【第三代半导体材料】GaN中痕量杂质浓度及分布的二次离子质谱检测标准：氮化镓材料高精度分析方法

内容概要：本文档是关于氮化镓（GaN）材料中痕量杂质浓度及分布的二次离子质谱（SIMS）检测方法的标准文件。该标准由第三代半导体产业技术创新战略联盟发布，详细规定了使用SIMS检测GaN材料中硅、铝、锌、铁等痕量杂质浓度及分布的方法。文中介绍了方法原理、干扰因素、所需仪器及设备、试样准备、操作步骤、结果计算以及重复性和准确度的要求。通过高真空条件下的离子轰击和二次离子的选择性分离，实现对痕量杂质的高精度定量分析。 适合人群：从事半导体材料研究、检测的专业技术人员，以及相关领域的科研人员和工程师。 使用场景及目标：①用于氮化镓材料中硅、铝、锌、铁等痕量杂质浓度及分布的高精度检测；②确保检测结果的准确性和重复性，为半导体材料的质量控制提供依据；③支持第三代半导体材料的特征参数评价及产业应用。 其他说明：该标准填补了国内在这一领域的空白，对推动第三代半导体材料的发展具有重要意义。标准中详细描述了从样品准备到最终结果报告的每一步骤，确保检测过程的规范化和标准化。此外，标准还强调了可能影响检测结果的干扰因素，并提供了相应的应对措施。