7、CMOS无线接收器中的低噪声放大器与ESD保护

CMOS无线接收器中的低噪声放大器与ESD保护

1. RF CMOS设计相关概念

在RF CMOS设计中，引入了一种易于管理的MOS晶体管模型，该模型与Hspice MOS模型级别3密切相关，能够在设计优化期间重现器件的典型行为。为了在噪声、增益和线性度方面获得更真实的仿真结果，在仿真中使用的MOS模型增加了10个额外的电阻和电容，同时还对MOS器件栅极的相关非准静态效应进行了建模，所有额外组件的计算都考虑了器件的物理布局。

1.1 LNA在接收器链中的功能

对不同的CMOS噪声源进行研究后，探讨了低噪声放大器（LNA）在接收器链中的功能。基于二端口级联理论得出，LNA为整个接收器可达到的噪声系数设定了最小值，同时也为可达到的IIP3设定了上限。功率增益和电压增益的重要性也得到了体现，其值由后续混频器级的动态范围决定。此外，还研究了LNA的其他要求，如匹配、反向隔离和稳定性。

1.2 常见LNA拓扑

常见的LNA拓扑有多种，即使尚未考虑寄生效应，也能得出一些有趣的结论：
- 共源电感退化LNA ：在噪声系数和增益方面似乎表现最佳，但噪声系数会随频率升高而迅速增加。
- 共栅LNA ：不会受到上述频率影响，并且可以通过增加电流消耗来持续改善噪声系数。当频率和功率预算较大时，转向这种拓扑可能是一个不错的选择。
- 共栅放大器和并联反馈放大器 ：还具有处理基带信号的额外能力。

2. ESD保护概述

静电放电（ESD）是静电电荷或能量的释放。这个名称有些特