湿法刻蚀技术是一种通过化学反应来移除半导体材料的方法，在集成电路的制造工艺中具有重要作用。在这篇发表于《ECSSolidStateLetters》的研究论文中，研究人员展示了如何通过湿法刻蚀工艺在绝缘膜上制备超薄锗（Germanium-on-Insulator, GOI）薄膜的技术，并探讨了该技术的可行性与潜力。
在半导体领域，随着晶体管特征尺寸不断缩小至纳米级别，传统的硅（Silicon, Si）材料的电子和空穴迁移率开始受限，无法满足未来高性能器件的需求。因此，具有更高电子和空穴迁移率的锗（Germanium, Ge）成为了替代硅的重要候选材料。此外，将锗与绝缘体材料结合的GOI结构，能够减小结电容并改善静电控制，这一结合为先进互补金属氧化物半导体（CMOS）器件的发展提供了新的可能性。
文章中提到，目前制备GOI的方法包括锗冷凝技术、液相外延技术和层转移技术等。而本文的研究重点在于开发一种新型的湿法刻蚀方法，利用稀释溶液（NH4OH:H2O2:H2O2以1:4000的混合比例）在低温（5°C）下减少GOI薄膜的厚度。通过这种方法，研究人员能够很好地控制刻蚀速率和薄膜的厚度均匀性。
为了证明该方法的有效性，研究团队制备了具有15纳米厚度的Ge薄膜GOI晶圆，并通过湿法刻蚀方法得到了均匀度良好的薄膜。刻蚀后的薄膜表面粗糙度的均方根值小于0.5纳米，且与原始样品相比没有出现退化，这表明湿法刻蚀工艺在减少Ge薄膜厚度的同时，也保持了表面的平滑度和质量。
研究团队使用经过湿法刻蚀工艺处理的GOI晶圆，成功制备出了背栅 Junctionless 晶体管（JLTs）。这些晶体管展现了良好的电流开关比和载流子迁移率，证明了湿法刻蚀工艺在有效减薄Ge薄膜方面的有效性。
值得注意的是，该研究成果是在开放获取的许可下发布的，即Creative Commons Attribution 4.0 License (CCBY)，它允许在任何媒介中不受限制地重用该工作，只要适当引用了原始作品。
论文指出，随着晶体管尺寸的进一步缩小，GOI基板被认为是未来晶体管中具有广泛应用前景的材料，尤其是在制备高级互补金属氧化物半导体（如无结晶体管JLTs）方面。然而，制造高质量的超薄体（Ultrathin body, UTB）GOI基板仍然具有挑战性，这需要后续研究的进一步探讨和优化。
通过这篇研究论文，我们可以看到湿法刻蚀技术在现代半导体制造中的重要作用，并且为未来超薄Ge基器件的开发提供了新的思路和方法。随着这项技术的不断进步，预计它将在半导体工业中扮演更加关键的角色。
