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UFS 2.0是eMMC的升级版,提供全双工运行,实现更高读写速度。单lane最高600MB/s,双lane可达1200MB/s,比eMMC HS400快3倍。其优势在于同时读写能力,通过控制通道保障数据安全传输,加速指令处理,适用于旗舰智能手机。

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UFS:Univeral Flash Storage,我们可以将它视为eMMC的进阶版,是由多个闪存芯片、主控、缓存组成的阵列式存储模块。UFS弥补了eMMC仅支持半双工运行(读写必须分开执行)的缺陷,可以实现全双工运行,所以性能得以翻番。

1.什么是ufs2.0

目前UFS又被细分为UFS 2.0和UFS 2.1,它们在读写速度上的强制标准都为HS-G2(High speed GEAR2),可选HS-G3标准。而两套标准又都能运行在1Lane(单通道)或2Lane(双通道)模式上,一款手机能取得多少读写速度,就取决于UFS闪存标准和通道数,以及处理器对UFS闪存的总线接口支持情况。

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(来源于网络)

UFS作为目前安卓智能手机最先进的非易失存储器(NVM)已经广泛应用在很多手机OEM的旗舰机型上,并会逐渐取代eMMC的地位。它不仅给智能手机带来更高的读写速度更可靠的稳定性,同时M-PHY, UniPro和对SCSI命令集的支持,也大大简化了设计的复杂度,从而缩短了手机上市的时间。

UFS不仅具有SSD同级别的读写速度、异步IO接口和可靠的SCSI架构,同时还具有eMMC的低功耗的特点。

2.ufs2.0读写速度

目前市场上主流的UFS2.0,单lane能够支持到最高600MB/S,如果是双lane设计那么可以跑到1200MB/S,对比eMMC HS400模式只能跑到400MB/S(这还是eMMC可以支持的最大理论值)确实有了显著的提高。后续更高级的UFS3.0版本还会跑到更快的双通道2400MB/S。

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(来源于网络)

UFS 2.0闪存读写速度强制标准为HS-G2(High speed GEAR2),可选标准为HS-G3。HS-G2 1Lane最高读写速度为2.9Gbps(约为360MB/s),2Lane最高读写速度为5.8Gbps(约为725MB/s)。可选标准HS-G3 1Lane最高读写速度为5.8Gbps(约为725MB/s),2Lane最高读写速度为11.6Gbps(约为1.45GB/s)。

3.ufs2.0的优势

UFS 2.0所能达到的传输速度是eMMC所无法比拟的,即使与当前最新的eMMC 5.0标准相比其速度也高出3倍。能够实现这样速度的关键在于,UFS 2.0采用了许多聪明的设计,例如不同于eMMC存储器读取和写入必须分开执行的方式,UFS 2.0传输的数据可以在UFS主机与闪存之间以全双工模式进行交换,读写可以同时执行。

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(来源于网络)

UFS 2.0附加的控制通道可以有效地确保数据的安全传输,不必再因为冗长的写操作而做不必要的等待。这是UFS 2.0获得更高速度的关键,存取指令将通过UFS驱动程序传递到CPU芯片上的UFS主机控制器,控制器将对传入命令进行排序,确保它们能够尽可能快地进行处理,而且UFS 2.0能够通过存储器芯片平行执行队列中的多个命令。

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