背景简介
随着无线通信技术的飞速发展,对高频微波器件的需求日益增长。CMOS与BiCMOS技术因其在高频应用中的高性能和低成本优势,成为了研究和工业应用的热点。本章将深入探讨这两种技术在高频微波器件中的应用,并重点介绍片上调谐器的电气结构和工作原理。
CMOS与BiCMOS技术在高频微波器件中的应用
在高频微波设计中,CMOS和BiCMOS技术允许设计师实现低功耗、高集成度的电路设计。这些技术的晶体管截止频率f_T和f_max的显著提升,使设计者能够设计出远高于300 GHz的高频应用。
片上调谐器的设计与原理
片上调谐器是高频微波设计中的关键组件,它允许在芯片上进行阻抗匹配和噪声参数的提取。本章介绍的调谐器采用了集总元件、冷nMOS和变容二极管等被动组件。调谐器的传输线特性阻抗接近50Ω,通过调整不同组件的偏置,可以实现不同区域的阻抗匹配。
旅行波调谐器与数字温度控制器的应用
在D波段或更高频率下,传统的片上调谐器难以满足需求。因此,采用了旅行波调谐器拓扑结构和数字温度控制器(DTC)来扩大史密斯图的覆盖范围。这些技术通过周期性加载的退化型MOS晶体管和调谐范围的扩大,实现了在高频段的精确调谐。
结论与展望
本章通过对CMOS和BiCMOS技术中集成的主动和被动设备以及可调元件的详细介绍,展现了这些技术在高频微波器件设计中的潜力。未来的发展方向可能会集中在进一步提升晶体管性能、优化传输线特性,以及探索更多适用于高频微波领域的可调组件。
总结与启发
本文通过对CMOS与BiCMOS技术中片上调谐器和旅行波调谐器的详细分析,揭示了这些技术在高频微波器件设计中的关键作用。这些技术的突破为无线通信领域提供了新的可能性,尤其是在高频通信和毫米波应用中。设计师们可以利用这些先进的技术,实现更加高效、可靠和高性能的通信系统。
阅读本章内容,我被CMOS和BiCMOS技术在高频微波领域的应用潜力所启发。这些技术不仅推动了无线通信技术的发展,也为未来5G和毫米波通信技术的应用铺平了道路。在未来的阅读和研究中,我期待看到更多关于这些技术在实际应用中的案例和创新。
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