EEPROM数据存储操作注意事项

EEPROM以及FLASH的连续写入操作不能跨页面。
一种方法是对写入的数据地址以及长度进行分析，把写入的数据分段，这个比较麻烦，也容易出错。
简单的办法，是一段参数或者一条记录的开始地址定位在一个EEPROM内存页边界上，长度正好等于或者小于一个页长度的尺寸大小。
这样保证每次写入，都不会跨页。

EEPROM写入生效时间一般几个毫秒，一般5毫秒，因此不能连续写入，这样会造成I2C总线崩溃。可以写入完毕，启动一个定时器，每次写入函数开始判断定时是否完毕。
这个很重要，不注意，可能会又潜在的危险。

条件允许，硬件设计上，最好使用大容量铁电存储器，尽量不适用EEPROM或者FLASH。铁电存储器速度快，不存在跨写擦写等限制情况。

结构体数据写入EEPROM的时候，不要用强制类型转换拷贝到缓冲区，老老实实一个字节一个字节的按照高低顺序写入，读出的时候，按照写入的顺序恢复。TI的CCS编译器以及不同的MCU都有不同的字节序，用强制类型转换容易出错。
一个字节一个字节的按照高低顺序写入，多谢几行代码不易出错