Teoría Básica de Transistores JFET

Teoría Básica de Transistores JFET

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  INSTITUTO TECNOLÓGICO SUPERIORDE TEZIUTLÁN MATERIA: SISTEMAS ELECTRÓNICOS PARA INFORMÁTICA AGOSTO / DICIEMBRE 2016
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  SESIÓN 7: TEORÍA BÁSICADE TRANSISTORES JFET
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  TRANSISTORES DE UNIÓNDE EFECTO DE CAMPO (JFET) Los transistores de unión de efecto de campo (JFET) son un tipo especial de transistor, que constan de uniones semiconductoras similares a las de un BJT y que tienen funciones o aplicaciones similares; no obstante, su diferencia principal es que la amplificación de corriente en un JFET se realiza mediante el control de un voltaje, y no por corriente como los BJT. TRANSISTORES DE EFECTO DE CAMPO (FET) G S D G S D SÍMBOLOS GENÉRICOS PRESENTACIONES DE TRANSISTORES FET
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  TRANSISTORES DE UNIÓNDE EFECTO DE CAMPO (JFET) TIPOS DE TRANSISTORES FET FET DE BAJA POTENCIA (PROPÓSITO GENERAL,RF, CONMUTACIÓN) DE UNIÓN (JFET) SEMICONDUCTOR METAL- ÓXIDO (MOSFET) MOSFET DE MEDIA Y ALTA POTENCIA (PROPÓSITO GENERAL,FUENTES CONMUTADAS, AMPLIFICACIÓN DE BAJA SEÑAL, TECNOLOGÍA FAMILIA LÓGICA CMOS)
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  TRANSISTORES DE UNIÓNDE EFECTO DE CAMPO (JFET) TERMINALES DE UN TRANSISTOR JFET Puerta o Compuerta TRANSISTOR JFET DE CANAL N Drenador o Drenaje TRANSISTOR JFET DE CANAL P Fuente o Surtidor Puerta o Compuerta Drenador o Drenaje Fuente o Surtidor
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  TRANSISTORES DE UNIÓNDE EFECTO DE CAMPO (JFET) ESTRUCTURA INTERNA SEMICONDUCTORA (TRANSISTORES JFET)
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  TRANSISTORES DE UNIÓNDE EFECTO DE CAMPO (JFET) ESTRUCTURA INTERNA SEMICONDUCTORA (TRANSISTORES JFET)
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  TRANSISTORES DE UNIÓNDE EFECTO DE CAMPO (JFET)
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  POLARIZACIÓN DE TRANSISTORESJFET TRANSISTORES DE UNIÓN DE EFECTO DE CAMPO (JFET) POLARIZACIÓN FIJA
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  TRANSISTORES JFET’s COMO AMPLIFICADORES
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  ELEMENTOS DE UNJFET POLARIZADO VOLTAJE DE PUERTA (VGG) RESISTENCIA DE COMPUERTA (RG) VOLTAJE DE DRENADOR (VDD) RESISTENCIA DE DRENADOR (RD) TRANSISTORES JFET COMO AMPLIFICADORES - +VOLTAJE COMPUERTA-FUENTE (VGS) - + VOLTAJE DRENADOR-FUENTE (VDS)
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  CONSIDERACIONES DE POLARIZACIÓNDE UN JFET TRANSISTORES JFET COMO AMPLIFICADORES 1.- Independientemente del tipo de JFET, la unión PN siempre debe ser polarizada en inversa. NP P - + PN N - +
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  CONSIDERACIONES DE POLARIZACIÓNDE UN JFET TRANSISTORES JFET COMO AMPLIFICADORES 2.- Un JFET es más delicado que un BJT, por lo que hay que tomar en cuenta parámetros como el voltaje de estrangulamiento, la corriente de dreandor de saturación, los voltajes de ruptura, etc.
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  CONSIDERACIONES DE POLARIZACIÓNDE UN JFET TRANSISTORES JFET COMO AMPLIFICADORES
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  TRANSISTORES JFET COMOAMPLIFICADORES 𝐼 𝐺 = 0 𝐴 𝐼 𝐷 = 𝐼𝑆 Se considera que no hay corriente en la compuerta, por lo que se toma como constante el valor 0. Se considera que la corriente de que circula por la fuente o surtidor es igual a la corriente del drenador. CONSIDERACIONES DE POLARIZACIÓN DE UN JFET 3.- Las siguientes expresiones generales son importantes para el cálculo de parámetros de un JFET: 𝑉 𝐺𝑆 = 𝑉𝑃 , 𝐼𝐷 = 0 Si durante la operación del JFET el Voltaje Compuerta/Fuente (Vgs) es igual al Voltaje de Estrangulamiento (Vp, valor dado por el fabricante), el JFET es incapaz de suministrar corriente en el drenador.
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  TRANSISTORES JFET COMOAMPLIFICADORES 𝐼 𝐷 = 𝐼𝐷 𝑆𝑆 1 − 𝑉 𝐺𝑆 𝑉 𝑃 2 CONSIDERACIONES DE POLARIZACIÓN DE UN JFET 3.- Las siguientes expresiones generales son importantes para el cálculo de parámetros de un JFET: ECUACIÓN DE SHOCKLEY Donde: Idss: Corriente de Drenador de Saturación (Valor dado por el fabricante) Vgs: Voltaje Compuerta/Fuente Vp: Voltaje de Estrangulamiento(Valor dado por el fabricante)
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  EJEMPLO: Determinar cada unade los parámetros del siguiente JFET si Vgg= -2 V: