13、RF-ESD协同设计拓扑结构分析-CSDN博客

在射频电路设计中，静电放电（ESD）保护至关重要，特别是对于低噪声放大器（LNA）的输入部分。传统的L型网络在高频和较大寄生输入电容的情况下，可能无法实现有效的输入匹配。因此，本文将介绍两种不同的ESD保护拓扑结构：Π型匹配网络和电感式ESD保护，并对它们进行比较。

在LNA输入的ESD保护中，Π型匹配网络是一种有效的解决方案。与L型网络中的单个ESD设备不同，Π型网络中有两个钳位设备，中间有一个限流设备。在低噪声放大器中，限流设备由电感代替了大电阻，因为大电阻会影响放大器性能。

从射频角度看，这三个设备在射频频率下可简化为主要的寄生元件。两个钳位设备被电容C1和C2取代，电感被分为Lg1和Lg2，构成了一个无损的CLC匹配网络，即Π匹配。这种匹配网络的影响可以通过研究M1栅极看到的等效源阻抗纳入LNA模型。

与L型匹配相比，Π型匹配网络的QLNA,in不同。对于L型匹配，QLNA,in近似等于Qin，但在Π型匹配中，QLNA,in还取决于RS,int。等效源电阻与输入匹配的带宽解耦，通过增加RS,int可以增加带宽，但由于RS,int始终小于RS，所以Π匹配的带宽总是小于L匹配。

Π型匹配的主要优点是，对于任何ESD电容值，都可以将等效源电阻RS,eq设置为适合所需性能的任何值，只需正确分配C1和C2上的ESD设备。从射频角度来看，降低总电容（C1 + C2）仍然很重要，因为较高的电容会降低电路带宽，但增益、噪声系数和IIP3可以独立于总电容设置。

考虑到非理想情况，主要的非理想性与片上电感Lg有关。电感的串联电阻会引入噪声，其对噪声因子的贡献为： <