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更新于2025-06-03
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内容概要:本文提出了一种用于分析FinFET技术中并联电容器延迟线(SC)和电流饥饿延迟线(CS)抖动的简单解析模型。模型考虑了布局电阻和电容效应、闪烁噪声以及栅极电阻噪声,这些因素在FinFET技术中不可忽视。通过在5nm技术下设计原型验证了模型的有效性,最大误差为15%。此外,文章比较了两种延迟线的效率,特别是分析了电容负载调谐范围对SC延迟线效率的影响,显示了这一参数在设计选择中的重要性。
适合人群:具有电子工程背景的研究人员和工程师,尤其是从事时钟分配网络、模数转换器(ADC)设计的专业人士。
使用场景及目标:①研究FinFET技术中延迟线抖动建模方法;②评估SC和CS延迟线在不同条件下的性能表现;③优化延迟线设计以降低抖动并提高电路效率。
其他说明:本文不仅提供了理论模型,还通过实际设计和仿真验证了模型的准确性。研究结果表明,在相同条件下,CS延迟线比SC延迟线更高效,但SC延迟线的效率对电容负载调谐范围非常敏感。设计者应根据具体需求和技术参数选择合适的延迟线拓扑,并注意早期设计阶段的关键参数优化。

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