| dbo:abstract
|
- عملية 10 ميكرومتر عملية 10 ميكرومتر (بالإنجليزية: 10 µm process) عملية تشير إلى مستوى عملية تصنيع تقنية أشباه الموصلات التي تم التوصل إليها بحدود العامين 1971 و1972 ميلادي من قبل الشركات الرائدة في مجال أشباه الموصلات، مثل إنتل. (ar)
- The 10 μm process is the level of MOSFET semiconductor process technology that was commercially reached around 1971, by leading semiconductor companies such as RCA and Intel. (en)
- El proceso de 10 µm se refiere a una tecnología de proceso de semiconductores producidos en los años 1971 y 1972 por las principales empresas de semiconductores como Intel. (es)
- 10 µm (ou encore 10 000 nm) est un processus de fabrication appartenant à la technologie des semi-conducteurs. Cette technologie a été atteinte par Intel, la principale industrie de semi-conducteurs dans les années 1971-1972. Le successeur de ce procédé utilise une largeur de canal de 3 µm. (fr)
- 10 µm(마이크로미터) 공정은 회로선 폭이 10 µm인 반도체를 다루는 공정 기술 수준이다. 1971년에서 1972년 경 인텔과 같은 반도체 회사가 달성하였다. (ko)
- 10 µm (o 10000 nanometri) è un processo produttivo della tecnologia dei semiconduttori con cui vengono prodotti i circuiti integrati a larghissima scala di integrazione (VLSI). Questa tecnologia fu raggiunta da Intel, la principale industria di semiconduttori, negli anni 1971-1972. Il successore di questo processo utilizza una larghezza di canale di 3 µm. (it)
- O processo de 10 μm é o nível de tecnologia de processamento de semicondutor MOSFET que foi comercialmente atingiu cerca de 1971, por empresas de semicondutores principais tais como RCA e Intel. Em 1960, o engenheiro egípcio Mohamed M. Atalla e o engenheiro coreano Dawon Kahng, enquanto trabalhavam na Bell Labs, demonstraram os primeiros transistores MOSFET com comprimentos de porta de 20 μm e, em seguida, 10 μm. Em 1969, a Intel lançou o chip 1101 MOS SRAM com um processo de 12 μm. (pt)
- 10 µm制程是半导体制造制程的一个水平，大约于1971年左右达成。 这一制程由当时领先的半导体公司如英特尔所完成。 (zh)
|
| dbo:wikiPageExternalLink
| |
| dbo:wikiPageID
| |
| dbo:wikiPageLength
|
- 3089 (xsd:nonNegativeInteger)
|
| dbo:wikiPageRevisionID
| |
| dbo:wikiPageWikiLink
| |
| dbp:list
|
- MOSFET semiconductor device fabrication process (en)
|
| dbp:next
| |
| dbp:prev
| |
| dbp:wikiPageUsesTemplate
| |
| dcterms:subject
| |
| gold:hypernym
| |
| rdf:type
| |
| rdfs:comment
|
- عملية 10 ميكرومتر عملية 10 ميكرومتر (بالإنجليزية: 10 µm process) عملية تشير إلى مستوى عملية تصنيع تقنية أشباه الموصلات التي تم التوصل إليها بحدود العامين 1971 و1972 ميلادي من قبل الشركات الرائدة في مجال أشباه الموصلات، مثل إنتل. (ar)
- The 10 μm process is the level of MOSFET semiconductor process technology that was commercially reached around 1971, by leading semiconductor companies such as RCA and Intel. (en)
- El proceso de 10 µm se refiere a una tecnología de proceso de semiconductores producidos en los años 1971 y 1972 por las principales empresas de semiconductores como Intel. (es)
- 10 µm (ou encore 10 000 nm) est un processus de fabrication appartenant à la technologie des semi-conducteurs. Cette technologie a été atteinte par Intel, la principale industrie de semi-conducteurs dans les années 1971-1972. Le successeur de ce procédé utilise une largeur de canal de 3 µm. (fr)
- 10 µm(마이크로미터) 공정은 회로선 폭이 10 µm인 반도체를 다루는 공정 기술 수준이다. 1971년에서 1972년 경 인텔과 같은 반도체 회사가 달성하였다. (ko)
- 10 µm (o 10000 nanometri) è un processo produttivo della tecnologia dei semiconduttori con cui vengono prodotti i circuiti integrati a larghissima scala di integrazione (VLSI). Questa tecnologia fu raggiunta da Intel, la principale industria di semiconduttori, negli anni 1971-1972. Il successore di questo processo utilizza una larghezza di canale di 3 µm. (it)
- O processo de 10 μm é o nível de tecnologia de processamento de semicondutor MOSFET que foi comercialmente atingiu cerca de 1971, por empresas de semicondutores principais tais como RCA e Intel. Em 1960, o engenheiro egípcio Mohamed M. Atalla e o engenheiro coreano Dawon Kahng, enquanto trabalhavam na Bell Labs, demonstraram os primeiros transistores MOSFET com comprimentos de porta de 20 μm e, em seguida, 10 μm. Em 1969, a Intel lançou o chip 1101 MOS SRAM com um processo de 12 μm. (pt)
- 10 µm制程是半导体制造制程的一个水平，大约于1971年左右达成。 这一制程由当时领先的半导体公司如英特尔所完成。 (zh)
|
| rdfs:label
|
- عملية 10 ميكرومتر (ar)
- 10 µm process (en)
- Proceso de 10 µm (es)
- 10 µm (it)
- 10 µm (fr)
- 10 µm 공정 (ko)
- 10 µm (pt)
- 10微米制程 (zh)
|
| owl:sameAs
| |
| prov:wasDerivedFrom
| |
| foaf:isPrimaryTopicOf
| |
| is dbo:wikiPageRedirects
of | |
| is dbo:wikiPageWikiLink
of | |
| is foaf:primaryTopic
of | |
