17、集成 CMOS 低噪声放大器的设计与性能分析

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于 2025-08-02 10:17:28 发布

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分类专栏： CMOS无线接收器中LNA-ESD共设计探索文章标签： CMOS 低噪声放大器 LNA

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集成 CMOS 低噪声放大器的设计与性能分析

1. 5GHz LNA 的设计与性能

在 5GHz 低噪声放大器（LNA）的设计中，诸多因素会影响其性能。输出缓冲器的输出电阻 $R_{L,buf} = 80\Omega$ 。功率增益理论上应仅为 $\frac{V_{GS}}{V} - \frac{V_T}{V}$ 的函数，而非电流的函数，增益等高线应为垂直线，但这仅在 ESD 电感的等效并联电阻远大于等效并联源电阻时成立。若不满足该条件，功率增益近似为：
$G_T \approx \frac{g_{m,buf}^2 R_{L}^2 R_{L,buf}}{R_S} (\frac{\omega_T}{\omega_0})^2 \frac{1}{(1 + M\alpha g_d)^2} (\frac{R_{p,ESD}}{2R_{p,ESD} + R_{S,p}})^2$

当 $2R_{p,ESD} \gg R_{S,p}$ 时，增益不受影响；否则，输入信号功率会在 ESD 电感中大量损耗，导致功率增益下降。