碳化硅MOS体二极管问题，这个二极管能过多大电流？一看就懂。如果不了解，会认为这个二极管能流过的电流非常小，因为它还有一个名称叫“寄生二极管”，很容易被它骗。
寄生二字，会很容易让人联想到寄生电感，寄生电容，而这两个东西一般都是很小的，所以很容易误认为这个寄生二极管也很弱，过不了比较大的电流。
问题解答：应该都知道上面这是个buck电路吧，下管是NMOS管，在上管断开，下管导通的时候，电感的电流来源于下管。
也就是说，下管NMOS的电流方向是从S到D的，也就是反着流，并且这个电流可以是很大的，因为电感的电流是可以比较大的，跟负载有关。除此之外，BUCK在开关切换的时候，会存在死区时间（上管和下管都不导通的时候）。而电感的电流是不能断的，死区时间电感的电流就是走的下管的体二极管。
碳化硅MOS体二极管在电力电子设备中扮演着重要的角色，尤其是在高功率应用如国产碳化硅MOS器件、光储充系统、充电桩、车载OBC（On-Board Charger）以及电机控制中。体二极管，作为MOSFET内部的一个组成部分，常常被误解为只能通过微小电流的“寄生”元件。然而，实际上，它能够承载的电流远比人们想象的要大。
在Buck转换器电路中，体二极管的作用尤为重要。当NMOS管作为下管工作时，上管关闭，下管导通，电感中的电流将通过下管从源极S流向漏极D。这个电流大小与负载相关，可能达到几安培。在开关切换期间的死区时间内，电感电流需连续，这时体二极管便起到续流作用，允许电流通过。因此，体二极管必须能够承受与电感负载电流相匹配的大小。
关于MOS管体二极管的电流承载能力，选型时确实需要考虑。尽管许多MOSFET数据手册并未明确标注体二极管的电流参数，但某些厂家会提供相关信息。例如，SI9804这款NMOS管的体二极管能持续通过2.1A的电流，这可能是基于其最大功耗限制（2.5W）的推算。一般而言，体二极管的导通电压约为1V，据此可以估算出相应的电流值。
更详细的MOS管手册，如英飞凌的BSC059N04LS6，提供了体二极管的详细过流能力参数。该手册显示，体二极管在特定条件下可承受高达38A的持续电流和236A的脉冲电流，但这些值是在外壳温度Tc=25℃的假设下。在实际应用中，考虑到散热条件，体二极管的实际电流承载能力会降低。通过查看功耗限制，我们可以发现体二极管的电流能力与其最大功率消耗直接相关。
对于瞬态电流，体二极管在短时间内能通过的电流通常比持续电流大得多，这在Buck电路的死区时间尤为明显。以BSC059N04LS6为例，其瞬态电流可达236A，远高于其持续电流，表明在短暂脉冲下，体二极管不会成为系统瓶颈。
总结来说，MOS体二极管的电流承载能力并不像其“寄生”名称所暗示的那样微不足道。在设计和选型过程中，理解并考虑体二极管的电流参数至关重要，特别是对于高功率应用，确保其能够承受电路中可能出现的最大电流，以保证系统的稳定运行。此外，体二极管的瞬态电流能力也需要考虑，因为这直接影响到器件在快速开关状态下的性能。
