制程之一，利用线径15-50微米的金属线材将裸芯片(DIE)及导线架(lead frame)连接起来的技术，使微小的芯片得以与外面的电路做沟通，而不需要增加太多的面积。其他类似的接合技术如覆晶接合(Flip-chip)或卷带式自动接合(Tape-Automated Bonding, TAB)都已经越趋成熟，虽然覆晶接合逐渐在吞食打线接合的市场，但目前仍以打线接合为最常见的接合技术。

图：金线

(6)电镀

芯片引脚需要进行表面处理，主要是化学电镀处理，和热浸锡处理。

图：电镀

图：浸锡

(7)丝印

芯片封装之后需要有丝印标记，通常有油墨印刷和镭射标法。在封装胶体上注明商品名称、制造商等信息和引脚标示。

图：油墨印刷

图：镭射标法

(8)测试

芯片终端测试分选机系统

图：测试分选

(9)包装

包装有管装、卷带、托盘三种不同方式，其目的就是便于存放、运输及使用。

图：管装

图：卷带

图：托盘

5，封装的分类

介绍封装技术之前，先了解一下二大电子行业标准制定者。

美国联合电子设备工程委员会(JEDEC，Joint Electronic Devices Engineering Council)，成立于1958年。

日本电子工业协会(EIAJ，Electronic Industries Association Japan)，成立于1948年。

(1)按照JEP95注册号分如下几种类型

1)二极管外形DO-(diode outlines)

2)三极管外形TO-(transistor outlines)

3)微电路外形MO-(microelectronic outlines)

4)微电路标准MS-(microelectronic standards)替代部分MO-

(2)按照装配技术分通孔插装和表面贴装

1)通孔插件封装(THT)

通孔插装技术(Through-hole technology)， 又名通孔技术，是一种用于电子元器件的安装方法。

I)单列直插式(SIP)

单列直插式封装(Single In-line Package)引脚从封装一个侧面引出，排列成一条直线。

图：SIP

图：SIP

II)二极管外形(DO)封装

DO-二极管外形封装(Diode Outline Package)是一种在二极管中广泛应用的封装形式。常见的有DO-15，DO-35，DO-41等。

图：DO-41封装

III)晶体管外形(TO)封装

TO-晶体管外形封装(Transistor Outline Package)是一种在功率器件中广泛应用的封装形式。其主要特点是元器件背部有大面积的金属，便于散热，也可连接散热片进行散热，可以提供较高的耗散功率。常见的有TO-92，TO-220，TO-247等。

图：TO-220封装

IV)双列直插式(DIP)

双列直插封装(Dual in-line Package)是一种集成电路的封装方式。

图：DIP8封装

V)针栅阵列直插式(PGA)

插针网格阵列封装(Pin Grid Array，PGA)是一种集成电路封装技术，常见于微处理器的封装。

图：PGA

2)表面贴片封装(SMT)

表面贴装技术(Surface Mount Technology)是电子元器件的一种封装技术。

I)二极管外形(DO-)封装

图：DO-214

II)三极管外形(TO-)封装

图：TO-252

III)小外形集成电路封装技术(SOIC)

小外形集成电路封装(SO：Small Outline Package)其实有点儿混乱，市场上主要沿用了JEDEC和EIAJ二种标准而衍生了不同版本的宽体和窄体封装。SO封装是一种小外形元件封装形式，常见的封装材料有：塑料、陶瓷、玻璃、金属等，目前基本采用塑料封装，应用范围很广，主要用在各种集成电路中。常用的类型有SOD，SOT，SO，SOP，SOL，SOJ，SOW，SON，SSOP，TSOP，VSOP，MSOP，TSSOP等，其中SO，SOIC，SOP因为本体的宽窄而叫法不同。

图：SO封装对照表

图：SOD323

图：SOT系列封装

图：SO系列封装

IV)方型扁平式(QFP)

方型扁平式封装技术(QFP，Quad Flat Package)，半导体芯片表面贴装技术之一，引脚从四个侧面引出呈海鸥翼(L)型。基材通常有陶瓷、金属和塑料三种。

图：QFP封装

带引线的塑料芯片载体(PLCC，Plastic Leaded Chip Carrier)也是表面贴装型封装之一，其外形呈正方形。现在也有用陶瓷制作的J 形引脚封装(LCC，也有称之为QFJ)和用塑料制作的无引脚封装，即其四侧带有电极凸点的封装(QFN，Quad Flat No-leads Package)。

图：PLCC封装

图：QFN封装

V)球栅阵列式(BGA)

BGA (Ball Grid Array)球状引脚栅格阵列封装技术，是一种高密度表面装配封装技术。主板控制芯片组多采用此类封装技术，材料多为陶瓷。

图：BGA封装

VI)芯片尺寸封装(CSP)

芯片尺寸封装(Chip Scale Package)是指其封装尺寸和芯片核心尺寸基本相同，其内核面积与封装面积的比例约为1:1.1，凡是符合这一标准的封装都可以称之为CSP。

图：CSP封装技术

(3)覆晶封装技术(FCP)

覆晶技术(Flip Chip Package)也叫倒晶封装法，是芯片封装技术的一种。此一封装技术主要在于有别于过去芯片封装的方式，以往是将芯片置放于基板(chip pad)上，再用打线技术(wire bonding)将芯片与基板上的连结点连接。覆晶封装技术是将芯片连接点处设计成凸块(bump)，然后将芯片翻转过来使凸块与基板(substrate)直接连结而得其名。

图：覆晶封装示意图

图：覆晶封装

图：引线键合与覆晶对照表