静态低功耗技术

1、静态低功耗技术

（1）多阈值工艺（Multi-Vt Design）方法

低阈值的标准逻辑单元：速度快、漏电流大；

高阈值的标准逻辑单元：速度慢、漏电流小。

一种多阈值工艺的设计流程如下图：

总结：在设计中可以在关键路径上使用低阈值的标准逻辑单元来优化时序，在非关键路径上使用高阈值的标准逻辑单元来优化漏电流。

优点：A可以大大减少系统的静态功耗；

           B没有任何面积开销，工艺库设计是将两种阈值库中的相应单元的面积设计成一样，这样可以方便替换。

（2）电源门控（Power Gating）方法

如上图所示，电源开关单元（Power Switch Cell）中的高阈值MOS管作为电源闸门，用来将低阈值电源和地隔离开。

在正常工作状态，Sleep信号为低电平，高阈值MOS管处于导通状态；当处于睡眠状态时，Sleep信号为高电平，切断电源，并且由于采用了高阈值MOS管作为开关，可以有效地减少漏电流。

（3）体偏置（Body Bias）

晶体管阈值电压随体偏置而变化。在工作模式下，MOS管的体偏置为0，MOS管处于低阈值状态，翻转速度快。在等待模式下，MOS管的体偏置为反向偏置，处于高阈值状态，漏电小。

注意：MOS管的体偏转需要时间，电路有等待模式转为工作模式的时间较长。