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单片机应用的外文资料
主要性能
• 与 MCS-51 单片机产品兼容
• 8K 字节在系统可编程 Flash 存储器
• 1000 次擦写周期
• 全静态操作:0Hz~33Hz
• 三级加密程序存储器
• 32 个可编程 I/O 口线
• 三个 16 位定时器/计数器
• 八个中断源
• 全双工 UART 串行通道
• 低功耗空闲和掉电模式
• 掉电后中断可唤醒
• 看门狗定时器
• 双数据指针
• 掉电标识符
1.功能特征描述
AT89S52 是一种低功耗、高性能 CMOS8 位微控制器,具有 8K 在系统可编程 Flash
存储器。使用 Atmel 公司高密度非易失性存储器技术制造,与工业 80C51 产品指令和
引脚完全兼容。片上 Flash 允许程序存储器在系统可编程,亦适于常规编程器。在单
芯片上,拥有灵巧的 8 位 CPU 和在系统可编程 Flash,使得 AT89S52 为众多嵌入式控
制应用系统提供高灵活、超有效的解决方案。AT89S52 具有以下标准功能: 8k 字节
Flash,256 字节 RAM,32 位 I/O 口线,看门狗定时器,2 个数据指针,三个 16 位定
时器/计数器,一个 6 向量 2 级中断结构,全双工串行口,片内晶振及时钟电路。另
外,AT89S52 可降至 0Hz 静态逻辑操作,支持 2 种软件可选择节电模式。空闲模式下,
CPU 停止工作,允许 RAM、定时器/计数器、串口、中断继续工作。掉电保护方式下,
RAM 内容被保存,振荡器被冻结,单片机一切工作停止,直到下一个中断或硬件复位
为止。

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2.引脚功能
VCC :电源
GND: 接地
P0 口: P0 口是一个 8 位漏极开路的双向 I/O 口。作为输出口,每位能驱动 8 个 TTL
逻辑电平。对 P0 端口写“1”时,引脚用作高阻抗输入。当访问外部程序和数据存储
器时,P0 口也被作为低 8 位地址/数据复用。在这种模式下,P0 具有内部上拉电阻。
在 flash 编程时,P0 口也用来接收指令字节;在程序校验时,输出指令字节。程序校
验时,需要外部上拉电阻。
P1 口:P1 口是一个具有内部上拉电阻的 8 位双向 I/O 口,p1 输出缓冲器能驱动 4 个
TTL 逻辑电平。对 P1 端口写“1”时,内部上拉电阻把端口拉高,此时可以作为输入
口使用。作为输入使用时,被外部拉低的引脚由于内部电阻的原因,将输出电流
(IIL)。此外,P1.0 和 P1.2 分别作定时器/计数器 2 的外部计数输入(P1.0/T2)和
时器/计数器 2 的触发输入(P1.1/T2EX),具体如下表所示。在 flash 编程和校验时,
P1 口接收低 8 位地址字节。
表 1
引脚号
第二功能
P1.0
T2(定时器/计数器T2的外部计数输入),时钟输出
P1.1
T2EX(定时器/计数器T2的捕捉/重载触发信号和方向控
制)
P1.5
MOSI(在系统编程用)
P1.6
MISO(在系统编程用)
P1.7
SCK(在系统编程用)
P2口:P2 口是一个具有内部上拉电阻的8 位双向I/O 口,P2 输出缓冲器能驱动4 个
TTL 逻辑电平。对P2 端口写“1”时,内部上拉电阻把端口拉高,此时可以作为输
入口使用。作为输入使用时,被外部拉低的引脚由于内部电阻的原因,将输出电
(IIL)。在访问外部程序存储器或用16位地址读取外部数据存储器(例如执行MOVX
@DPTR)时,P2 口送出高八位地址。在这种应用中,P2 口使用很强的内部上拉发

3
送1。在使用8位地址(如MOVX @RI)访问外部数据存储器时,P2口输出P2锁存器的
内容。在flash编程和校验时,P2口也接收高8位地址字节和一些控制信号。
P3口:P3 口是一个有内部上拉电阻的8 位双向I/O 口,p2 输出缓冲器能驱动4 个TTL
逻辑电平。对P3 端口写“1”时,内部上拉电阻把端口拉高,此时可以作为输入口使
用。作为输入使用时,被外部拉低的引脚由于内部电阻的原因,将输出电流(IIL)。
P3口亦作为AT89S52特殊功能(第二功能)使用,如下表所示。在flash编程和校验时,
P3口也接收一些控制信号。
表2
引脚号
第二功能
P3.0
RXD(串行输入)
P3.1
TXD(串行输出)
P3.2
INT0
(外部中断0)
P3.3
INT1
(外部中断1)
P3.4
T0(定时器0外部输入)
P3.5
T1定时器1外部输入)
P3.6
WR
(外部数据存储器写选通)
P3.7
RD
(外部数据存储器写选通)
RST:复位输入。晶振工作时,RST脚持续2 个机器周期高电平将使单片机复位。看门
狗计时完成后,RST 脚输出96 个晶振周期的高电平。特殊寄存器AUXR(地址8EH)上的
DISRTO位可以使此功能无效。DISRTO默认状态下,复位高电平有效。
ALE/
PROG
:地址锁存控制信号(ALE)是访问外部程序存储器时,锁存低8 位地址
的输出脉冲。在flash编程时,此引脚(
PROG
)也用作编程输入脉冲。在一般情况下,
ALE 以晶振六分之一的固定频率输出脉冲,可用来作为外部定时器或时钟使用。然
而,特别强调,在每次访问外部数据存储器时,ALE脉冲将会跳过。如果需要,通过
将地址为8EH的SFR的第0位置 “1”,ALE操作将无效。这一位置 “1”,ALE 仅在执行
MOVX 或MOVC指令时有效。否则,ALE 将被微弱拉高。这个ALE 使能标志位(地
址为8EH的SFR的第0位)的设置对微控制器处于外部执行模式下无效。
PSEN
:外部程序存储器选通信号(
PSEN
)是外部程序存储器选通信号。当AT89S52从
外部程序存储器执行外部代码时,
PSEN
在每个机器周期被激活两次,而在访问外部

4
数据存储器时,
PSEN
将不被激活。
EA
/VPP:访问外部程序存储器控制信号。为使能从0000H 到FFFFH的外部程序存储器
读取指令,
EA
必须接GND。为了执行内部程序指令,
EA
应该接VCC。在flash编程期
间,
EA
也接收12伏VPP电压。
XTAL1:振荡器反相放大器和内部时钟发生电路的输入端。
XTAL2:振荡器反相放大器的输出端。
3.存储器结构
MCS-51器件有单独的程序存储器和数据存储器。外部程序存储器和数据存储器都
可以64K寻址。
3.1程序存储器
如果
EA
引脚接地,程序读取只从外部存储器开始。对于89S52,如果
EA
接VCC,
程序读写先从内部存储器(地址为0000H~1FFFH)开始,接着从外部寻址,寻址地址
为:2000H~FFFFH。
3.2数据存储器
AT89S52 有256 字节片内数据存储器。高128 字节与特殊功能寄存器重叠。也
就是说高128字节与特殊功能寄存器有相同的地址,而物理上是分开的。当一条指令
访问高于7FH 的地址时,寻址方式决定CPU 访问高128 字节RAM 还是特殊功能寄
存器空间。直接寻址方式访问特殊功能寄存器(SFR)。例如,下面的直接寻址指令
访问0A0H(P2口)存储单元
MOV 0A0H , #data
使用间接寻址方式访问高128 字节RAM。例如,下面的间接寻址方式中,R0 内容为
0A0H,访问的是地址0A0H的寄存器,而不是P2口(它的地址也是0A0H)。
MOV @R0 , #data
堆栈操作也是简介寻址方式。因此,高128字节数据RAM也可用于堆栈空间。

5
4.看门狗定时器
WDT是一种需要软件控制的复位方式。WDT 由13位计数器和特殊功能寄存器中
的看门狗定时器复位存储器(WDTRST)构成。WDT 在默认情况下无法工作;为了
激活WDT,户用必须往WDTRST 寄存器(地址:0A6H)中依次写入01EH 和0E1H。
当WDT激活后,晶振工作,WDT在每个机器周期都会增加。WDT计时周期依赖于外
部时钟频率。除了复位(硬件复位或WDT溢出复位),没有办法停止WDT工作。当WDT
溢出,它将驱动RSR引脚一个高个电平输出。
4.1WDT的使用
为了激活WDT,用户必须向WDTRST寄存器(地址为0A6H的SFR)依次写入0E1H和0E1H。
当WDT激活后,用户必须向WDTRST写入01EH和0E1H喂狗来避免WDT溢出。当计数达到
8191(1FFFH)时,13 位计数器将会溢出,这将会复位器件。晶振正常工作、WDT激活后,
每一个机器周期WDT 都会增加。为了复位WDT,用户必须向WDTRST 写入01EH 和0E1H
(WDTRST 是只读寄存器)。WDT 计数器不能读或写。当WDT 计数器溢出时,将给RST
引脚产生一个复位脉冲输出,这个复位脉冲持续96个晶振周期(TOSC),其中
TOSC=1/FOSC。为了很好地使用WDT,应该在一定时间内周期性写入那部分代码,以避
免WDT复位。
4.2掉电和空闲方式下的WDT
在掉电模式下,晶振停止工作,这意味这WDT也停止了工作。在这种方式下,用
户不必喂狗。有两种方式可以离开掉电模式:硬件复位或通过一个激活的外部中断。
通过硬件复位退出掉电模式后,用户就应该给WDT 喂狗,就如同通常AT89S52 复位一
样。通过中断退出掉电模式的情形有很大的不同。中断应持续拉低很长一段时间,使
得晶振稳定。当中断拉高后,执行中断服务程序。为了防止WDT在中断保持低电平的
时候复位器件,WDT 直到中断拉低后才开始工作。这就意味着WDT 应该在中断服务程
序中复位。为了确保在离开掉电模式最初的几个状态WDT不被溢出,最好在进入掉电
模式前就复WDT。在进入待机模式前,特殊寄存器AUXR的WDIDLE位用来决定WDT是否继
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