5、电感退化共源低噪声放大器的原理与特性分析

电感退化共源低噪声放大器的原理与特性分析

1. 从基本共源放大器到电感退化共源 LNA 的演变

1.1 基本共源放大器

基本的单晶体管共源（CS）放大器能满足低噪声放大器（LNA）的正增益要求，但存在输入阻抗纯容性的问题（基于经典准静态 MOS 模型）。

1.2 添加终端电阻

为了创建电阻性输入，可以在 LNA 输入处并联一个终端电阻。不过，直接将电阻接地会破坏放大器的直流偏置，因此应将电阻 $R_t$ 连接到直流偏置节点，并通过大的去耦电容 $C_{dc,in}$ 与地去耦。在 $\omega \gg 1/(R_tC_{dc,in})$ 时，输入阻抗为：
$Z_{in} = \frac{R_S}{1 + j\frac{\omega}{\omega_p}}$
其中，$\omega_p = \frac{1}{R_S(C_{gs} + MC_{gd})}$，$M$ 是米勒因子，$R_S = 50\Omega$ 为源电阻。该电路的米勒效应非常明显，$M = 1 + g_{m1}R_L$，这会严重限制频率性能并导致反向隔离性能变差。

1.3 添加共源共栅晶体管

添加共源共栅晶体管（如图 2.15(c) 所示）可显著降低米勒效应。当 $R_L \ll r_{ds2}$（$r_{ds2}$ 是共源共栅晶体管 $M_2$ 的输出电阻）时，$M = 1 + \frac{g_{m1}}{g_{m2}} \approx 2$。但该电路为了获得高增益需要较大的 $R_L$，这会导致 $R_L$ 上有较大的直流压降。为使电路在参数范围内工作，$R_L$ 需满足：
$R_L < \frac{V_{D