器件打散 617版本 cadence virtuoso layout

本文介绍如何使用edit-hierachy-flatten功能,重点讲解了在设计过程中如何选择显示的层级(displayedlevels)、具体元素(pcells)和导电通孔(vias)。讲解了preserve选项的省略策略,适合电子设计工程师了解相关层级管理技巧。

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1、edit-hierachy-flatten
2、hierachy level 选择displayed levels、pcells、vias
3、preserve 不用选

<think>好的,用户想知道如何在Cadence Virtuoso中绘制或门(OR Gate)的版图。首先,我需要回忆一下Cadence的流程,记得通常包括原理图设计和版图设计两个主要步骤。根据引用[1],反相器的设计是先做原理图,再版图,然后验证。所以或门应该也是类似的流程。 首先,原理图设计部分。或门通常由MOS管构成,可能需要了解用户使用的工艺节点,比如TSMC 40nm LP,如引用[2]提到的。不过用户没有具体说明工艺,可能需要一般性指导。或门的逻辑功能是当任一输入为高时输出高,所以需要用PMOS和NMOS组合实现。可能需要参考基本逻辑门结构,比如使用两个并联的PMOS作为上拉,两个串联的NMOS作为下拉。这部分需要确认是否正确,或者是否有其他结构。 接下来是创建原理图。在Virtuoso中新建Cell,选择schematic视图,添加MOS管、电源、地、输入输出端口。连线后需要检查电气规则,使用Check and Save功能。这部分引用[3]提到导出网表,可能在后续验证时需要。 然后是版图设计。根据引用[1]和[2],版图设计需要符合DRC规则,考虑匹配、走线、金属层使用等。或门的版图可能需要将MOS管按照原理图的结构布局,注意栅极的连接,源漏区的共享以减少面积。打散版图可能有助于查看单个器件,如引用[2]中的flatten操作。 DRC和LVS验证是必须的。使用Calibre工具,导入规则文件,运行检查。如果LVS不通过,需要检查版图与原理图是否对应,引用[4]提到使用Define Device Correspondence来解决器件对应问题。PEX提取寄生参数,进行后仿真,确保性能达标。 用户可能需要更详细的步骤,比如如何具体放置MOS管,金属连线的最佳实践,或者常见错误的解决方法。此外,可能还需要解释或门的电路结构,确保原理图正确。同时,引用中的技巧,比如打散版图,可能对新手有帮助,需要提及。 最后,生成相关问题时要围绕Cadence操作、或门设计、验证步骤等方面,帮助用户深入理解。例如,DRC错误如何处理,LVS调试方法,或门的不同实现结构等。</think>在Cadence Virtuoso中设计或门(OR Gate)需遵循原理图设计、版图实现、验证三阶段流程。以下是具体步骤: --- ### 一、原理图设计 1. **电路结构选择** 或门可由CMOS逻辑实现,典型结构为: - 上拉部分:两个**并联的PMOS管**(输入信号通过反相器控制) - 下拉部分:两个**串联的NMOS管** 公式表达式:$Y = A + B$ 2. **创建原理图** - 打开Virtuoso Library Manager,新建Cell(如`OR_gate`),选择**Schematic**视图 - 添加组件:PMOS/NMOS(工艺库中调用)、VDD/GND符号、输入输出端口(快捷键`p`) - 连线后使用`Check and Save`验证电气规则[^3] --- ### 二、版图设计 1. **基础布局规则** - 根据工艺文件(如TSMC 40nm LP)确定层定义与设计规则[^2] - 保持MOS管方向一致,利用**共享扩散区**减小面积 - 输入输出信号线优先使用低电阻金属层(如Metal1) 2. **具体步骤** - 新建Layout视图,调用工艺库中的MOS管版图单元 - 按原理图结构排列器件: - PMOS并联布局,栅极对齐 - NMOS串联布局,漏极/源极重叠连接 - 添加N-well/P-sub接触孔,确保电位稳定 - 使用`Connectivity > Generate > All from Source`自动生成连线[^4] --- ### 三、验证与后仿真 1. **DRC检查** 通过Calibre运行设计规则检查,重点排查: - 最小间距(如多晶硅栅间距) - 金属覆盖扩散区边缘的延伸量 2. **LVS匹配** 在Calibre LVS中: - 设置原理图网表(`Input > Export from schematic viewer`)[^3] - 若报错,使用`Connectivity > Define Device Correspondence`手动映射器件 3. **PEX与仿真** - 提取寄生参数后导入ADE,验证延迟、功耗等指标 - 调整版图(如加宽电源线)优化性能 --- ### 示例代码(版图脚本片段) ```tcl # 生成PMOS并联结构 create_rect -name PM1 -layer PDiff -bbox {0 0 2 1} create_rect -name PM2 -layer PDiff -bbox {3 0 5 1} create_poly -name G1 -layer Poly -bbox {1 0 1 2} ``` ---
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