ADC采样非理想因素（三）

ADC 采样开关有几种非理想采样因素：1）采样的有限带宽 2）采样的时候时钟会有抖动3）开关会有沟道注入和时钟馈通。4）会有采样噪声

这里先讲一下开关架构选择对采样性能的影响。

最先想到的是使用单管，但单管的开关电阻随输入信号变化，所以线性度偏差比较大。

采用互补开关是一种办法，N管和P管并联作为传输开关。如下图所示：

它的电阻计算公式为：

当UnCox(W/L)N=upCox(W/L)P时，等效电阻跟输入信号无关。另外，对于高速输入信号，为了避免采样值的不确定性，N管和P管开关同时关断是关键。如果N管比P管早断开ΔT秒，那么输出电压会以大的，与输入信号有关的时间常数跟踪输入信号ΔT秒，增大采样值的失真。

当考虑衬偏效应及短沟道等高阶效应时，互补开关阻抗与Vin仍然有一定的相关性，所以线性度还不够高，所以高精度的ADC需要采用栅压自举开关，将MOS开关保持为一个跟Vin无关的值。

在保持阶段，开关PH1闭合，PH2断开，自举电容C两极板接到VDD和GND。Mos管开关断开。

在采样阶段，开关PH1断开，PH2闭合，C的上级板接到采样开关的栅极，下极板接到输入信号。由于C的电荷量保持不变，其上极板电压随输入变化，因此，栅源电压保持不变，固定为VDD，其导通电阻几乎不会随着输入信号而改变。

上面是自举开关电路实现图。C3就是自举电容，M0就是采样管。当采样时钟 CK 为低电平时，进入充电阶段。电容 C1和 C2 起到倍压作用，使 M3 的栅极可以达到接近 2VDD 的电压，从而使电容 C3 的上极板可以更为迅速地充电至 VDD。M1、M2 和 M3 的衬底连接到 VDD 是为了降低他们的阈值电压，这样可以减小它们的尺寸，同时可以降低 C1和 C2 的大小。M12和 M13将地电压传输到 M0的栅极，使 M0保持关断状态。

随后 CK 由低电平变为高电平，进入导通阶段。M8 将 M10 的栅极电压拉低，使M10 导通。M10 的衬底与源极相连是为了防止闩锁效应。M12 此时的作用是对 M13 进行保护，因为当 C3 的正极板连接至 M0 的栅极后，Vboost 电压可能超过 VDD，最高可以达到 2VDD，而此时 M13 的栅极接低电平，如无 M12 的保护，则 M13 的栅氧化层很可能因为过高的栅源电压而被击穿。自举开关中需要增加 C3 的容值以降低电荷注入效应。Vboost 电压在导通阶段可表示为：

其中，CP 代表 M0 栅极与 C3 上极板之间的寄生电容。M11 的作用是在充电电容 C3 工作前，将 M0 的栅极预充电至 VDD-Vth，使 M0 的导通更为迅速，同时减小了电荷注入效应，降低了所需的 C3 电容值。

相比于传统自举开关，在该电路中，增加了M14和 M15。它们的作用是当采样管 M0 关断时，通过 M15 将 M0 的衬底连接到地，而当M0 导通时，通过 M14将 M0 的衬底与输入信号相连。NMOS 管的阈值电压为：

其中，γ 是与工艺有关的体效应系数，一般在 0.4 左右。由上式可知，如果将 M0 的衬底固定在地电位，那么当 M0 导通时，VSB>0，会产生体效应。而加入 M14 后，可以减小 M0 导通时的源衬电压差，使 VSB 接近于 0，从而减小体效应，进一步降低导通电阻，提高线性度。