各类型传输线的损耗因子与相位系数

一、一般性理论

1. 相位因子$\beta$与波数$k$的关系

对于任意介质均匀分布的规则波导中传播的电磁波的相位因子$\beta$与填充材质波数$k$及截止波数$k_c$有如下关系
$$\begin{array}{c}{k}_c^2=k^2-{\beta }^2\end{array}$$
其中对于波数k有
$$\begin{array}{c}k=\omega \sqrt[]{\mu ϵ}=2\pi /\lambda \end{array}$$

2. TEM波

对于TEM波$k_c^2=0$，所以有
$$\begin{array}{c}\beta =\omega \sqrt[]{\mu ϵ}=k\end{array}$$
值得一提的是此时特性阻抗与波阻抗恰好一致，即
$$\begin{array}{c}{Z}_{TEM}=\sqrt[]{\frac{\mu }{ϵ}}=\eta \end{array}$$

3. TE波与TM波

对于TE波与TM波有
$$\begin{array}{c}\beta =\sqrt[]{k^2-k_c^2}\end{array}$$

4. 有损介质：

对于有损介质有
$$\begin{array}{c}\gamma ={\alpha }_d+j\beta =\sqrt[]{k_c^2-k^2}=\sqrt[]{k_c^2-{\omega }^2{\mu }_0{ϵ}_0{ϵ}_r(1-jtan\delta )}\end{array}$$
由Taylor级数，当$x\ll a$时有
$$\begin{array}{c}\sqrt[]{a^2+x^2}\approx a+\frac{1}{2}(\frac{x^2}{a})\end{array}$$
将式(7)运用于式(6)有
$$\begin{array}{c}\gamma \approx \frac{k^{2}tan\delta }{2\beta }+j\beta \end{array}$$
则介质损耗衰减可由下式给出
$$\begin{array}{c}{\alpha }_d=\frac{k^{2}tan\delta }{2\beta }Np/m(TEorTMwaves)\end{array}$$
对于TEM波有
$$\begin{array}{c}{\alpha }_d=\frac{ktan\delta }{2}Np/m(TEMwaves)\end{array}$$

二、平行平板波导

平行平板波导由两个平行的板或带构成，如下图所示，假设宽度$W$比间隔$d$大得多，这样边缘效应和$x$的变化可以忽略。假设填充介质的介电常数为$ϵ$、磁导率为$\mu$。

1. TEM模

对于平行平板波导中的TEM波，有相位因子为
$$\begin{array}{c}\beta =k=\omega \sqrt[]{\mu ϵ}=2\pi f\sqrt[]{\mu ϵ}\end{array}$$
介质损耗为
$$\begin{array}{c}{\alpha }_d=\frac{ktan\delta }{2}Np/m(TEMwaves)\end{array}$$
导体损耗为
$$\begin{array}{c}{\alpha }_c=\frac{R_s}{\eta d}Np/m\end{array}$$
上式中$R_s$为表面电阻
Rs=Re{η}=Re{1+jσδs}=1σδs=ωμ2σ \begin{equation} R_s = Re\{\eta\} = Re\{\frac{1 + j}{\sigma \delta_s}\} = \frac{1}{\sigma \delta_s} = \sqrt[]{\frac{\omega \mu}{2\sigma}} \end{equation} Rs​=Re{η}=Re{σδs​1+j​}=σδs​1​=2σωμ​​​​

2. TM波

对于平行平板波导中的TM波，截止波数为
$$\begin{array}{c}{k}_c=\frac{n\pi }{d},n=1,2,3,...\end{array}$$
所以相位因子为
$$\begin{array}{c}\beta =\sqrt[]{k^2-k_c^2}=\sqrt[]{k^2-(\frac{n\pi }{d}{)}^2}\end{array}$$
介质损耗为
$$\begin{array}{c}{\alpha }_d=\frac{k^{2}tan\delta }{2\beta }Np/m(TEorTMwaves)\end{array}$$
导体损耗为
$$\begin{array}{c}{\alpha }_c=\frac{2\omega ϵR_s}{\beta d}=\frac{2k{R}_s}{\beta \eta d}Np/m\end{array}$$

3. TE波

对于平行平板波导中的TE波，截止波数为
$$\begin{array}{c}{k}_c=\frac{n\pi }{d},n=1,2,3,...\end{array}$$
所以相位因子为
$$\begin{array}{c}\beta =\sqrt[]{k^2-k_c^2}=\sqrt[]{k^2-(\frac{n\pi }{d}{)}^2}\end{array}$$
介质损耗为
$$\begin{array}{c}{\alpha }_d=\frac{k^{2}tan\delta }{2\beta }Np/m(TEorTMwaves)\end{array}$$
导体损耗为
$$\begin{array}{c}{\alpha }_c=\frac{2k_c^2{R}_s}{\omega \mu \beta d}=\frac{2k_c^2{R}_s}{k\beta \eta d}Np/m\end{array}$$

三、矩形波导

1. TE模

对于矩形波导中的TE波，截止波数为
$$\begin{array}{c}{k}_c=\sqrt[]{(\frac{m\pi }{a}{)}^2+(\frac{n\pi }{b}{)}^2},m,n=0,1,2,3,...m,n不同时为零\end{array}$$
所以相位因子为
$$\begin{array}{c}\beta =\sqrt[]{k^2-k_c^2}=\sqrt[]{k^2-(\frac{m\pi }{a}{)}^2-(\frac{n\pi }{b}{)}^2}\end{array}$$
介质损耗为
$$\begin{array}{c}{\alpha }_d=\frac{k^{2}tan\delta }{2\beta }\end{array}$$
导体损耗为
$$\begin{array}{c}{\alpha }_c=\frac{R_s}{a^{3}b\beta k\eta }(2b{\pi }^2+a^2{k}^2)Np/m(仅适用于T{E}_{10}波)\end{array}$$

2. TM波

对于矩形波导中的TM波，截止波数为
$$\begin{array}{c}{k}_c=\sqrt[]{(\frac{m\pi }{a}{)}^2+(\frac{n\pi }{b}{)}^2},m,n=0,1,2,3,...m,n不同时为零\end{array}$$
所以相位因子为
$$\begin{array}{c}\beta =\sqrt[]{k^2-k_c^2}=\sqrt[]{k^2-(\frac{m\pi }{a}{)}^2-(\frac{n\pi }{b}{)}^2}\end{array}$$
介质损耗为
$$\begin{array}{c}{\alpha }_d=\frac{k^{2}tan\delta }{2\beta }\end{array}$$
导体损耗为
$$\begin{array}{c}{\alpha }_c=\frac{2R_{s}k{\pi }^2}{k_c^2\beta \eta }(\frac{n^2}{b^3}+\frac{m^2}{a^3})Np/m\end{array}$$

四、圆波导

1. TE模

对于矩形波导中的TE波，截止波数为
$$\begin{array}{c}{k}_{c_{nm}}=\frac{p_{nm}^{\prime }}{a}\end{array}$$
其中$p_{nm}^{\prime }$是$J_n^{\prime }$的第$m$个根，即$J_n^{\prime }(p_{nm}^{\prime })=0$，$J_n^{\prime }$是第一类贝塞尔函数$J_n(x)$的导数，$p_{nm}^{\prime }$前几项的值如下表所示。

所以相位因子为
$$\begin{array}{c}\beta =\sqrt[]{k^2-k_c^2}=\sqrt[]{k^2-(\frac{p_{nm}^{\prime }}{a}{)}^2}\end{array}$$
介质损耗为
$$\begin{array}{c}{\alpha }_d=\frac{k^{2}tan\delta }{2\beta }\end{array}$$
导体损耗为
$$\begin{array}{c}{\alpha }_c=\frac{R_s}{ak\eta \beta }(k_c^2+\frac{k^2}{p_{11}^{\prime 2}-1})Np/m\end{array}$$

2. TM波

对于矩形波导中的TM波，截止波数为
$$\begin{array}{c}\begin{array}{c}{k}_{c_{nm}}=\frac{p_{nm}}{a}\end{array}\end{array}$$
其中$p_{nm}$是第一类贝塞尔函数$J_n(x)$的第$m$个根，即$J_n(p_{nm})=0$，$p_{nm}$前几项的值如下表所示。

所以相位因子为
$$\begin{array}{c}\beta =\sqrt[]{k^2-k_c^2}=\sqrt[]{k^2-(\frac{p_{nm}}{a}{)}^2}\end{array}$$
介质损耗为
$$\begin{array}{c}{\alpha }_d=\frac{k^{2}tan\delta }{2\beta }\end{array}$$
导体损耗为
$$\begin{array}{c}{\alpha }_c=\frac{k{R}_s}{\eta \beta a}Np/m\end{array}$$

五、同轴线

1. 同轴线的传输线参数

假定同轴线内径为a，外径为b，两导体之间的填充材料具有复介电系数$ϵ={ϵ}^{\prime }-j{ϵ}^{\prime \prime }$和磁导率$\mu ={\mu }_0{\mu }_r$，如下图所示，则有如下结果

$$\begin{array}{c}L=\frac{\mu }{2\pi }lnb/aH/m\end{array}$$
$$\begin{array}{c}C=\frac{2\pi {ϵ}^{\prime }}{lnb/a}F/m\end{array}$$
$$\begin{array}{c}R=\frac{R_s}{2\pi }(\frac{1}{a}+\frac{1}{b})\Omega /m\end{array}$$
$$\begin{array}{c}G=\frac{2\pi \omega {ϵ}^{\prime \prime }}{lnb/a}S/m\end{array}$$

2. TEM模

对于同轴线中的TEM波，有相位因子为
$$\begin{array}{c}\beta =\omega \sqrt[]{\mu ϵ}=\omega \sqrt[]{LC}\end{array}$$
介质损耗为
$$\begin{array}{c}{\alpha }_d=\frac{\omega {ϵ}^{\prime \prime }\eta }{2}Np/m\end{array}$$
导体损耗为
$$\begin{array}{c}{\alpha }_c=\frac{R_s}{2\eta lnb/a}(\frac{1}{a}+\frac{1}{b})Np/m\end{array}$$

3. 高阶模

对于高阶模只给出一个近似解
$$\begin{array}{c}{k}_c=\frac{2}{a+b}\end{array}$$

六、带状线

1. 带状线

将一个宽度为W的薄导体放在两块相距为b的宽导体接地平面之间的中部，两个接地平面之间的整个空间填充有电介质，如下图所示

2. TEM模

对于带状线中的TEM模，相位因子为
$$\begin{array}{c}\beta =\omega \sqrt[]{{\mu }_0{ϵ}_0{ϵ}_r}=k_0\sqrt[]{{ϵ}_r}\end{array}$$
介质损耗为
$$\begin{array}{c}{\alpha }_d=\frac{ktan\delta }{2}Np/m\end{array}$$
导体损耗请查阅相关资料。

七、微带线

1. 微带线

将宽度为$W$的导体印刷在厚度为$d$、相对介电常数为${ϵ}_r$的薄接地电介质基片上，电力线如上图所示。微带线的严格场解是由混合$TM-TE$波组成的。然而在绝大多数实际应用中，电介质基片是非常薄的($d\ll \lambda$)，因此其场是准TEM的。
对于相位系数有
$$\begin{array}{c}\beta =k_0\sqrt[]{{ϵ}_e}\end{array}$$
式中$k_0$为真空（空气）中的电磁波波数有$k_0=\omega \sqrt[]{{\mu }_0{ϵ}_0}$，${ϵ}_e$为微带线的有效介电系数，常满足以下关系
$$\begin{array}{c}1<{ϵ}_e<{ϵ}_r\end{array}$$
并依赖于电介质基片的介电系数、基片厚度、导体宽度和频率等。

2. 有效介电系数和衰减的计算公式

微带线的有效介电系数可解释为一个均匀媒介的介电系数，
$$\begin{array}{c}{ϵ}_e=\frac{{ϵ}_r+1}{2}+\frac{{ϵ}_r-1}{2}\frac{1}{\sqrt[]{1+12d/W}}\end{array}$$
这个均匀地介质取代了微带线的空气和电介质区域，如下图所示

介质损耗为
$$\begin{array}{c}{\alpha }_d=\frac{k_0{ϵ}_r({ϵ}_e-1)tan\delta }{2\sqrt[]{{ϵ}_e}({ϵ}_r-1)}Np/m\end{array}$$
导体损耗为
$$\begin{array}{c}{\alpha }_c=\frac{R_s}{Z_{0}W}Np/m\end{array}$$
式中$Z_0$为特征阻抗，对于微带线请查阅相关文献。

3. 频率依赖效应和高阶模

一种常见的介电系数依赖模型为
$$\begin{array}{c}{ϵ}_e(f)={ϵ}_r-\frac{{ϵ}_r-{ϵ}_e(0)}{1+G(f)}\end{array}$$
式中${ϵ}_e(f)$表示与频率相关的有效介电系数，${ϵ}_r$是基板的相对介电系数，${ϵ}_e(0)$是直流时微带线的有效介电系数，它由式（52）给出。函数G(f)可取各种形式，一种可行的方式如下
$$\begin{array}{c}G(f)=(0.6+0.009Z_0)(\frac{8\pi df}{Z_0}{)}^2\end{array}$$
式中$Z_0$的单位是ohms，$f$的单位是GHz，$d$的单位是cm。

Reference

1. 微波工程英文版第四版 - Pozar著