MI3105-VB一款P-Channel沟道SOT89-3的MOSFET晶体管参数介绍与应用说明

MI3105-VB是一款P型沟道的MOSFET晶体管，采用SOT89-3封装形式。这种晶体管能够承受的最大漏极-源极电压(VDS)为-30V，最大漏极电流(ID)为-5.8A。在栅极-源极电压(VGS)为10V时，其导通电阻(RDS(ON))为50mΩ，而在VGS为20V时，性能会更好。该晶体管的开启电压(Vth)范围为-0.6V至-2V。 MI3105-VB的特性包括： - 无卤素，符合IEC 61249-2-21标准； - TrenchFET® 功率MOSFET技术； - 经过100%栅极电阻(Rg)测试。 应用方面，MI3105-VB主要用于负载开关和电池开关等场景。 在产品总结方面，该晶体管在VGS为-10V时，RDS(on)为0.056Ω；在VGS为-4.5V时，漏极-源极电荷(dQg)典型值为13 nC。该晶体管在表面安装于1" x 1" FR4板时，脉冲测试条件下，其持续漏极电流在25°C时为-7.6A，在70°C时为-5.8A。连续源-漏二极管电流为-6.0A，脉冲漏极电流为-35A。在70°C时，最大功率耗散为3.5W。 绝对最大额定值方面，MI3105-VB在环境温度为25°C时的最大额定值为： - 漏极-源极电压(VDS)为-30V； - 栅极-源极电压(VGS)为±20V； - 持续漏极电流(ID)在25°C时为-7.6A，70°C时为-5.8A； - 最大功率耗散(PD)在25°C时为6.5W，70°C时为3.5W； - 工作结温(Tj)和存储温度(Tstg)范围为-55至150°C。 热阻抗的额定值为： - 最大结-环境热阻(RthJA)在最大为40°C/W，典型值为50°C/W； - 最大结-脚热阻(RthJF)在最大为24°C/W，典型值为30°C/W。 MI3105-VB的详细规格包括静态特性，比如在VGS = 0V和ID为-250µA时的漏极-源极击穿电压为-30V。漏极-源极电压温度系数为-31mV/°C，而栅极-源极阈值电压(VGS(th))的温度系数为4.5mV/°C。这些参数定义了晶体管在不同温度下的性能变化。 整体来看，MI3105-VB具有较高的电流处理能力、低导通电阻和良好的热特性，适合在各种电源管理和开关电路中使用。它的使用可以提高电路效率并减少功耗，是电池和负载切换应用的理想选择。