石墨烯上外延GaN薄膜的取向演变研究

本文研究了在石墨烯上生长GaN薄膜时晶体取向的变化。采用AlN成核层辅助生长，GaN由取向相差较大的小晶粒，逐渐合并为与石墨烯取向一致的晶粒，最终形成了约4.6 μm厚的GaN薄膜。通过EBSD和XRD证实了GaN晶体取向一致性的提高，拉曼光谱也表明GaN晶体的高质量。