后摩尔时代的晶体管

随着半导体技术逐步逼近1纳米乃至更小的制程节点，传统的晶体管架构正面临前所未有的挑战。从平面晶体管到FinFET，再到GAAFET、Forksheet以及CFET，晶体管结构的每一次演化，都是对材料科学、微纳制造工艺和电路设计极限的重新定义。

一、FinFET的极限已现

FinFET（鳍式场效应晶体管）自2011年被商业化以来，支撑了过去十余年的制程微缩。然而，随着节点推进到2纳米以下，FinFET的短沟道效应和电气控制瓶颈逐步显现。为继续提升晶体管密度和性能，业界开始转向环绕栅极结构（GAAFET）。

二、GAAFET与Nano-Sheet结构

GAAFET的核心在于利用纳米片（Nano-Sheet）代替传统鳍片，使得栅极可从三面包围演进至四面包围，显著增强了对沟道的静电控制能力。这种结构为2纳米节点（N2）及之后的工艺提供了关键支撑，预期可覆盖至1纳米（A10）节点。

然而，随着尺寸进一步缩小，GAAFET也暴露出问题。例如，N型与P型晶体管间距缩小会导致寄生电容显著上升，影响电路速度并增加功耗。这使得GAAFET难以持续支撑更高代的制程需求。

三、Forksheet结构的中继方案

为解决GAAFET中寄生电容问题，Forksheet结构被提出。该方案通过在N型和P型晶体管之间加入绝缘墙，实现物理隔离以降低互扰。然而，这一构型对制造工艺的挑战极大：

绝缘墙需具备极高的尺寸控制精度（8–10纳米），而其在前道工序中容易遭到刻蚀侵蚀；

标准单元的高度需压缩至约90纳