晶振负载电容计算（一篇讲清楚）

我们说到晶振的负载电容，通常指的是无源晶振

常规设计：无源晶振+2电容+1电阻（1M）

备注：

• 有源晶振：内部集成了完整的振荡电路（包括石英晶体、放大电路、滤波电路等），其振荡条件（如相位、增益、负载匹配）已在出厂前通过内部设计优化并固定，可直接输出稳定的时钟信号（如方波、正弦波）。
• 有源晶振的引脚有VCC，需要供电（有源嘛~字面意思）。
• 1M电阻可加可不加，你有预留焊盘肯定没问题，晶振靠近主控，按照π型滤波走线，适当加粗线宽。

问题来了！怎么计算这个外部的负载电容值呢？

一、核心公式

无源晶振的负载电容（CL）由电路中外部串联的两个电容（通常为对称的 C1 和 C2）以及电路杂散电容（Cs）共同决定，公式为：
        CL = (C1 × C2) / (C1 + C2) + Cs

备注：

• C1、C2：晶振两端外接的负载电容（通常取值相同，对称设计）；
• Cs：电路中的杂散电容（包括 PCB 布线电容、芯片引脚电容等，典型值 2-5pF，需根据实际电路估算）；
• CL：晶振 datasheet 中规定的负载电容值（如 12pF、20pF 等，必须满足此值才能稳定振荡）。

二、计算步骤

1. 确定晶振要求的负载电容（CL）
   从晶振的 datasheet 中找到 “Load Capacitance” 参数，例如某晶振标注为 “CL = 16pF”。（去嘉立创，半导小芯，贸泽去找规格书）

2. 估算杂散电容（Cs）
   杂散电容由 PCB 布局、元器件引脚等产生，经验值通常为 2-5pF（个人经验：3pF,晶振摆的比较远：4~5pF）。

3. 计算外部电容 C1 和 C2 的值
   实际设计中，C1 和 C2 通常取相同值（对称设计，简化电路），此时公式可简化为：
   当 C1 = C2 = C 时：
   CL = (C/2) + Cs
   推导得：
   C = 2 × (CL - Cs)

   • 示例：
     若晶振要求 CL = 16pF，估算 Cs = 3pF，则：
     C = 2 × (16 - 3) = 26pF
     即外部需并联两个 26pF 的电容（C1 = C2 = 26pF）。

问：加1M电阻有什么作用？（找了个网图）

总结：帮助晶振起振，稳定振荡频率（知道即可，可以不用深入）

• 原理：无源晶振本身需外部振荡电路（如 MCU 的 oscillator 引脚）提供激励才能起振。部分情况下，电路的反馈增益可能不足，导致晶振难以启动振荡。
• 作用：1MΩ 电阻通常并联在晶振的两个引脚之间（跨接在晶振两端），作为反馈电阻，可调整振荡电路的相位和增益，确保满足振荡条件（巴克豪森准则！！），帮助晶振快速、稳定地起振。
• 适用场景：尤其在高频晶振（如 10MHz 以上）或电路布局存在杂散电容干扰时，该电阻能增强反馈信号，避免起振失败或振荡不稳定。
• 另外：晶振起振后，1MΩ 电阻可抑制电路中的寄生振荡或高频干扰，减少因电源噪声、布线杂散参数导致的频率漂移，使输出时钟信号更稳定。

知识补充：

一、按是否有源分类

二、按功能特性分类（含增强型）

三、按频率范围分类

四、按材料分类

五、相关频率控制器件（非传统晶振）

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