stm32-Flash操作-保存数据

STM32 Flash 操作 - 保存数据 STM32 是一款由 STMicroelectronics 公司生产的 32 位微控制器，广泛应用于嵌入式系统、消费电子、汽车电子等领域。其中，Flash 操作是 STM32 中一个重要的存储器件，负责存储程序和数据。 Flash 操作简介 Flash 操作是指对 Flash 存储器的读写操作，包括擦除、编程和读取。Flash 存储器是一种非易失性存储器，可以在断电后保持其存储的数据。STM32 的 Flash 存储器分为两个银行：Bank1 和 Bank2，每个银行又可以分为多个页，每页的大小为 2KB。 Flash 编程 Flash 编程是指将数据写入 Flash 存储器的过程。STM32 提供了多种编程方式，包括全志编程和部分编程。全志编程是指将整个 Flash 存储器擦除，然后编程新的数据。部分编程是指只将需要更新的数据编程到 Flash 存储器中。 Flash擦除 Flash 擦除是指将 Flash 存储器中的数据清除的过程。STM32 提供了多种擦除方式，包括页擦除和块擦除。页擦除是指将单个页中的数据清除，而块擦除是指将多个页中的数据清除。 Flash 读取 Flash 读取是指从 Flash 存储器中读取数据的过程。STM32 提供了多种读取方式，包括字节读取和块读取。字节读取是指读取单个字节的数据，而块读取是指读取多个字节的数据。 Falsh_Write 函数 Falsh_Write 函数是 STM32 的一款 Flash 编程函数，该函数将数据写入 Flash 存储器中。该函数的参数包括指向要写入数据的指针和要写入的数据大小。 代码分析 在给定的代码中，我们可以看到 Falsh_Write 函数的实现过程。该函数将要写入的数据的大小转换为页数，然后调用 FLASH_ErasePage 函数擦除相应的页。接着，该函数将数据写入 Flash 存储器中。 在代码中，我们还可以看到一些重要的宏定义，例如 FLASH_PAGE_SIZE，BANK1_WRITE_START_ADDR 等。这些宏定义用于指定 Flash 存储器的页大小和写入的起始地址。 STM32 的 Flash 操作是非常重要的，广泛应用于嵌入式系统和消费电子等领域。 Falsh_Write 函数是 STM32 的一款 Flash 编程函数，用于将数据写入 Flash 存储器中。