2SK3484-Z-E1-AZ一款TO252封装 MOSFET参数应用解析

"2SK3484-Z-E1-AZ MOSFET参数应用解析" 本文将对2SK3484-Z-E1-AZ MOSFET参数进行详细的应用解析，以帮助读者更好地理解该 MOSFET 的特性和应用。 参数解析 我们来分析该MOSFET的参数。根据官方数据手册，该MOSFET的主要参数如下： * 额定电压（VDS）：100V * 峰值电流（ID）：18A * 电阻（RDS(on)）：115mΩ@10V，121mΩ@4.5V * 门极电压（VGS）：±20V * 门极阈值电压（VGS(th)）：1.6V 这些参数表明该MOSFET适合用于高电压和高电流的应用场景。 应用场景 根据官方数据手册，该MOSFET适合用于以下应用场景： * PRIMARY SIDE SWITCH * PWM优化 * ROHS指令2002/95/EC兼容 这些应用场景表明该MOSFET适合用于高频率的开关电路和PWM调制电路。 绝对最大额定值 下面是该MOSFET的绝对最大额定值： * 排放-源极电压（VDS）：100V * 门-源极电压（VGS）：±20V * 连续漏电流（ID）：13A * 脉冲漏电流（IDM）：40A *_Source电流（IS）：3A * 雪崩电流（IAS）：3A * 单脉冲雪崩能量（EAS）：18mJ 这些绝对最大额定值表明该MOSFET可以承受高电压和高电流的应用场景。 热阻抗 下面是该MOSFET的热阻抗参数： * 结-ambient热阻抗（RthJA）：1518°C/W * 结-case热阻抗（RthJC）：0.85°C/W 这些热阻抗参数表明该MOSFET的热性能非常好，可以在高温环境下工作。 工作温度范围 该MOSFET的工作温度范围为-55°C到150°C，这表明该MOSFET可以在广泛的温度范围内工作。 结论 该2SK3484-Z-E1-AZ MOSFET参数应用解析表明该MOSFET适合用于高电压和高电流的应用场景，具有良好的热性能和广泛的工作温度范围。